大竹晃浩 (Akihiro Ohtake) - マイポータル

基本情報

所属: 独立行政法人物質・材料研究機構機能性材料研究拠点主幹研究員
: 横浜市立大学大学院国際総合科学研究科客員教授

学位: 工学博士

ORCID iD: https://orcid.org/0000-0002-3519-4613
J-GLOBAL ID: 200901037332506802
Researcher ID: H-2541-2011
researchmap会員ID: 5000003221

研究キーワード

研究分野

経歴

2001年

：独立行政法人物質・材料研究機構研究員
2001年

: Researcher at National Institute for Materials
1996年

：アトムテクノロジー研究体研究員
1996年

: Research Scientist at Joint Research Center for Atom
1994年

：早稲田大学理工学部助手
1994年

: Research Associate, School of Science and Engineering,
Science
Technology
早稲田大学

学歴

論文

114

Anomalous enhancement of thermoelectric power factor in multiple two-dimensional electron gas system

Yuto Uematsu, Takafumi Ishibe, Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Hideki T. Miyazaki, Takeshi Kasaya, Yoshiaki Nakamura

Nature Communications 15(1) 2024年1月16日
Scalable growth of atomically thin MoS2 layers in a conventional MOCVD system using molybdenum dichloride dioxide as the molybdenum source

Xu Yang, Shisheng Li, Naoki Ikeda, Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma

Applied Surface Science 636 157756-157756 2023年11月
Atomic structure of the Se-passivated GaAs(001) surface revisited

Akihiro Ohtake, Takayuki Suga, Shunji Goto, Daisuke Nakagawa, Jun Nakamura

Scientific Reports 13(1) 2023年10月24日
Low Dark Current Operation in InAs/GaAs(111)A Infrared Photodetectors: Role of Misfit Dislocations at the Interface

Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Takuya Kawazu, Hideki T. Miyazaki, Yoshiki Sakuma

ACS Applied Materials & Interfaces 15(24) 29636-29642 2023年6月7日
Fabrication of Lattice-Mismatched MoTe₂/MoSe₂ Heterostructures using Molecular-Beam Epitaxy

Akihiro Ohtake, Xu Yang

Crystal Growth & Design 23(7) 5001-5007 2023年6月6日
Structure and morphology of 2H-MoTe2 monolayer on GaAs(111)B grown by molecular-beam epitaxy

Akihiro Ohtake, Xu Yang, Jun Nara

npj 2D Materials and Applications 6(1) 2022年12月
Annealing-Induced Structural Evolution of InAs Quantum Dots on InP (111)A Formed by Droplet Epitaxy

Takaaki Mano, Akihiro Ohtake, Neul Ha, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Takashi Kuroda, Kazuaki Sakoda

Crystal Growth & Design 21(7) 3947-3953 2021年7月7日
Two-Dimensional WSe₂/MoSe₂ Heterostructures Grown by Molecular-Beam Epitaxy

Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma

The Journal of Physical Chemistry C 125(20) 11257-11261 2021年5月27日
Polarization Anisotropies in Strain-Free, Asymmetric, and Symmetric Quantum Dots Grown by Droplet Epitaxy

marco abbarchi, Takaaki MANO, TAKASHI KURODA, Akihiro Ohtake, Kazuaki SAKODA

Nanomaterials 2021年2月
Strain relaxation in InAs heteroepitaxy on lattice-mismatched substrates

Akihiro Ohtake, Takaaki Mano, Yoshiki Sakuma

Scientific Reports 10(1) 2020年12月
Effect of Substrate Orientation on MoSe₂/GaAs Heteroepitaxy

Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma

The Journal of Physical Chemistry C 124(9) 5196-5203 2020年3月5日
Heteroepitaxy of MoSe <inf>2</inf> on Si(111) substrates: Role of surface passivation

Ohtake A, Sakuma Y

Applied Physics Letters 114(5) 2019年査読有り
Atomic structure and passivated nature of the Se-treated GaAs(111)B surface

Akihiro Ohtake, Shunji Goto, Jun Nakamura

Scientific Reports 8(1) 1220 2018年12月1日査読有り
Strain Relaxation in GaSb/GaAs(111)A Heteroepitaxy Using Thin InAs Interlayers

Akihiro Ohtake, Takaaki Mano, Kazutaka Mitsuishi, Yoshiki Sakuma

ACS Omega 3(11) 15592-15597 2018年11月16日
Evolution of Surface and Interface Structures in Molecular-Beam Epitaxy of MoSe2 on GaAs(111)A and (111)B

Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma

CRYSTAL GROWTH & DESIGN 17(1) 363-367 2017年1月査読有り
Growth of Metamorphic InGaAs on GaAs (111)A: Counteracting Lattice Mismatch by Inserting a Thin InAs Interlayer

