右田真司 (Shinji Migita) - マイポータル

基本情報

所属: 国立研究開発法人産業技術総合研究所デバイス技術研究部門総括研究主幹

J-GLOBAL ID: 200901057145521092
researchmap会員ID: 5000005903

外部リンク: http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=S69802894

研究分野

論文

180

Excess Oxygen Modulation Through Channel Thickness Scaling and Annealing Ambient for AlOx-Passivated Ultrathin InOx FETs

Chia-Tsong Chen, Kasidit Toprasertpong, Toshifumi Irisawa, Wen Hsin Chang, Shinji Migita, Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Tatsuro Maeda

IEEE Journal of the Electron Devices Society 2025年
Development of ferroelectricity with crystallographic phase transformation in Hf_0.5Zr_0.5O₂ thin films upon initial stimulation of an electric field exceeding the coercive field

Yukinori Morita, Takashi Onaya, Shutaro Asanuma, Hiroyuki Ota, Shinji Migita

Japanese Journal of Applied Physics 63(4) 04SP53-04SP53 2024年4月1日
Impact of annealing on electric and elastic properties of 10-nm Hf<inf>0.5</inf>Zr<inf>0.5</inf>O<inf>2</inf> films prepared on Si by sputtering

Leonid Bolotov, Shinji Migita, Ryouta Fujio, Manabu Ishimaru, Shogo Hatayama, Noriyuki Uchida

Microelectronic Engineering 258 2022年4月
Enhancement of ferroelectricity in sputtered HZO thin films by catalytically generated atomic hydrogen treatment

Mohit Mohit, Yuli Wen, Yuki Hara, Shinji MIGITA, Hiroyuki OTA, Yukinori Morita, Keisuke OHDAIRA, Eisuke TOKUMITSU

Japanese Journal of Applied Physics 2022年3月3日
Impact of reduced pressure crystallization on ferroelectric properties in hafnium-zirconium dioxide films deposited by sputtering

Yuki Hara, Mohit, Tatsuya Murakami, Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita, Eisuke Tokumitsu

Japanese Journal of Applied Physics 60 2021年11月1日
Investigation of the wake-up process and time-dependent imprint of Hf<inf>0.5</inf>Zr<inf>0.5</inf>O<inf>2</inf> film through the direct piezoelectric response

Kenshi Takada, Mikio Murase, Shinji Migita, Yukinori Morita, Hiroyuki Ota, Norifumi Fujimura, Takeshi Yoshimura

Applied Physics Letters 119(3) 2021年7月19日査読有り
Accelerated ferroelectric phase transformation in HfO2/ZrO2nanolaminates

Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Shutaro Asanuma, Yukinori Morita, Akira Toriumi

Applied Physics Express 14(5) 2021年5月1日
Thermal stability of ferroelectricity in hafnium-zirconium dioxide films deposited by sputtering and chemical solution deposition for oxide-channel ferroelectric-gate transistor applications

Mohit, Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Yukinori Morita, Eisuke Tokumitsu

Applied Physics Express 14(4) 2021年4月1日
Lateral variations of the surface electric potential and elastic stiffness of ultrathin Hf0.5Zr0.5O2films on silicon

Leonid Bolotov, Noriyuki Uchida, Shinji Migita

AIP Advances 11(1) 2021年1月1日
Device simulation of negative-capacitance field-effect transistors with a uniaxial ferroelectric gate insulator

Junichi Hattori, Tsutomu Ikegami, Koichi Fukuda, Hiroyuki Ota, Shinji Migita, Hidehiro Asai

IEICE NONLINEAR THEORY AND ITS APPLICATIONS 11(2) 145-156 2020年査読有り
Impact of gate stack design on improving subthreshold swing behaviors in ferroelectric-gate field-effect transistors

Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Akira Toriumi, Takashi Matsukawa

2019 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application, VLSI-TSA 2019 2019年4月1日
Microstructural Change in Crystal Grains during Phase Transformation of Hf-Zr-O Ferroelectric Thin Films

Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Keisuke Shibuya, Hiroyuki Yamada, Akihito Sawa, Takashi Matsukawa, A. Toriumi

2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2019 65-67 2019年3月1日
Assessment of Steep-Subthreshold Swing Behaviors in Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistors Caused by Positive Feedback of Polarization Reversal

Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Akira Toriumi

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2018- 31.4.1-31.4.4 2019年1月16日
Multidomain Dynamics of Ferroelectric Polarization and its Coherency-Breaking in Negative Capacitance Field-Effect Transistors

