白石賢二 (Kenji Shiraishi) - マイポータル

基本情報

J-GLOBAL ID: 200901057107029249
researchmap会員ID: 1000370191

研究分野

ナノテク・材料 / 薄膜、表面界面物性 /

経歴

2015年10月 - 現在

名古屋大学, 未来材料・システム研究所, 教授
2013年5月 - 2015年9月

名古屋大学大学院工学研究科計算理工学専攻教授
2007年10月 - 2013年5月

筑波大学教授大学院数理物質科学研究科
2007年4月 - 2007年10月

筑波大学准教授大学院数理物質科学研究科
2004年4月 - 2007年3月

筑波大学助教授大学院数理物質科学研究科
2001年1月 - 2004年3月

筑波大学助教授物理学系
1988年4月 - 2000年12月

日本電信電話株式会社

学歴

1978年4月 - 1988年3月

東京大学, 理学系研究科

論文

493

First-principles study on barrier height of silicon emission from interface into oxide during silicon thermal oxidation

Hiroyuki Kageshima, Toru Akiyama, Kenji Shiraishi

Japanese Journal of Applied Physics 63(4) 04SP08-04SP08 2024年3月19日
Reaction of NO molecule at 4H-SiC/SiO₂ interface and its orientation dependence: a first-principles study

Toru Akiyama, Hiroyuki Kageshima, Kenji Shiraishi

Japanese Journal of Applied Physics 63(3) 03SP80-03SP80 2024年3月1日
First-principles study for orientation dependence of band alignments at the 4H-SiC/SiO₂ interface

Shun Matsuda, Toru Akiyama, Tetsuo Hatakeyama, Kenji Shiraishi, Takashi Nakayama

Japanese Journal of Applied Physics 63(2) 02SP69-02SP69 2024年1月25日
First-principles study on silicon emission from interface into oxide during silicon thermal oxidation

Hiroyuki Kageshima, Toru Akiyama, Kenji Shiraishi

Materials Science in Semiconductor Processing 162 107527-107527 2023年8月
Elucidation of Spin-Correlations, Fermi Surface and Pseudogap in a Copper Oxide Superconductor

Hiroshi Kamimura, Masaaki Araidai, Kunio Ishida, Shunichi Matsuno, Hideaki Sakata, Kenji Sasaoka, Kenji Shiraishi, Osamu Sugino, Jaw-Shen Tsai, Kazuyoshi Yamada

Condensed Matter 8(2) 33-33 2023年4月4日
Effect of MgO Grain Boundaries on the Interfacial Perpendicular Magnetic Anisotropy in Spin-Transfer Torque Magnetic Random Access Memory: A First-Principles Study

Keisuke Morishita, Yosuke Harashima, Masaaki Araidai, Tetsuo Endoh, Kenji Shiraishi

IEEE Transactions on Magnetics 59(4) 1-6 2023年2月23日
Effect of interfacial nitrogen defects on tunnel magnetoresistance in an Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junction

Yutaro Ogawa, Masaaki Araidai, Tetsuo Endoh, Kenji Shiraishi

Journal of Applied Physics 132(21) 213904-213904 2022年12月7日
Ab initio study for orientation dependence of nitrogen incorporation at 4H-SiC/SiO₂ interfaces

Toru Akiyama, Tsunashi Shimizu, Tomonori Ito, Hiroyuki Kageshima, Kenta Chokawa, Kenji Shiraishi

Japanese Journal of Applied Physics 61(SH) SH1002-SH1002 2022年7月1日
Reaction of nitrous oxide and ammonia molecules at 4H-SiC/SiO2 interface: An ab initio study

T. Akiyama, T. Shimizu, T. Ito, H. Kageshima, K. Shiraishi

Surface Science 723 122102 2022年4月査読有り
シリコン原子はどこへ行く？まだまだ不思議な熱酸化

影島博之, 秋山亨, 白石賢二, 植松真司

応用物理 91(3) 155-159 2022年3月1日
Ab initio-based approach for the oxidation mechanisms at SiO2/4H-SiC interface: Interplay of dry and wet oxidants during interfacial reaction

