2010年8月19日
相変化材料を用いた導波路型光ゲートスイッチにおけるスイッチング動作
電子情報通信学会技術研究報告
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- 巻
- 110
- 号
- 181(LQE2010 24-60)
- 開始ページ
- 127
- 終了ページ
- 130
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- 出版者・発行元
- 一般社団法人電子情報通信学会
膜厚が1μmと20nmの相変化材料(Ge_2Sb_2Te_5)薄膜を有する光ゲートスイッチを設計・試作し,光パルス照射によるスイッチング動作に初めて成功した.厚膜型ゲートスイッチでは,波長1525nmから1600nmにおいてONからOFFへの一方向スイッチングを観測し,12.5dB以上の消光比を得た.薄膜型ゲートスイッチでは,二回のON/OFF/ON動作を観測し,出力光強度変化は一回目のON/OFF/ONにおいて14.3dB及び7.7dB,二回目のON/OFF/ONにおいて7.4dB及び4.4dBであった.結晶化光パルスはパルス幅453ns,ピークパワー63mW,アモルファス化光パルスはパルス幅10ns,ピークパワー150mWであり,それらの波長は660nmである.
- リンク情報
- ID情報
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- ISSN : 0913-5685
- J-Global ID : 201002255448453368
- CiNii Articles ID : 110008094841
- CiNii Books ID : AN10012932