大参宏昌 (Hiromasa Ohmi) - マイポータル

基本情報

所属: 大阪大学工学研究科物理学系専攻

学位: 博士(工学)(大阪大学)

研究者番号: 00335382
ORCID iD: https://orcid.org/0000-0001-6827-6052
J-GLOBAL ID: 200901089765976137
researchmap会員ID: 1000366521

外部リンク: http://www-ms.prec.eng.osaka-u.ac.jp/

研究キーワード

研究分野

経歴

2025年10月 - 現在

大阪大学, 大学院工学研究科物理学系専攻, 教授
2023年10月 - 2025年9月

大阪大学, 大学院工学研究科物理学系専攻, 准教授

学歴

- 2001年

大阪大学, 工学研究科, 精密科学専攻

委員歴

2011年4月 - 現在

精密工学会超精密加工専門委員会, 幹事
2008年4月 - 現在

電気学会, 論文委員会委員
2020年4月 - 2024年3月

公益社団法人精密工学会, 校閲委員幹事
2017年4月 - 2017年10月

精密工学会, 精密工学会秋季大会実行委員
2012年10月

第五回原子レベル制御製造技術に関する国際シンポジウム・精密工学会・超精密加工専門委員会、大阪大学GCOEプログラム, 実行委員
2011年10月

第四回原子レベル制御製造技術に関する国際シンポジウム・精密工学会・超精密加工専門委員会、大阪大学GCOEプログラム, 実行委員
2010年11月

第三回原子レベル制御製造技術に関する国際シンポジウム・精密工学会・超精密加工専門委員会、大阪大学GCOEプログラム, 実行委員
2009年11月

第二回原子レベル制御製造技術に関する国際シンポジウム・精密工学会・超精密加工専門委員会、大阪大学GCOEプログラム, 実行委員
2009年2月

「第一回原子レベル制御製造技術に関する国際シンポジウム」精密工学会・超精密加工専門委員会、大阪大学GCOEプログラム, 実行委員
2007年10月

「原子論的生産技術に関する21世紀COEシンポジウム」精密工学会、大阪大学21世紀COEプログラム, 実行委員
2001年4月 - 2001年9月

精密工学会, 精密工学会秋季大会実行委員

受賞

2023年1月

2022年度精密工学会秋季大会学術講演会ベストプレゼンテーション賞, 大気圧プラズマを用いた2段階プロセスによる透明基材用反射防止コーティング, 公益社団法人精密工学会

武田聖矢, 山内怜大, 大谷燎平, 大参宏昌, 垣内弘章
2022年5月

2022年度精密工学会春季大会学術講演会ベストプレゼンテーション賞, 低温⾼密度プラズマ処理による銀ナノファズ構造の形成, 公益社団法人精密工学会

関戸拓郎, 中村航己, 垣内弘章, 大参宏昌
2021年5月

2021年度精密工学会春季大会学術講演会ベストプレゼンテーション賞, 固体ソース支援プラズマ化学気相成長法による高撥水フルオロカーボン膜の形成, 公益社団法人精密工学会

中塚宏学、田中領、垣内弘章、安武潔、大参宏昌
2017年10月

2017年度精密工学会秋季大会学術講演会ベストオーガナイザー賞, 公益財団法人精密工学会

大参宏昌, 須崎嘉文
2015年11月

Poster award of excellence, Taiwan Association for Coatings and Thin Films Technology

H.Takemoto, Y. Ishikawa, H. Kakiuchi, K. Yasutake, H. Ohmi
2015年7月

大阪大学総長奨励賞, 大阪大学

大参宏昌
2014年7月

大阪大学総長奨励賞, 大阪大学

大参宏昌
2004年3月

精密工学会沼田記念論文賞, 社団法人精密工学会

森勇藏, 芳井熊安, 安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌, 和田勝男

論文

194

Atmospheric-pressure plasma-induced formation of heterostructured thick silicon films toward high energy density lithium-ion battery anodes