Tsunashi Shimizu, Toru Akiyama, Tomonori Ito, Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu, Kenji Shiraishi

PHYSICAL REVIEW MATERIALS 5(11) 2021年11月
Investigation of negative charge storage mechanism in the potassium ion electret by first-principle calculations

Toru Nakanishi, Takeshi Miyajima, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Tatsuhiko Sugiyama, Gen Hashiguchi, Kenji Shiraishi

IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines 141(8) 292-298 2021年8月1日
Gallium-gallium weak bond that incorporates nitrogen at atomic steps during GaN epitaxial growth

Kieu My Bui, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama

Applied Surface Science 557 149542-149542 2021年8月査読有り
Defect-free interface between amorphous (Al2O3)1−x(SiO2)x and GaN(0001) revealed by first-principles simulated annealing technique

Kenta Chokawa, Kenji Shiraishi, Atsushi Oshiyama

Applied Physics Letters 119(1) 2021年7月5日
Reaction of NO molecule at 4H-SiC/SiO2 interface: an ab initio study for the effect of NO annealing after dry oxidation

Tsunashi Shimizu, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu, Kenji Shiraishi

Japanese Journal of Applied Physics 60(SB) SBBD10 2021年4月査読有り最終著者
Theoretical study on the effect of H2 and NH3 on trimethylgallium decomposition process in GaN MOVPE

Soma Sakakibara, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Akira Kusaba, Yoshihiro Kangawa, Kenji Shiraishi

Japanese Journal of Applied Physics 60(4) 045507 2021年4月査読有り最終著者
Effects of the Compressibility of Turbulence on the Dust Coagulation Process in Protoplanetary Disks

Y Sakurai, T Ishihara, H Furuya, M Umemura, K Shiraishi

The Astrophysical Journal 911 (2)(2) 140-140 2021年4月査読有り
Progress in Modeling Compound Semiconductor Epitaxy: Unintentional Doping in GaN MOVPE

Yoshihiro Kangawa, Akira Kusaba, Paweł Kempisty, Kenji Shiraishi, Shugo Nitta, Hiroshi Amano

Crystal Growth & Design 21(3) 1878-1890 2021年3月3日査読有り
ドライおよびウェット酸化種が共存する4H-SiC/SiO₂界面での反応機構の理論検討

清水紀志, 秋山亨, 伊藤智徳, 影島博之, 植松真司, 白石賢二

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 2696-2696 2021年2月26日
Effects of Wet Ambient on Dry Oxidation Processes at 4H-SiC/SiO2 Interface: An Ab Initio Study

Tsunashi Shimizu, Toru Akiyama, Kohji Nakamura, Tomonori Ito, Hiroyuki Kageshima, Masashi Uematsu, Kenji Shiraishi

ECS Meeting Abstracts {MA}2020-02(14) 1354-1354 2020年11月23日

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MISC

4H-SiC/SiO₂界面におけるバンド配列の面方位依存性に関する理論検討

松田隼, 秋山亨, 畠山哲夫, 白石賢二, 中山隆史

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
Si酸化における界面から酸化膜へのSi放出過程の理論検討

影島博之, 秋山亨, 白石賢二

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
ハイブリッド密度汎関数法による4H-SiC/SiO₂界面におけるバンド配列の面方位依存性の理論解析

松田隼, 秋山亨, 畠山哲夫, 白石賢二, 中山隆史

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 84th 2023年
4H-SiC/SiO₂界面での窒素酸化物およびアンモニアの反応機構の理論的検討

秋山亨, 清水紀志, 伊藤智徳, 影島博之, 白石賢二

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
4H-SiC/SiO₂界面での窒素取り込みの面方位依存性に関する理論検討

秋山亨, 清水紀志, 伊藤智徳, 影島博之, 白石賢二

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
4H-SiC/SiO₂界面での酸化反応におけるウェット酸化種の影響に関する理論的検討

清水紀志, 秋山亨, PRADIPTO Abdul Muizz, 中村浩次, 伊藤智徳, 影島博之, 植松真司, 白石賢二

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
4H-SiC/SiO₂界面におけるウェット酸化反応過程に関する理論的検討

