Papers

2015

Synchrotron radiation photoemission study on oxides formed at Ge(100)2x1 by ambient oxidation

Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan
  • Yoshigoe,Akitaka
    • ,
  • Okada,Ryuta
    • ,
  • Teraoka,Yuden
    • ,
  • Yamada,Yoichi
    • ,
  • Sasaki,Masahiro
Volume
35
Number
0
First page
159
Last page
159
Language
Japanese
Publishing type
Research paper (scientific journal)
DOI
10.14886/sssj2008.35.0_159
Publisher
The Surface Science Society of Japan
GeはSiより優れたキャリアー移動度を有するため、次世代LSIの代替えチャネル材料として注目されている．一般にその酸化物は大気中で不安定と考えられることから、大気中での酸化膜に関する研究が重要となっている．そこで、超高真空中で作成したGe(100)2x1清浄表面を大気に放置した後に形成される表面酸化物を放射光光電子分光によって調べた．超高真空中の酸素ガス導入により形成される酸化物と異なることが明らかにとなった．
Link information
DOI
https://doi.org/10.14886/sssj2008.35.0_159
CiNii Articles
http://ci.nii.ac.jp/naid/130005489084
ID information
  • DOI : 10.14886/sssj2008.35.0_159
  • CiNii Articles ID : 130005489084
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