Takaaki Mano, Kazutaka Mitsuishi, Neul Ha, Akihiro Ohtake, Andrea Castellano, Stefano Sanguinetti, Takeshi Noda, Yoshiki Sakuma, Takashi Kuroda, Kazuaki Sakoda

CRYSTAL GROWTH & DESIGN 16(9) 5412-5417 2016年9月査読有り
First-principles study of locally disordered structures of Mn-induced GaAs(001)-(2 x 2) surface

Akira Akaishi, Kenta Funatsuki, Akihiro Ohtake, Jun Nakamura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(8) 2016年8月査読有り
Mn-Induced Surface Reconstructions on GaAs(001)

Akihiro Ohtake, Atsushi Hagiwara, Kazuya Okukita, Kenta Funatsuki, Jun Nakamura

JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C 120(11) 6050-6062 2016年3月査読有り
Size-dependent line broadening in the emission spectra of single GaAs quantum dots: Impact of surface charge on spectral diffusion

Neul Ha, Takaaki Mano, Ying-Lin Chou, Yu-Nien Wu, Shun-Jen Cheng, Juanita Bocquel, Paul M. Koenraad, Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda …

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics 92(7) 2015年8月10日査読有り
Size-dependent line broadening in the emission spectra of single GaAs quantum dots: Impact of surface charge on spectral diffusion

Neul Ha, Takaaki Mano, Ying-Lin Chou, Yu-Nien Wu, Shun-Jen Cheng, Juanita Bocquel, Paul M. Koenraad, Akihiro Ohtake, Yoshiki Sakuma, Kazuaki Sakoda …

PHYSICAL REVIEW B 92(7) 2015年8月査読有り

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MISC

Si(111)上でのGaSbヘテロエピタキシーとHfO₂/GaSb MOSキャパシタの作製

大竹晃浩, 間野高明, 宮田典幸, 森貴洋, 安田哲二

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.19P-PB5-14 2014年9月1日
Si(001)上のGaSbナノコンタクトヘテロエピ成長とHfO₂/GaSb MOS特性

宮田典幸, 大竹晃浩, 市川昌和, 森貴洋, 安田哲二

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.20A-PA3-7 2014年9月1日
GaSb(100)‐c(2x6)表面に形成したHfO₂MOSキャパシタの電気特性

宮田典幸, 大竹晃浩, 市川昌和, 安田哲二

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 60th ROMBUNNO.29P-PB1-15 2013年3月11日
26pPSB-36 Mn吸着(2×2)-GaAs(001)表面構造および電子状態(26pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

菅野雄介, 大竹晃浩, 中村淳

日本物理学会講演概要集 67(1) 964-964 2012年3月5日
23pPSB-7 GaAs(001)-(2×2)Mn表面の原子配列と電子状態評価(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

菅野雄介, 大竹晃浩, 平山基, 中村淳

日本物理学会講演概要集 66(2) 946-946 2011年8月24日
InGaAs表面の亜セレン酸溶液処理によるMISFET特性改善

卜部友二, 安田哲二, 宮田典幸, 前田辰郎, 大竹晃浩, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 横山正史, 田岡紀之 …

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 72nd ROMBUNNO.1P-Q-8 2011年8月16日
Relationships between interface structures and electrical properties in the high-κ/III-V system

Tetsuji Yasuda, Noriyuki Miyata, Yuji Urabe, Hiroyuki Ishii, Taro Itatani, Hideki Takagi, Hisashi Yamada, Noboru Fukuhara, Masahiko Hata, Akihiro Ohtake …

Materials Research Society Symposium Proceedings 1194 53-64 2010年10月15日
InGaAs(001)表面再配列構造とHfO₂/InGaAs界面特性

大竹晃浩, 宮田典幸, 卜部友二, 安田哲二

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 71st ROMBUNNO.14A-ZQ-5 2010年8月30日
23aWS-9 Sb安定化GaSb(001)-(2x5)表面の原子配列(23aWS 表面界面構造(半導体),領域9(表面・界面,結晶成長))

大竹晃浩, 平山基, 中村淳

日本物理学会講演概要集 65(2) 838-838 2010年8月18日
High-k/III-V界面の組成・構造とMIS特性との関係(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

安田哲二, 宮田典幸, 卜部友二, 石井裕之, 板谷太郎, 前田辰郎, 山田永, 福原昇, 大竹晃浩, 星井拓也 …

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(90) 49-54 2010年6月15日
III‐VチャネルのMIS特性におけるバルク物性と界面構造の影響

安田哲二, 宮田典幸, 石井裕之, 板谷太郎, 山田永, 福原昇, 秦雅彦, 大竹晃浩, 竹中充, 高木信一

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 56th(2) 838 2009年3月30日
高性能III‐V MISFETに向けた界面制御技術

宮田典幸, 石井裕之, 板谷太郎, 安田哲二, 大竹晃浩, 山田永, 福原昇, 秦雅彦

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 56th 156 2009年3月30日
Ge/GaAs(001)ヘテロエピタキシーにおける成長異方性

