キクの新品種を育成するため、キクのプロトプラストにイオンビームを照射して再生させた植物の変異解析を行うとともに、有用系統の選抜を行った。'秀芳の力'の葉からプロトプラストを単離してイオンビームを照射し、プロトプラストからのカルス形成率を調べたところ、カルス半致死線量は4He（2＋）イオンで4.9Gy、12C（5＋）イオンで3.3Gyであった。また再生植物の特性調査から、1.12C（5＋）イオンの照射により舌状花弁数及び開花日の変異幅は拡大し、2.4He（2＋）、12C（5＋）イオンの照射により花型変異率がイオン無照射と比較して2倍以上になり、3.4He（2＋）、12C（5＋）イオンの照射により0.4-2.2％の頻度で花色変異体が出現し、4.花弁や葉の形態、葉の毛じ量等の様々な形質で変異が生じる、ことが明らかとなった。最終的に再生植物660個体の中から花弁数が有意に多い1個体、'福岡1号'を選抜した。