FUKUMURA Tomoteru Last updated: Nov 14, 2018 at 17:45
Committee Memberships
Jan 2015
-
Today
国際固体素子・材料コンファレンス 論文委員
Jan 2013
-
Today
日本化学会 速報誌編集委員
Jan 2015
-
Jan 2016
13th Joint MMM Intermag Conference Program Committee Sub-Committee
Jan 2012
-
Dec 2012
MBE 2012 Program Commitee
Apr 2006
-
May 2010
ボトムアップ若手の会 幹事（金属材料研究所）
Awards & Honors
Mar 2011
磁性酸化物半導体の創成, 第7回日本学術振興会賞, 日本学術振興会
Apr 2009
磁性酸化物半導体の合成と物性およびデバイスの研究, The Young Scientists' Prize, The Commendation for Science and Technology by the Minister of Education,Culture, Sports, Science and Technology, 文部科学省
Sep 2007
酸化物磁性半導体のコンビナトリアル探索と室温強磁性の発見, 2nd Thomson Scientific Research Front Award, トムソンサイエンティフィック
Winner: 鯉沼秀臣, 福村知昭
2001-2007年のリサーチフロントデータベースを利用
Mar 2007
高温強磁性酸化物半導体の創製とそのデバイス実証に関する研究, The 10th Marubun Research and Encouragement Award, 丸文研究交流財団
Mar 2009
磁性酸化物半導体の開発とその応用に関する研究, 第19回トーキン科学技術振興財団研究奨励賞, 財団法人トーキン科学技術振興財団
Published Papers
T. Fukumura, H. Sugawara, T. Hasegawa, K. Tanaka, H. Sakaki, T. Kimura, Y. Tokura
Science 284 1969-1972 1999 [Refereed]
T Fukumura, Z. Jin, A. Ohtomo, H. Koinuma, M. Kawasaki
Appl. Phys. Lett. 75 3366-3368 1999 [Refereed]
Y. Matsumoto, M. Murakami, T. Shono, T. Hasegawa, T. Fukumura, M. Kawasaki, P. Ahmet, T. Chikyow, S. Koshihara, H. Koinuma
Science 291 854-856 2001 [Refereed]
Toyosaki H., Fukumura T., Yamada Y., Nakajima K., Chikyow T., Hasegawa T., Koinuma H., Kawasaki M.,
Nature Materials 3 221-224 2004 [Refereed]
T. Onozuka, A. Chikamatsu, T. Katayama, T. Fukumura and T. Hasegawa
Dalton Trans. 45 12114 Jul 2016 [Refereed]
Misc
A scaling behavior of anomalous Hall effect in cobalt doped TiO2
T. Fukumura, H. Toyosaki, K. Ueno, M. Nakano, T. Yamasaki, M. Kawasaki
Frontiers in Materials Research: Advances in Materials Research 10 87-92 Jun 2008
世界を震撼させた強磁性酸化物半導体の発見
豊崎秀海, 福村知昭, 川崎雅司
化学工業 58 160-165 2007
CoドープTiO2の強磁性とデバイス応用の可能性
福村知昭, 豊崎秀海, 中野匡規, 川崎雅司
固体物理 41 415-421 2006
Transparent spin electronics with wide-gap oxide semiconductors
T. Fukumura, M. Kawasaki
Future Materials (6) 30-36 Jun 2003
Spintronics and nanochemistry
福村知昭
Modern Chemistry 380(11) 50-54 Nov 2002
Books etc
Electric-field control of magnetism in ferromagnetic semiconductors
Tomoteru Fukumura
Wiley-VCH Jun 2015 ISBN:978-1-118-75191-6
Combinatorial technology
T. Fukumura (Part:Joint Editor, 6.5.3節170頁~174頁; 6.5.5節177頁~178頁)
Maruzen Aug 2004
Laser ablation
T. Fukumura (Part:Editor)
イオン工学研究所 Jan 2003
Laser deposition methods; Oxide/Semiconductor Systems
T. Fukumura
Handbook of Applied Physics, Ver. 2 2002
分担執筆
Synthesis of thick and thin films
T. Fukumura
Handbook of Ceramic Enginnering, Vol. 2 2002
分担執筆
Conference Activities & Talks
