2016年
Si(111)-(√7×√3)-In表面へのアクセプター分子およびドナー原子の吸着による電子状態、電気伝導変調
表面科学学術講演会要旨集
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- 巻
- 36
- 号
- 0
- 開始ページ
- 350
- 終了ページ
- 350
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- 研究論文(学術雑誌)
- DOI
- 10.14886/sssj2008.36.0_350
- 出版者・発行元
- 公益社団法人 日本表面科学会
In吸着Si(111)表面のSi-(√7×√3)-In構造は約3Kで表面超電導を示すことが注目されてきた。最近、この表面に電子アクセプター性のCuPcを吸着させると超伝導転移温度が上昇することが示された。本研究では、より電子アクセプター性の大きいF16CuPcや、電子ドナー性の高いK原子を吸着させた際の表面構造や表面電子状態、超伝導転移温度をSTMや光電子分光、電気伝導計測を用いて計測した。
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.14886/sssj2008.36.0_350
- CiNii Articles ID : 130005175738