2016年
3d,4d,5d金属超薄膜における結晶磁気異方性と電界効果の第一原理計算
日本物理学会講演概要集
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- 巻
- 71
- 号
- 開始ページ
- 896
- 終了ページ
- 896
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- DOI
- 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_896
- 出版者・発行元
- 一般社団法人 日本物理学会
<p>結晶磁気異方性の電界制御が可能な強磁性金属薄膜を探索するために、第一原理計算FLAPW法を用いて、3d,4d,5d金属単原子層の結晶磁気異方性エネルギーとその電界効果を系統的に調べた。フリースタンディングな単原子層の場合、元素のスピン軌道相互作用の大きさに比例して、磁気異方性エネルギーとその電界効果が大きくなることが示唆された。発表では、さらに、Fe/MgO(001)界面に挿入したFe/遷移金属超薄膜/MgO系における結晶磁気異方性エネルギーとその電界効果を報告する。</p>
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_896
- CiNii Articles ID : 130006246702