岩井 信

Multi-Pillar Surrounding Gate 型 MOSキャパシタの試作プロセス 

電子情報通信学会2002年総合大会講演論文集 2002年  

高集積化を実現するFloating Channel type SGT(FC-SGT)Flashメモリセルのビットライン形成法 

電子情報通信学会2001年総合大会講演論文集 エレクトロニクス2 87 2001年  

0.4um MOS プロセス技術を用いた Multi-Pillar Surrounding Gate 型 MOS キャパシタ 

電子情報通信学会2001エレクトロニクスソサイエティ大会講演論文集 エレクトロニクス2 2001年  

Multi-Pillar Surrounding Gate Transistor (M-SGT) type MOS Capacitor Using 0.4um MOS Technology 

2001 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices 257 2001年  

A new Bit Line formation method for High-Density Floating Channel type SGT(FC-SGT)Flash Memory 

Proceedings of the 2001 IEICE general conference エレクトロニクス2 87 2001年  

Multi-Pillar Surrounding Gate Transistor (M-SGT) type MOS Capacitor Using 0.4um MOS Technology 

2001 Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices 257 2001年  

Floating Channel type SGT(FC-SGT)Flashメモリの試作プロセスの提案 

電子情報通信学会2000年総合大会講演論文集 エレクトロニクス2 87 2000年  

Floating Channel type SGT(FC-SGT)Flashメモリセルにおけるフローティングチャネル形成プロセス 

電子情報通信学会2000年エレクトロニクスソサイエティ大会講演論文集 エレクトロニクス2 74 2000年  

Proposal of fabrication process for Floating Channel type SGT(FC-SGT)Flash Memory 

Proceedings of the 2000 IEICE general conference エレクトロニクス2 87 2000年  

A Floating Channel fabrication process for Floating Channel type SGT(FC-SGT)Flash Memory Cell 

Proceedings of the 2000 electronics society conference of IEICE エレクトロニクス2 74 2000年