論文

2016年

Si(111)-(√7×√3)-In表面へのアクセプター分子およびドナー原子の吸着による電子状態、電気伝導変調

表面科学学術講演会要旨集
  • 角, 直也
  • ,
  • 長谷川, 友里
  • ,
  • 山田, 洋一
  • ,
  • 佐々木, 正洋
  • ,
  • 吉澤, 俊介
  • ,
  • 内橋, 隆

36
0
開始ページ
350
終了ページ
記述言語
日本語
掲載種別
研究論文(学術雑誌)
出版者・発行元
公益社団法人 日本表面科学会

In吸着Si(111)表面のSi-(√7×√3)-In構造は約3Kで表面超電導を示すことが注目されてきた。最近、この表面に電子アクセプター性のCuPcを吸着させると超伝導転移温度が上昇することが示された。本研究では、より電子アクセプター性の大きいF16CuPcや、電子ドナー性の高いK原子を吸着させた際の表面構造や表面電子状態、超伝導転移温度をSTMや光電子分光、電気伝導計測を用いて計測した。

エクスポート
BibTeX RIS