Afif Hamzens, Koki Hiromoto, Farrel Dzaudan Naufal, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 58(38) 2025年9月22日
Formation of Porous Silicon Oxides for Single-Layer Anti-reflection Coatings on Transparent Materials Using Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma

Leapheng Uon, Naoto Mizusawa, Reo Yamauchi, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi

PLASMA CHEMISTRY AND PLASMA PROCESSING 45(4) 1247-1260 2025年7月
Formation of Heterostructured Silicon Thick Films in Atmospheric-Pressure Very High-Frequency Plasma for Possible Application to Lithium Ion Battery Anode

Afif Hamzens, Shota Mochizuki, Farrel Dzaudan Naufal, Koki Hiromoto, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi

PLASMA CHEMISTRY AND PLASMA PROCESSING 45(4) 1233-1246 2025年7月
High-Rate Preparation of Fluorocarbon Film Using Tetrafluoromethane Gas and a Graphite Electrode by High-Pressure (100 Torr) Plasma

Hiromasa Ohmi, Tomoyuki Tanaka, Jou Kikura, Yuga Oda, Mizuki Ueno, Hiroaki Kakiuchi

ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY 14(2) 2025年2月1日
Highly efficient anti-reflection coating on transparent material surface by a deposition-oxidation two-step process using very high-frequency plasma under atmospheric pressure

Hiroaki Kakiuchi, Seiya Takeda, Reo Yamauchi, Hiromasa Ohmi

THIN SOLID FILMS 796 2024年5月15日
High-rate etching of silicon oxide and nitride using narrow-gap high-pressure (3.3 kPa) hydrogen plasma

Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi

Journal of Physics D: Applied Physics 57(27) 275204-275204 2024年4月12日査読有り最終著者責任著者
Role of O₂ and N₂ addition on low-reflectance Si surface formation using moderate-pressure (3.3 kPa) hydrogen plasma

Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi

Physica Scripta 98(11) 115609-115609 2023年10月13日査読有り最終著者責任著者
Shallow defect layer formation as Cu gettering layer of ultra-thin Si chips using moderate-pressure (3.3 kPa) hydrogen plasma

Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi

Journal of Applied Physics 133(16) 2023年4月24日査読有り最終著者責任著者
Improvement of deposition characteristics of silicon oxide layers using argon-based atmospheric-pressure very high-frequency plasma

Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Seiya Takeda, Kiyoshi Yasutake

Journal of Applied Physics 132(10) 103302-103302 2022年9月14日
Si nanocone structure fabricated by a relatively high-pressure hydrogen plasma in the range of 3.3–27 kPa

Toshimitsu Nomura, Kenta Kimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake, Hiromasa Ohmi

Journal of Vacuum Science & Technology B 40(3) 032801-032801 2022年5月査読有り最終著者責任著者
Formation of indium nitride nanostructures by atmospheric pressure plasma nitridation of molten indium

Kazushi Yoshida, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi

Journal of Applied Physics 130(6) 063301-063301 2021年8月14日査読有り
Gas-phase kinetics in atmospheric-pressure plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon films

Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake

Journal of Applied Physics 130(5) 053307-053307 2021年8月7日査読有り
Diffusion of excessively adsorbed hydrogen atoms on hydrogen terminated Si(100)(2×1) surface

Kouji Inagaki, Yoshitada Morikawa, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi

AIP Advances 11(8) 085318-085318 2021年8月1日査読有り
Solution-based coating and printing of polycrystalline Ge films using GeO2 solution by moderate-pressure hydrogen plasma reduction

Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Hiroaki K Kakiuchi

Flexible and Printed Electronics 6 035003 2021年7月5日査読有り筆頭著者
Study on silicon removal property and surface smoothing phenomenon by moderate-pressure microwave hydrogen plasma

Hiromasa Ohmi, Kenta Kimoto, Toshimitsu Nomura, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