Hiroyuki Ota, Tsutomu Ikegami, Koichi Fukuda, Junichi Hattori, Hidehiro Asai, Kazuhiko Endo, Shinji Migita, Akira Toriumi

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2018-December 9.1.1-9.1.4 2019年1月16日査読有り
Ferroelectric films by physical vapor deposition and ion implantation

Akira Toriumi, Lun Xu, Shigehisa Shibayama, Shinji Migita

Ferroelectricity in Doped Hafnium Oxide: Materials, Properties and Devices 103-125 2019年1月1日
Design points of ferroelectric field-effect transistors for memory and logic applications as investigated by metal-ferroelectric-metal-insulator-semiconductor gate stack structures using Hf0.5Zr0.5O2 films

Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Akira Toriumi

Japanese Journal of Applied Physics 58 2019年
Phase transformation behavior of ultrathin Hf0.5Zr0.5O2 films investigated through wide range annealing experiments

Shinji Migita, Hiroyuki Ota, Keisuke Shibuya, Hiroyuki Yamada, Akihito Sawa, Takashi Matsukawa, Akira Toriumi

Japanese Journal of Applied Physics 58 2019年
Elastic Response of 10-nm Insulator Films Measured by Dynamic Indentation for Nano-scale Electron Device Fabrication

Leonid Bolotov, Noriyuki Uchida, Wen Hsin Chang, Tatsuro Maeda, Shinji Migita

2019 SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW) 47-48 2019年
Multidomain Dynamics of Ferroelectric Polarization and its Coherency-Breaking in Negative Capacitance Field-Effect Transistors

Hiroyuki Ota, Tsutomu Ikegami, Koichi Fukuda, Junichi Hattori, Hidehiro Asai, Kazuhiko Endo, Shinji Migita, Akira Toriumi

2018 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM) 2018年12月査読有り
Device Simulation of Negative-Capacitance Field-Effect Transistors with a Ferroelectric Gate Insulator

Junichi Hattori, Tsutomu Ikegami, Koichi Fukuda, Hiroyuki Ota, Shinji Migita, Hidehiro Asai

International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2018-September 214-219 2018年11月28日

もっとみる

MISC

104

Higher-kに向けたHfO₂/ZrO₂/HfO₂超格子MOS構造のアニール指針

神岡武文, 右田真司, 松川貴, 岡田直也, 太田裕之

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 85th 2024年
TFETの短チャネル効果と界面ポテンシャル

福田浩一, 浅井栄大, 服部淳一, 森貴洋, 森田行則, 昌原明植, 右田真司, 太田裕之, 遠藤和彦, 松川貴

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th ROMBUNNO.21p‐PB3‐1 2018年9月5日
等電子トラップ技術による相補型TFET回路の特性向上

森貴洋, 浅井栄大, 服部淳一, 福田浩一, 大塚慎太郎, 森田行則, 大内真一, 更田裕司, 右田真司, 水林亘 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.16p‐412‐1 2017年3月1日
IoT応用に向けたフィン型トンネルFETによるCMOSインバーターの形成

森田行則, 福田浩一, LIU Y. X, 森貴洋, 水林亘, 大内真一, 更田裕司, 大塚慎太郎, 右田真司, 昌原明植 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 64th ROMBUNNO.16p‐412‐3 2017年3月1日
招待講演等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上 (シリコン材料・デバイス)

森貴洋, 浅井栄大, 服部淳一, 福田浩一, 大塚慎太郎, 森田行則, 大内真一, 更田裕司, 右田真司, 水林亘 …

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(448) 1-4 2017年1月30日
FinFET寄生抵抗ばらつきの解析:エクステンションドーピング条件の影響

松川貴, 森貴洋, 森田行則, 大塚慎太郎, LIU Y, 大内真一, 更田裕司, 右田真司, 昌原明植

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th ROMBUNNO.13p‐B13‐6 2016年9月1日
等電子トラップを導入したTFETのばらつき評価

森貴洋, 右田真司, 福田浩一, 浅井栄大, 森田行則, 水林亘, LIU Y, 大内真一, 更田裕司, 大塚慎太郎 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th ROMBUNNO.13p‐B13‐1 2016年9月1日
急速加熱処理が低温成長Ge薄膜の構造に与える影響