大竹晃浩, 安田哲二, 宮田典幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集 69th(1) 362 2008年9月2日
InGaAs上へのAl₂O₃のALD成長による良好なMIS界面特性の実現

安田哲二, 宮田典幸, 石井裕之, 板谷太郎, 市川磨, 福原昇, 秦雅彦, 大竹晃浩, 灰本隆志, 星井拓也 …

応用物理学会学術講演会講演予稿集 69th(2) 719 2008年9月2日
23aXB-1 GaAs(001)-(2×4)-Sb吸着構造の再検討(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

大竹晃浩, 平山基, 中村淳, 名取晃子

日本物理学会講演概要集 63(2) 849-849 2008年8月25日
3-5チャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術 (シリコン材料・デバイス)

安田哲二, 宮田典幸, 大竹晃浩

電子情報通信学会技術研究報告 108(80) 41-46 2008年6月9日
III‐VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術

安田哲二, 宮田典幸, 大竹晃浩

電子情報通信学会技術研究報告 108(80(SDM2008 42-57)) 41-46 2008年6月2日
HfO₂/GaAs界面特性改善に向けたGe層挿入効果の検討

安田哲二, 宮田典幸, 大竹晃浩

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 55th(2) 859 2008年3月27日
GaAs(001)‐(1×2)‐Ge吸着構造

大竹晃浩, 奈良純, 安田哲二, 宮田典幸

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 55th(1) 442 2008年3月27日
High‐k/III‐V界面構造における初期表面再構成の影響

宮田典幸, 大竹晃浩, 安田哲二

応用物理学会学術講演会講演予稿集 68th(2) 824 2007年9月4日

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

格子不整合界面における欠陥を利用した新原理赤外センサー素子に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2024年4月 - 2028年3月

間野高明, 川津琢也, 宮崎英樹, 石田暢之, 大竹晃浩
カルコゲナイド系層状物質の高品質ヘテロ積層構造：ＭＢＥ法による成長技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2023年4月 - 2026年3月

大竹晃浩
液滴エピタキシー法による理想的な量子ドットの自己形成

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2013年4月 - 2016年3月

間野高明, 黒田隆, 大竹晃浩
Ⅲ‐Ⅴ族ｐチャネルＭＯＳＦＥＴのための価電子帯エンジニアリングと界面双極子制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2012年4月 - 2015年3月

安田哲二, 前田辰郎, 宮田典幸, 大竹晃浩, 奈良純, 藤代博記, 市川昌和, 田中正俊
原子状窒素により処理された化合物半導体表面構造の検討

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2010年 - 2012年

大竹晃浩
Mn-GaAs系二次元構造制御による新奇強磁性物質の創製と磁性発現機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2010年 - 2012年

中村淳, 大竹晃浩
high-k絶縁膜／化合物半導体界面制御

2006年 - 2012年
化合物半導体の表面構造解析

1997年
半導体ヘテロ接合界面形成の動的過程評価

日本学術振興会科学研究費助成事業奨励研究(A) 1995年 - 1995年

大竹晃浩
1. Surface structure analysis of compound semiconductors 2. Crystal Growth mechanism of compound semiconductor thin films

産業財産権

特許第6241939号デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス

間野高明, 三石和貴, 野田武司, 大竹晃浩, ハヌル
特許第6153224号表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外線検出デバイス

大竹晃浩, 間野高明, 宮田典幸, 安田哲二
特開2015-162605 デバイス作製用基板、その製造方法及び近赤外線発光デバイス

間野高明, 三石和貴, 野田武司, 大竹晃浩, ハヌル
特開2015-061025 表面の平坦性および結晶構造の完全性に優れたGaSb/InAs/Si(111)構造とその形成方法、並びにその構造を用いたMOSデバイスおよび赤外線検出デバイス

大竹晃浩, 間野高明, 宮田典幸, 安田哲二
特許第5599089号半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法

秦雅彦, 福原昇, 山田永, 高木信一, 杉山正和, 竹中充, 安田哲二, 宮田典幸, 板谷太郎, 石井裕之, 大竹晃浩, 奈良純
特開2010-161349 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体基板、および半導体基板の製造方法

秦雅彦, 福原昇, 山田永, 高木信一, 杉山正和, 竹中充, 安田哲二, 宮田典幸, 板谷太郎, 石井裕之, 大竹晃浩, 奈良純
特許第3111233号半導体製造用活性種生成装置

木村康三, 三輪司郎, 郭立信, 安田哲二, 大竹晃浩, 八百隆文
特開平10-256156 半導体製造用活性種生成装置

木村康三, 三輪司郎, 郭立信, 安田哲二, 大竹晃浩, 八百隆文

大竹晃浩

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論文

MISC

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

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