堀真輔, 秋山亨, 中村浩次, 伊藤智徳, 影島博之, 植松真司, 白石賢二

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 78th 2017年
10aAS-1 SiC-MOSデバイスにおけるプロトン拡散の理論的検討(10aAS 表面界面ダイナミクス/水素ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長))

白川裕規, 神谷克政, 渡部平司, 白石賢二

日本物理学会講演概要集 69(2) 674-674 2014年8月22日
7pAH-2 シリセンリボンとゲルマネンリボンの端終端の効果の理論的研究(7pAH 領域4,領域7合同グラフェン関連(新物質・原子層),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

白石賢二, 白川裕規, 棚谷翔, 初貝安弘

日本物理学会講演概要集 69(2) 468-468 2014年8月22日
8aAV-2 ナノ構造中における電子輸送の理論的研究(8aAV 量子細線・量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

藤田弦暉, 塩川太郎, 高田幸宏, 小鍋哲, 村口正和, 山本貴博, 遠藤哲郎, 初貝安弘, 白石賢二

日本物理学会講演概要集 69(2) 473-473 2014年8月22日
ナノ構造中における電子輸送の理論的研究 (シリコン材料・デバイス)

藤田弦暉, 塩川太郎, 高田幸宏, 小鍋哲, 村口正和, 山本貴博, 遠藤哲郎, 初貝安弘, 白石賢二

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88) 55-58 2014年6月19日
第一原理計算を用いたSi-rich SiO₂への水素・窒素原子の混入による影響の原子論的考察 (シリコン材料・デバイス)

白川裕規, 山口慶太, 神谷克政, 白石賢二

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88) 49-53 2014年6月19日
磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション (電子部品・材料)

洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(57) 47-50 2014年5月28日
磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション (電子デバイス)

洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(56) 47-50 2014年5月28日
29pAK-3 水素終端されたシリセンリボンにおけるエッジ状態の起源(29pAK 領域7,領域4合同グラフェン(新物質・原子層),領域7(分子性固体))

棚谷翔, 小鍋哲, 白石賢二, 初貝安弘

日本物理学会講演概要集 69(1) 854-854 2014年3月5日
27aAU-11 リソグラフィーで作製したシリコンナノワイヤーアレーの光学特性(27aAU 量子細線・量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

塚本知九馬, 櫻井蓉子, 大毛利健治, 山田啓作, 角嶋邦之, 岩井洋, 白石賢二, 野村晋太郎

日本物理学会講演概要集 69(1) 689-689 2014年3月5日
28pPSA-35 GeSbTe相変化メモリ素子の電気伝導特性におけるスピン軌道相互作用の効果(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))

洗平昌晃, 加藤重徳, 山本貴博, 白石賢二

日本物理学会講演概要集 69(1) 886-886 2014年3月5日
26aDK-9 多軌道tight-binding modelを用いた積層シリセンの電子状態(グラフェン(新物質・表面界面),領域7,領域4合同,領域7(分子性個体・有機導体))

棚谷翔, 小鍋哲, 白石賢二, 初貝安弘

日本物理学会講演概要集 68(2) 755-755 2013年8月26日
26pPSA-11 磁気抵抗メモリの電流誘起磁化スイッチングに関する第一原理計算(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二

日本物理学会講演概要集 68(2) 621-621 2013年8月26日
MONOS型メモリを用いた長期保存メモリの設計指針 (シリコン材料・デバイス)

白川裕規, 山口慶太, 神谷克政, 白石賢二

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(87) 43-46 2013年6月18日

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講演・口頭発表等

First Principles Studires on the Complex of the Mg Impurity and the Screw Dislocations in GaN

Kenji Shiraishi

WebCongress on Computational Materials and Modeling, online 2021年1月26日招待有り
First principles molecular dynamics as a tool to explore complex reactions in GaN

M. Boero, K. M. Bui, A. Oshiyama, Y. Kangawa, K. Shiraishi

International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation, online 2021年1月19日
Structures, electron states and reactions on growing surfaces and at device interfaces of SiC and GaN

K. M. Bui, Y-I. Matsushita, K. Chokawa, M. Boero, Y. Kangawa, K. Shiraishi, A. Oshiayama

International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation, online 2021年1月19日
What are nesesaary for future non-volatile memories?