大塚慎太郎, 森貴洋, 森田行則, 内田紀行, LIU Y, 大内真一, 更田裕司, 右田真司, 昌原明植, 松川貴

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th ROMBUNNO.16a‐B10‐8 2016年9月1日
招待講演多結晶シリコンFinFETを用いたSRAM PUFとその性能評価 (シリコン材料・デバイス)

大内真一, 柳永勛, 堀洋平, 入沢寿史, 更田裕司, 森田行則, 右田真司, 森貴洋, 中川格, 塚田順一 …

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(172) 83-87 2016年8月1日
トンネルFETのデバイスモデリング

福田浩一, 森貴洋, 森田行則, 水林亘, 昌原明植, 右田真司, 太田裕之

電子情報通信学会論文誌 C(Web) J99-C(5) 173‐181 (WEB ONLY) 2016年5月1日
平行電界型トンネルFETのTCADでの検討

福田浩一, 森田行則, 森貴洋, 水林亘, 昌原明植, 右田真司, 太田裕之

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd ROMBUNNO.20P-S422-9 2016年3月3日
FinFETエクステンションへの注入イオン種とGIDLの関係

松川貴, 大塚慎太郎, 森貴洋, 森田行則, LIU Y, 大内真一, 更田裕司, 右田真司, 昌原明植

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd ROMBUNNO.20A-S422-6 2016年3月3日
p型トンネルトランジスタにおけるNBTI劣化の解析

水林亘, 森貴洋, 福田浩一, 石川由紀, 森田行則, 右田真司, 太田裕之, LIU Y, 大内真一, 塚田順一 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd ROMBUNNO.20P-S422-15 2016年3月3日
結晶シリコンチャネルFinFETと集積可能な多結晶シリコンチャネルFinFETを用いた高信頼・コンパクトなPUF回路とその評価方法

大内真一, LIU Y.X, 堀洋平, 入沢寿史, 更田裕司, 森田行則, 右田真司, 森貴洋, 中川格, 塚田順一 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd ROMBUNNO.20A-S422-4 2016年3月3日
DCマグネトロンスパッタによるSi(001)基板上へのGe薄膜の形成

大塚慎太郎, 森貴洋, 森田行則, 内田紀行, LIU Y, 大内真一, 更田裕司, 右田真司, 昌原明植, 松川貴

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 63rd ROMBUNNO.21P-P17-6 2016年3月3日
SiGe/Siヘテロトンネル構造の導入による多層チャネルフィン型トンネルFETの形成

森田行則, 福田浩一, 森貴洋, 水林亘, 右田真司, 遠藤和彦, 大内真一, LIU Y.X, 昌原明植, 松川貴 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th ROMBUNNO.16A-1C-2 2015年8月31日
エクステンションへのイオン注入に起因するFinFETのGIDL

松川貴, LIU Y, 大塚慎太郎, 森貴洋, 森田行則, 大内真一, 更田裕司, 右田真司, 昌原明植

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th ROMBUNNO.15P-1C-9 2015年8月31日
IoT応用に向けた相補型SiトンネルFinFET技術

森田行則, 森貴洋, 福田浩一, 水林亘, 右田真司, 遠藤和彦, 松川貴, 大内真一, 柳永勛, 昌原明植 …

半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 = Proceedings of Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology 79 65-68 2015年7月9日
n型トンネルトランジスタにおけるPBTI劣化の解析

水林亘, 森貴洋, 福田浩一, LIU Y, 松川貴, 石川由紀, 遠藤和彦, 大内真一, 塚田順一, 山内洋美 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd ROMBUNNO.12A-P13-2 2015年2月26日
トンネルFETのモデリング

福田浩一, 森貴洋, 水林亘, 森田行則, 昌原明植, 安田哲二, 右田真司, 太田裕之

電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM) 2015 ROMBUNNO.CI-4-1 2015年2月24日

もっとみる

共同研究・競争的資金等の研究課題

HfO2系強誘電体の分極揺らぎの制御による新奇物性の探索

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2020年4月 - 2023年3月

浅沼周太郎, 武貞正樹, 森田行則, 太田裕之, 右田真司, 齊藤雄太
強誘電体分極ダイナミクスを利用した急峻スイッチトランジスタの基盤技術構築

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2020年4月 - 2023年3月

徳光永輔, 藤村紀文, 森田行則, 太田裕之, 右田真司
高誘電体をゲートに用いたトランジスタの高性能化

右田真司

基本情報

研究分野

論文

MISC

共同研究・競争的資金等の研究課題

メニュー

共著者の一覧