佐藤政孝 (Masataka Satou) - マイポータル

基本情報

J-GLOBAL ID: 200901027031373321
researchmap会員ID: 5000005596

経歴

1995年 - 2002年

法政大学イオンビーム工学研究所助教授
2002年

- 法政大学イオンビーム工学研究所教授（現在に至る）
1994年 - 1996年

法政大学工学部電気電子工学科非常勤講師（「電気回路演習」担当）
1996年

- 法政大学工学部電気電子工学科講師（「電気電子材料工学」担当）（現在に至る）
1992年 - 1995年

法政大学専任講師（「物理学実験」担当）
1989年 - 1991年

法政大学イオンビーム工学研究所助手
法政大学イオンビーム工学研究所イオンビーム工学研究所, 教授

MISC

101

Recrystallization process of phosphorus ion implanted 4H–SiC(1 1 2 −0)

SATOH M, HITOMI T, SUZUKI T

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 242(1-2) 627-629 2006年1月
Recrystallization process of phosphorus ion implanted 4H-SiC(112-0)

M Satoh, T Hitomi, T Suzuki

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 242(1-2) 627-629 2006年1月
φ100mm用EBAS（電子衝撃アニール装置）の開発と基礎特性の評価

第52回応用物理学関係連合講演会 31a-YK-1 2005年
電子衝撃アニール装置（EBAS）によるAl＋高温注入４H-SiCアニール特性の評価

第52回応用物理学関係連合講演会 31a-YK-2 2005年
高濃度イオン注入４H-SiC(11-20)における電気特性のドーズ依存性

第52回応用物理学関係連合講演会 31a-YK-5 2005年
Siイオン注入GaN-MESFETの最大ドレイン電流特性の熱処理温度依存性

第52回応用物理学関係連合講演会 1p-S-4 2005年
金属・３C-SiC接触の電気特性の評価

第52回応用物理学関係連合講演会 30p-YK-22 2005年
SiC中のイオン注入欠陥の低温アニール特性

第65回応用物理学会学術講演会 4a-K-6 2004年
電子衝撃アニール装置（EBAS）によるP(燐)注入４H-SiCアニール特性の評価

応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第13回講演会 P-18 2004年
SiC中のイオン注入欠陥の低温アニール特性

応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第13回講演会 P-22 2004年
3C-SiCへのNiオーミックコンタクトの形成

応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第13回講演会 P-28 2004年
３C-SiC(100)に形成したイオン注入層の評価

応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第13回講演会 P-48 2004年
Development of the Novel Electron Bombardment Annealing System (EBAS) for SiC Post Ion Implantation Anneal

Materials Science Forum 483-485 609-612 2004年
Development of the Novel Electron Bombardment Annealing System (EBAS) for SiC Post Ion Implantation Anneal

Materials Science Forum 483-485 609-612 2004年
Electrical properties of the regrown implantation-induced amorphous layer on (1 (1)over-bar-0 0)- and (1 1 (2)over-bar-0)-oriented 6H-SiC

T Nakamura, H Tanabe, T Hitomi, M Satoh

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 206 956-959 2003年5月
4H-SiC(11-20)に形成した高濃度イオン注入層の評価

第50回応用物理学会関係連合講演会 29a-ZB-7 2003年
Alイオン注入４H-SiC(11-20)の評価

第64回応用物理学会学術講演会 1p-B-16 2003年
Study of Phosphorus Implanted 4H-SiC(11-20)

2003 Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials TuP2-11 2003年
PtSi/4H-SiCショットキーダイオードの評価

応用物理学会SiC及びワイドギャップ半導体研究会第12回講演会 P-23 2003年
O2プラズマ酸化SiCのPOA効果

応用物理学会SiC及びワイドギャップ半導体研究会第12回講演会 P-31 2003年

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書籍等出版物

半導体SiC技術と応用

日刊工業新聞社 2003年

所属学協会

応用物理学会会員