Kenji Shiraishi

Webinar on Science, Engineering and Technology, online 2020年11月17日招待有り
Atomic and Electronic Structures of Complexes of Screw Dislocations and Mg Impurities in GaN

Kenji Shiraishi

International Webinar on Nanotechnology, online 2020年10月1日招待有り
p型からn型へ変えるGaN中のらせん転位とMgの複合体:第一原理計算と3次元アトムピローブ解析によるアプローチ

原嶋庸介, 中野崇志, 長川健太, 白石賢二, 押山淳, 寒川義裕, 宇佐美茂佳, 間山憲仁, 戸田一也, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月8日招待有り
MONOSチャージトラップメモリの物性解明に向けた理論解析

白石賢二

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月14日招待有り
らせん転位とMg不純物との複合体を含むGaNの第一原理電子構造解析

中野崇志, 原嶋庸介, 長川健太, 洗平昌晃, 白石賢二, 押山淳, 草場彰, 寒川義裕, 田中敦之, 本田善央, 天野浩

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月13日招待有り
GaN中のらせん転位-不純物複合体の第一原理量子論による考察

白石賢二

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月12日
Theoretical Studies on Atomic and Electronic Structures of Threading Screw Dislocations in GaN

Kenji Shiraishi

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019), Nagoya, Japan 2019年11月1日招待有り
Theoretical Studies on Atomic and Electronic Structures of Threading Screw Dislocations in GaN

Kenji Shiraishi

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019年11月2日招待有り
Theoretical approach to impurity incorporation mechanism in GaN MOVPE

Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi

The 38th Electronic Materials Symposium (EMS-38) 2019年10月10日招待有り
Theoretical approach of oxygen incorporation into GaN grown on vicinal GaN(10-10)

F. Shintaku, Y. Kangawa, J. Iwata, A. Oshiyama, K. Shiraishi, A. Tanaka, H. Amano

1st International Workshop on AlGaN based UV-Laserdiodes 2019年9月28日招待有り
Atomic and Electronic Structures of Threading Screw Dislocations in GaN

Kenji Shiraishi, Takashi Nakano, Kenta Chokawa, Yosuke Harashima, Masaaki Araidai, Atsushi Tanaka, Yoshio Honda, Yoshihiro Kangawa, Atsushi Oshiayama, Hiroshi Amano

7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures, Kobe 2019年9月24日招待有り
A new theoretical approach to nitride crystal growth: impurity incorporation mechanism

Y. Kangawa, P. Kempisty, K. Shiraishi

13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13) 2019年7月11日招待有り
Physics in Charge Injection Induced On-Off Switching Mechanism of Resistive Random Access Memory (ReRAM) and Superlattice GeTe/Sb2Te3 Phase Change Memory (iPCM)

K. Shiraishi

The 49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference, Catamaran Resort Hotel, San Diego, CA 2018年12月5日招待有り
Theoretical studies on nano-ribbons of group IV two dimensional materials toward future advanced energy materials (keynote)

K. Shiraishi

Advanced Energy Materials World Congress (AEMWC 2018), Stockholm, Sweden 2018年11月4日招待有り
Multi-Physics Simulations of GaN Metal Organic Vapor Phase Epitaxy

K. Shiraishi

8th Annual World Congress of Nano Science &Technology, Kongresshotel Potsdam am Templiner See, Potsdam, Germany 2018年10月24日招待有り
First Principles and Themodynamical Studies on Matel Organic Vaper Phase Epitaxy of Nitride Semiconductor

K. Shiraishi, K. Sekiguchi, H. Shirakawa, K. Chokawa, M. Araidai, Y. Kangawa, K. Kakimoto

XIXth Workshop on The Physics of Semiconductor Devices, New Delhi, India 2017年12月12日招待有り
"Theoretical Studies on Group IV Two Dimensional Material,

