論文

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2018年9月13日

Crystallization Behavior and Ferroelectric Property of HfO2–ZrO2 Films Fabricated by Chemical Solution Deposition

Japanese Journal of Applied Physics

Shuhei NAKAYAMA
Hiroshi FUNAKUBO
Hiroshi UCHIDA

巻: 57
号: 11S
開始ページ: 11UF06-1
終了ページ: 11UF06-5
記述言語: 英語
掲載種別: 研究論文（学術雑誌）
DOI: 10.7567/JJAP.57.11UF06

リンク情報

DOI: https://doi.org/10.7567/JJAP.57.11UF06
Web of Science: https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=JSTA_CEL&SrcApp=J_Gate_JST&DestLinkType=FullRecord&KeyUT=WOS:000450231800035&DestApp=WOS_CPL

ID情報

DOI : 10.7567/JJAP.57.11UF06
ISSN : 0021-4922
eISSN : 1347-4065
Web of Science ID : WOS:000450231800035

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