論文

2014年10月

カーボン被覆フィールドエミッタの電子放射モデルの検討(第3報)(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス
  • 樋口, 敏春
  • ,
  • 佐々木, 正洋
  • ,
  • 堀江, 翔太
  • ,
  • 山田, 洋一
  • ,
  • 松本, 修二
  • ,
  • 福田, 茂樹

114
262
開始ページ
1
終了ページ
6
記述言語
日本語
掲載種別
研究論文(学術雑誌)
出版者・発行元
一般社団法人電子情報通信学会

コーン型シリコンエミッタにカーボンを被覆することにより,エミッション特性は約2桁向上する.我々はエミッション向上機構の解明をめざし,密度汎関数を用いた第一原理計算による検討を進めている.ダイヤモンド(001)-(1x1),ダイヤモンド(001)-(2x1),およびグラファイト(ジグザグ)の仕事関数を調べたところ,水素終端により仕事関数は2.3〜3.6eVに低下した.さらに電界印加により実効仕事関数は1.8〜2.5eVまで低下した.エミッション電流については水素終端により,ダイヤモンド(001)-(1x1)は15桁,ダイヤモンド(001)-(2x1)は6桁,グラファイト(ジグザグ)は6桁も上昇することが分かった.これらの結果より,水素終端はカーボン被膜エミッタのエミッション向上の主要な要因であることが明らかになった.

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