Materials Science in Semiconductor Processing 129 105780-105780 2021年7月査読有り筆頭著者責任著者
Plasma parameters in very high frequency argon plasmas mixed with nitrogen at atmospheric pressure

Kiyoshi Yasutake, Kazushi Yoshida, Hiromasa Ohmi, Hiroaki Kakiuchi

Journal of Applied Physics 129(17) 173302-173302 2021年5月7日査読有り
Reactive ion etching process of SiO2 film using on-site synthesized C2F4 from CF4

Daiki Iino, Satoshi Tanida, Kazuaki Kurihara, Hiroyuki Fukumizu, Itsuko Sakai, Junko Abe, Jota Fukuhara, Rei Tanaka, Tomoyuki Tanaka, Jou Kikura …

Japanese Journal of Applied Physics 60(5) 050904-050904 2021年5月1日査読有り
On-site tetrafluoroethylene gas generation from moderate-pressure pure tetrafluoromethane plasma reactor

Hiromasa Ohmi, Jou Kikura, Tomoyuki Tanaka, Rei Tanaka, Daiki Iino, Itsuko Sakai, Kazuaki Kurihara, Hiroyuki Fukumizu, Junko Abe, Jota Fukuhara …

Chemical Engineering Science 229 116125-116125 2021年1月査読有り筆頭著者責任著者
Plasma parameters in very high frequency helium and argon plasmas at atmospheric pressure

Kazushi Yoshida, Ken Nitta, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake, Hiroaki Kakiuchi

Journal of Applied Physics 128(13) 133303-133303 2020年10月7日査読有り
Pulsed very high-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition of silicon films for low-temperature (120 °C) thin film transistors

Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Kiyoshi Yasutake

Journal of Physics D: Applied Physics 53(41) 415201-415201 2020年10月7日査読有り

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MISC

超高周波励起大気圧プラズマを用いたSi系機能材料の低温・高能率成膜—Low-temperature and Highly Efficient Formation of Silicon-related Functional Thin Films Using Very High-frequency Plasma Excited Under Atmospheric Pressure—特集半導体製造プロセスに関わる大気圧プラズマの現状

垣内弘章, 大参宏昌

静電気学会誌 / 静電気学会編 48(3) 79-83 2024年5月
大気圧VHFプラズマを用いたSiの低温・高速成膜技術と薄膜トランジスタへの応用 (特集 FPDの進化を担う薄膜技術)

垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔

ディスプレイ 19(11) 23-29 2013年11月
大気圧プラズマCVDによるSi高速成膜と太陽電池への応用 (特集大気圧プラズマと注目の応用)

垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔

オプトロニクス 31(6) 88-93 2012年6月
大気圧プラズマを用いた低温・高速成膜技術 (特集プラズマプロセスの応用技術)

垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔

ケミカルエンジニヤリング 55(12) 889-895 2010年12月
大気圧プラズマ化学輸送法による太陽電池用シリコン膜の作製

大参宏昌, オオミヒロマサ

大阪大学低温センターだより 152 20-26 2010年10月
PFC-free dry etching method for Si using narrow-gap VHF plasma at subatmospheric pressure

Hiromasa Ohmi, Kazuya Kishimoto, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

J. Electrochem. Soc., 157(2) D85-D89 2010年筆頭著者
purified Si film formation from metallurgical-grade Si by hydrogen plasma induced chemical transport

Hiromasa Ohmi, Akihiro Goto, Daiki Kamada, Yoshinori Hamaoka, Hiroaki Kakiuchi, Kiyoshi Yasutake

Appl. Phys. Lett. 95(18) 2009年11月査読有り筆頭著者
フィルムコーテイングのための大気圧・超高周波プラズマ技術 (特集気相薄膜形成技術)

垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔

コンバーテック 36(3) 96-100 2008年3月
Low-Temperature Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si Using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure

H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007 pp. 7-8 2007年10月査読有り
Low-temperature formation of SiO2 layers using a two-step atmospheric pressure plasma-enhanced deposition-oxidation process

H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

Appl. Phys. Lett. 91(16) 2007年10月査読有り
Low-temperature formation of SiO2 layers using a two-step atmospheric pressure plasma-enhanced deposition-oxidation process

Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Makoto Harada, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

APPLIED PHYSICS LETTERS 91(16) 2007年10月
Significant enhancement of Si oxidation rate at low temperatures by atmospheric pressure Ar/O2 plasma

H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

Appl. Phys. Lett. 90(15) 2007年4月査読有り
Formation of Silicon Dioxide Layers at Low Temperatures (150-400 C) by Atmospheric Pressure Plasma Oxidation of Silicon

H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

Sci. Technol. Adv. Mater. 8(3) 137-141 2007年4月査読有り
Significant enhancement of Si oxidation rate at low temperatures by atmospheric pressure Ar/O-2 plasma

Hiroaki Kakiuchi, Hiromasa Ohmi, Makoto Harada, Heiji Watanabe, Kiyoshi Yasutake

APPLIED PHYSICS LETTERS 90(15) 2007年4月
Formation of silicon dioxide layers at low temperatures (150-400 degrees C) by atmospheric pressure plasma oxidation of silicon

H. Kakiuchi, H. Ohmi, M. Harada, H. Watanabe, K. Yasutake

SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS 8(3) 137-141 2007年4月
Low-Temperature Oxidation of Crystalline and Hydrogenated Amorphous Si Using Very High Frequency Plasma at Atmospheric Pressure

Extended Abstracts of International 21st Century COE Symposium on Atomistic Fabrication Technology 2007, Osaka, Japan pp. 7-8 2007年
大気圧プラズマCVDによる機能薄膜の高速・低温形成技術 (特集1 大気圧プラズマの生成,計測と産業応用)

垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔

マテリアルステージ 5(12) 14-20 2006年3月
Defect-free growth of epitaxial silicon at low temperatures (500 - 800°C) by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition

Applied Physics A 81(6) 1139-1144 2005年11月
大気圧プラズマCVDにより高速形成した多結晶Si薄膜の構造に対するSiH4濃度の影響

大参宏昌, 垣内弘章, 中濱康治, 江畑祐介, 安武潔, 芳井熊安, 森勇藏

精密工学会誌 71, No.11,(11) 1393-1398 2005年11月査読有り
Defect-free growth of epitaxial silicon at low temperatures (500-800 degrees C) by atmospheric pressure plasma chemical vapor deposition

K Yasutake, H Kakiuchi, H Ohmi, K Yoshii, Y Mori

APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING 81(6) 1139-1144 2005年11月

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書籍等出版物

超精密加工と表面科学第2部2章3

大参宏昌 (担当:分担執筆)

大阪大学出版会 2014年3月 (ISBN: 9784872594652)
大気圧VHFプラズマを用いたSiの低温・高速成膜技術と薄膜トランジスタへの応用「月間ディスプレイ」

垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔

(株)テクノタイムズ社 2013年11月
大気圧プラズマCVDによるSi高速成膜と太陽電池への応用 OPTRONICS, 2012, No. 6, 88-93. （共著）

垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔

株式会社オプトロニクス社 2012年6月
大気圧プラズマCVDによるシリコン薄膜の形成「改訂版大気圧プラズマの生成制御と応用技術」 pp.197-219, 2012 （共著）

安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌

サイエンス＆テクノロジー株式会社 2012年3月 (ISBN: 9784864280396)
大気圧プラズマの技術とプロセス開発

沖野, 晃俊

シーエムシー出版 2011年8月 (ISBN: 9784781304076)
Preparation of Si-Based Thin Films Using Atmospheric Pressure Plasma Chemical Vapour Deposition (CVD) （共著）

K. Yasutake, H. Kakiuchi, H. Ohmi

"Generation and Application of Atmospheric Pressure Plasmas" NOVA 2011年4月
大気圧プラズマを用いた低温・高速成膜技術, ケミカルエンジニヤリング 55[12], pp. 1–7 (2010).

垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔

化学工業社 2010年12月
「大気圧プラズマ基礎と応用」第6章6.7.3[2] シリコン系CVD

安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌

オーム社 2009年10月
新コーティングのすべて

垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔

加工技術研究会 2009年10月
フィルムベースエレクトロニクスの最新要素技術

垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔

シーエムシー出版 2008年10月
Materials Science Research Trends

H. Kakiuchi, H. Ohmi, K. Yasutake

Nova Science Publishers, New York 2008年10月
「大気圧プラズマの生成制御と応用技術」第2章第7節大気圧プラズマCVDによる無機物膜堆積 (2006) pp.135-151.

安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌

サイエンス＆テクノロジー 2006年11月

担当経験のある科目(授業)

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所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

3次元積層半導体デバイス製造に向けた水素を用いた金属低温接合技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 2025年6月 - 2028年3月

大参宏昌
水素プラズマを用いた極薄結晶シリコン太陽電池のスマート製造プロセスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2024年4月 - 2027年3月

大参宏昌
炭素繊維強化プラスチックの高品位ソフト加工法の開発

公益財団法人JKA 公益財団法人JKA 研究助成 2024年4月 - 2025年3月
水素を活用したLiプレドープナノ多孔質SiSn合金粒子の創成

公益財団法人八洲環境技術振興財団公益財団法人八洲環境技術振興財団研究助成 2024年4月 - 2025年3月
非平衡活性水素ガスを利用した超薄型単結晶シリコン基板の創成

公益財団法人岩谷直治記念財団公益財団法人岩谷直治記念財団研究助成 2024年4月 - 2025年3月
異種材接合に向けた高密度・非平衡プラズマによる金属表面処理技術の開発

公益財団法人天田財団公益財団法人天田財団研究助成 - 2024年3月
高圧水素プラズマによる光マネジメント用半導体表面ナノ構造の創成

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2020年4月 - 2023年3月

大参宏昌, 安武潔
省資源・省エネ型単結晶ダイヤモンド合成プロセスの開発

公益財団法人池谷科学技術振興財団公益財団法人池谷科学技術振興財団研究助成 - 2023年3月
高密度水素プラズマを用いた赤外無反射ゲルマニウム表面の創成

公益財団法人関西エネルギー・リサイクル科学研究振興財団公益財団法人関西エネルギー・リサイクル科学研究振興財団試験研究助成 2021年4月 - 2022年3月
高密度水素ラジカルを利用した低環境負荷型金属配線形成プロセスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 挑戦的研究(萌芽) 2018年6月 - 2021年3月

大参宏昌
高密度Nラジカルと金属の反応による窒化物ナノ構造の形成

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 挑戦的研究(萌芽) 2017年6月 - 2020年3月

安武潔, 大参宏昌, 垣内弘章
水素サイクルによるケミカルフリー高品位半導体基板創成プロセスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2016年4月 - 2019年3月

大参宏昌, 安武潔
非平衡高圧水素プラズマによるシリコン次元変換ソフトプロセスの開発

学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2015年 - 2017年3月

大参宏昌, 篠田史也, 平野達也, 武居則久
プラズマ・ナノ科学による金属級シリコン原料から高品質ナノワイヤシリコンの直接創成

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2013年4月 - 2016年3月

大参宏昌, 安武潔
木質バイオマスを原料とした工業用高品質ダイヤモンド膜の低温・常圧合成

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2013年4月 - 2015年3月

大参宏昌
プラズマ・ナノ科学による金属級シリコン原料から高品質ナノワイヤシリコンの直接創成

学術振興会 2015年
超薄型結晶Si太陽電池の製造を可能とする大気圧プラズマ高速成膜技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2010年 - 2014年3月

