鉄クラスターを基にして鉄カルボニル錯体分子をグラファイト表面のテラス上に高分散させて形成させた.加熱をすると鉄カルボニル錯体分子は脱離をせずに表面で分解し,200~350Kにおいて一酸化炭素を放出することが明らかとなった.一酸化炭素の脱離温度は単結晶の鉄表面の場合(450K)に比べて約100Kも低い.これはグラファイトとカルボニル錯体分子との相互作用に起因していると考えられ,特異な一酸化炭素の脱離過程が本研究により明らかとなった.