K. Shiraishi

Japan-India Seminar, Nagoya, Japan 2017年11月招待有り

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

省エネルギー次世代半導体デバイス開発のための量子論マルチシミュレーション

文部科学省文部科学省研究「富岳」結果創出加速プログラム 2020年4月 - 2023年3月

押山淳, 白石賢二
省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発

文部科学省受託研究 2016年4月 - 2021年3月

天野浩、白石賢二、森勇介、本田善央、芳松克則
IoT推進のための横断技術開発プロジェクト

東芝 NEDO 2016年4月 - 2019年3月

國島巌、白石賢二、富永淳二
縦型BC-MOSFETのデバイス中の伝導現象の理論

科学技術振興機構 ACCEL 2014年4月 - 2019年3月

遠藤哲郎、白石賢二、伊藤公平
新規IV族系二次元物質の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2015年4月 - 2018年3月

白石賢二, 財満鎭明, 宮崎誠一, 中山隆史, 牧原克則, 初貝安弘, 洗平昌晃, 中塚理
新しいヘテロ界面形成による高性能・省エネルギートランジスタの基盤構築

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2013年4月 - 2016年3月

丹羽正昭, 蓮沼隆, 白石賢二, 佐藤創志, 山部紀久夫
ダイヤモンド表面の超高濃度キャリア生成機構の統一的解明と次世代デバイスへの展開

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2012年4月 - 2015年3月

嘉数誠, 白石賢二
超格子や界面層を用いた低電力相変化デバイスの信頼性研究開発

超低電圧デバイス技術研究組合 LEAP 2012年4月 - 2014年3月

白石賢二
ナノデバイスのピコ秒物理の解析による揺らぎ最小化設計指針の開発

科学技術振興機構 CREST 2009年4月 - 2012年3月

大毛利健治白石賢二
ナノワイヤFETの研究開発

経済産業省経済産業省ナノエレクトロニクス半導体新材料･新構造技術開発 2007年4月 - 2011年3月

岩井洋白石賢二
計算量子科学によるナノアーキテクチャーの構築

科学技術振興機構 CREST 2005年4月 - 2010年3月

押山淳白石賢二
III 族窒化物半導体の点欠陥と発光ダイナミックスの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2006年 - 2010年

上殿明良, 秩父重英, 押山淳, 内田和之, 白石賢二
第一原理量子論によるナノデバイス材料・界面の物性予測

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2006年 - 2009年

白石賢二, 押山淳, 村口正和, 岡田晋, 山内淳, 中山隆史, BOERO Mauro, 野村晋太郎, 遠藤哲郎, BERBER Savas
ナノ界面理論の新展開とそのナノデバイスへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2006年 - 2008年

白石賢二, 中山隆史, 押山淳, 岡田晋, 舘野賢, ボエロマウロ, バーバーサバッシュ
シリコンナノ構造酸化の窒素添加による制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2006年 - 2008年

植松真司, 影島博之, 渡邉孝信, 白石賢二, 伊藤公平, 秋山亨
ナノ・バイオ物質における形状と機能の量子デザイン

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2005年 - 2008年

押山淳, 白石賢二, 山内淳, バーバーサヴァッシュ, 内田和之, ボエロマウロ, 岡田晋, 岩田潤一, BOERO Mauro, 岡田晋, 岩田潤一
タンパク質超分子中のプロトン移動機構の電子レベルでの解明

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2006年 - 2007年

BOERO Mauro, 白石賢二, 舘野賢, 重田育照
Ｎａｎｏ－ＣＭＯＳ超低消費電力デバイス技術に関する研究

文部科学省科学技術振興調整費 2003年4月 - 2006年3月

岩井洋白石賢二
ナノ・バイオ物質における形状と機能の量子論:計算物理学的アプローチ

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2004年 - 2006年

押山淳, 白石賢二, BOERO Mauro, 岡田晋
チトクローム酸化酵素におけるプロトンポンプ機構の電子レベルでの解明

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究特定領域研究 2005年 - 2005年

BOERO Mauro, 白石賢二, 押山淳, 岡田晋

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白石賢二

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