安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
プラズマ・ナノ科学による金属級シリコン原料から高品質ナノワイヤシリコンの直接創成

学術振興会 2014年
プラズマ・ナノ科学による金属級シリコン原料から高品質ナノワイヤシリコンの直接創成

学術振興会 2013年
固体フッ素樹脂原料を用いた低環境負荷型バルクシリコン太陽電池表面処理技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 若手研究(A) 2009年 - 2011年

大参宏昌

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産業財産権

特許7253729 ガス生成方法およびエッチング装置

大参宏昌, 安武潔, 酒井伊都子, 林久貴, 福原成太, 大内淳子, 金高秀海
特開2020-057682 プラズマ生成装置

大参宏昌, 中塚宏学
2018-186813 フルオロカーボン膜の成膜方法及び成膜装置

大参宏昌, 田中智之, 安武潔
特開WO2018/088532 エッチング装置及びエッチング方法

大参宏昌, 久保田雄介
特開WO2018/088536 金属膜形成装置及び金属膜形成方法

大参宏昌, 安武潔, 久保田雄介
特許第5849218号成膜装置

柴田哲司, 平井孝彦, 安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌
特開2015-174800 モノシラン生成装置

大参宏昌
特開2015-078402 成膜方法および成膜装置

大参宏昌
特許第5269414号大気圧水素プラズマを用いた膜製造方法、精製膜製造方法及び装置

大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章
特許第5028617号プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法、並びに、フッ素含有高分子廃棄物処理方法

大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章
5028617 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法，ガス発生装置及びガス発生方法，並びに，フッ素含有高分子廃棄物処理方法

大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章
特許第4660715号 Si精製方法、Si精製装置及びSi精製膜製造装置

大参宏昌, 安武潔, 中濱康治, 舩木毅
特開2011-003597 プラズマエッチング方法、およびプラズマエッチング装置

中濱康治, 舩木毅, 大参宏昌, 安武潔
特開2011-001207 モノシラン生成装置およびモノシラン生成方法

舩木毅, 中濱康治, 大参宏昌, 安武潔
4660715 Si精製方法，Si精製装置及びSi精製膜製造装置

大参宏昌, 安武潔
特開2010-262947 選択的膜製造方法

大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章
特許4539985 エピタキシャルSi膜の製造方法およびプラズマ処理装置

大参宏昌, 安武潔, 垣内弘章, 渡部平司
特開2010-087006 プラズマ加工装置及びプラズマ加工法

大参宏昌, 安武潔
特開2010-056483 膜製造方法

大参宏昌, 安武潔
特開2009-299130 低屈折率SiO2反射防止膜の製造方法及びそれを用いて得られる反射防止処理基材

垣内弘章, 安武潔, 大参宏昌, 石岡宗悟, 畠山宏毅

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学術貢献活動

PV JAPAN 2014

その他

JPEA 2014年7月
大阪大学新技術説明会

その他

JST・大阪大学 2014年7月
PV JAPAN 2012

その他

SEMI 2012年12月
PV JAPAN 2011

その他

SEMI 2011年12月
イノベーションジャパン 2010

その他

JST/NEDO 2010年9月
イノベーションジャパン2007

その他

JST・NEDO 2007年9月
セミコンジャパン2006

その他

2006年12月
イノベーションジャパン2006

その他

2006年9月

社会貢献活動

大阪大学新技術説明会

講師

JST、国立大学法人大阪大学 2024年1月31日 - 2024年1月31日

メディア報道

金属／金属間、金属／樹脂間の新たな接合技術を開発

(株)ガスレビューガスレビュー No.1034 ｐ.19 2024年6月新聞・雑誌
プラズマ殺菌吹き付け式装置開発

日経産業新聞 2007年4月

大参宏昌

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

委員歴

受賞

論文

MISC

書籍等出版物

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

学術貢献活動

社会貢献活動

メディア報道

メニュー

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