林伸行 (Nobuyuki Hayashi) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 旧所属久留米工業大学教授

学位: 理学博士

J-GLOBAL ID: 200901017181159462
researchmap会員ID: 5000005594

経歴

5

1962年 - 1999年

：通産省工技院電子技術総合研究所
1962年 - 1999年

: Electrotechnical Laboratory
1999年

- ：法政大学イオンビーム工学研究所
1999年

- Hosei University
国立研究開発法人産業技術総合研究所

学歴

2

MISC

9

Iron Clustering and the Magnetic Properties in α-Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf> Crystals after Iron Implantation to High Doses

N. Hayashi, I. Sakamoto, H. Tanoue, H. Wakabayashi, T. Toriyama

Hyperfine Interactions 141-142(1-4) 163-168 2002年6月28日
Single-crystal niobium nitride thin films prepared with radical beam assisted deposition

N. Hayashi, I. H. Murzin, I. Sakamoto, M. Ohkubo

Thin Solid Films 259(2) 146-149 1995年4月15日
半導体製造におけるイオンビーム技術の将来性

日本ビジネスレポート
Embedded Iron Nano-clusters Prepared by Fe Ion Implantation and GMR Property

Proc. ITT 200 (IEEE OOEX432, 2001)P, 781
Structural and Magnetic Properties of Fe Ion Implanted Al₂O₃

Nulear Instrum. 2Methods, B148(1999)
Ion-beam induced recrystallization in Si (100) Studied with slow position annihilation & RBS Channeling

Phys. Deview Letters, vol.70 (no.1), 1993
Embedded Iron Nano-clusters Prepared by Fe Ion Implantation and GMR Property

Proc. ITT 200 (IEEE OOEX432, 2001)P, 781
Structural and Magnetic Properties of Fe Ion Implanted Al2O3

Nuclear Instrum. 2Methods, B148(1999)
Ion-beam induced recrystallization in Si (100) Studied with slow position annihilation & RBS Channeling

Phys. Deview Letters, vol.70 (no.1), 1993

所属学協会

5

共同研究・競争的資金等の研究課題

2

産業財産権

2