Microscopic magnetism in high TC ferromagnetic oxide semiconductor: anatase Co-doped TiO2
Thantip K. Krasienapibal, Tomoteru Fukumura, Tetsuya Hasegawa
MMM Intermag 2016 Joint Conference 11 Jan 2016
Structural, electrical, and magnetic phase transitions in AX-type mixed valence cobalt oxynitrides epitaxial thin films
Yasushi Hirose, Jumpei Takahashi, Daichi Oka, Shoichiro Nakao, Chang Yang, Tomoteru Fukumura, Tetsuya Hasegawa
Pacific Chem 15 Dec 2015
Large perpendicular magnetic anisotropy in noble metal-free manganese nitride epitaxial thin film
Akira Chikamatsu, Xi Shen, Kei Shigematsu, Yasushi Hirose1, Tomoteru Fukumura, Tetsuya Hasegawa
Pacific Chem 15 Dec 2015
Strong carrier localization in LaVO3 -y y
Masahito Sano, Yasushi Hirose, Shoichiro Nakao, Tomoteru Fukumura and Tetsuya Hasegawa
Pacific Chem 15 Dec 2015
Structural chemistry and physical properties of fluorine-substituted perovskite nickelate NdNiO3-x Fx
Tomoya Onozuka, Akira Chikamatsu, Tsukasa Katayama, Tomoteru Fukumura and Tetsuya Hasegawa
Pacific Chem 15 Dec 2015
Research Grants & Projects
Magnetism and device applications of ferromagnetic oxide semiconductors
Grant-in-Aid for Scientific Research
Project Year: Apr 1998 - Today
Development of organic devices using oxide epitaxial thin films
Grant-in-Aid for Scientific Research
Project Year: Apr 2003 - Today
Combinatorial materials science
Cooperative Research
Project Year: Apr 1998 - Today
Patents
特開２００８－２４４００６ : ダイオード及びその製造方法
川崎雅司、福村知昭、中野匡規
特開２００８－２１１２０３ : ZnO系半導体素子
中原健、川崎雅司、福村知昭、中野匡規
４１０２８８０号 : 多層膜構造体、及び素子構造
川崎 雅司、福村 知昭、大友 明、豊崎 秀海、山田 康博、大野 英男、松倉 文▲礼▼
特開２００８－５０２０８ : 光照射コバルトドープ二酸化チタン膜
川崎雅司、福村知昭、豊崎秀海、中野匡規
４０８１５８２号 : 青色発光蛍光体
川崎 雅司、福村 知昭、モロドコヴィチ ウラジミール、今泉 文武、林 秀樹
Social Contribution
若手研究者9人を表彰 トーキン科学技術振興財団
[Others] 河北新報 18 Mar 2009
強磁性半導体 室温動作が可能 東北大学 酸化チタン系開発
[Informant] 化学工業日報 11 Nov 2008
室温で動く強磁性材料－半導体用、東北大が開発－
[Informant] 日経産業新聞 6 Nov 2008
影響力ある論文 日本人17人選ぶ トムソンサイエンティフィック
[Others] 日経産業新聞 28 Sep 2007
New Spin on Silicon
[Informant] Materials Today誌 Jun 2004
Others
Apr 2014 軽元素を活用した機能性電子材料の創出
一般に、希土類酸化物はR2O3（R：希土類元素）という化学式で表される。ここで希土類イオンは3価を取り不対電子をもたないため、R2O3は一般に透明な絶縁体である。ところが、イットリウム酸化物の薄膜をパルスレーザー堆積法で作製する際に、試料の酸化をできるだけ避けるように還元条件を用いた結果、2価のイットリウムイオンをもつYO薄膜を合成することに成功した。これまで気相のYOのみ報告されていたが、本研究では岩塩構造のYOを合成することができた。イットリウムイオンは1個の4d電子をもつため、Y2O3と異なり、不透明で電気伝導性をもつ。その電気伝導性は、通常の酸化物半導体と同様に、酸素欠損量を変えることで制御することができる。
Oct 2008 ワイドギャップ強磁性半導体デバイス
Apr 2007 二酸化チタンをベースとしたスピントロニクス材料のホール効果に関する研究
二酸化チタンをベースとしたスピントロニクス材料のホール効果に関する研究
Jul 2005 室温強磁性半導体を用いた室温動作スピントロニクスデバイスの開発
室温強磁性半導体コバルトドープ二酸化チタンを用いたスピントロニクスデバイスを開発して、室温動作の実現に取り組む。
Apr 2005 透明強磁性半導体における強磁性発現のメカニズムの探求
透明強磁性半導体における強磁性発現のメカニズムの探求
tohoku.ac.jp