山口博隆 (Hirotaka Yamaguchi) - マイポータル

基本情報

所属: 独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門低温物理グループ

J-GLOBAL ID: 200901039649466140
researchmap会員ID: 5000006222

外部リンク: http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=H97233567

MISC

In-situ observation of SiC bulk single crystal growth by XRD system

T Kato, S Nishizawa, H Yamaguchi, K Arai

JOURNAL OF RARE EARTHS 24(2) 49-53 2006年3月
Structure analysis of mutually incommensurate composite crystal (Ca0.5Y0.5)(0.80)CuO2

Y Gotoh, Yamaguchi, I, S Takeya, H Fujihisa, K Honda, T Ito, K Oka, H Yamaguchi

JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS 408 1226-1229 2006年2月
Correlation between modulation structure and electronic inhomogeneity on Pb-doped Bi-2212 single crystals

A Sugimoto, S Kashiwaya, H Eisaki, H Yamaguchi, K Oka, H Kashiwaya, H Tsuchiura, Y Tanaka

PHYSICA C-SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS 426(1) 390-395 2005年10月
Effects of hole-doping on the magnetic ground state and excitations in the edge-sharing CuO2 chains of Ca2+xY2-xCu5O10

PHYSICAL REVIEW B 71 104414- 2005年
Charge-density-wave ordering in the metal-insulator transition compound PrRu4P12

CH Lee, H Matsuhata, H Yamaguchi, C Sekine, K Kihou, T Suzuki, T Noro, Shirotani, I

PHYSICAL REVIEW B 70(15) 153105-153108 2004年10月
Influence of growth conditions on basal plane dislocation in 4H-SiC epitaxial layer

T Ohno, H Yamaguchi, S Kuroda, K Kojima, T Suzuki, K Arai

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 271(1-2) 1-7 2004年10月
Direct observation of dislocations propagated from 4H-SiC substrate to epitaxial layer by X-ray topography

T Ohno, H Yamaguchi, S Kuroda, K Kojima, T Suzuki, K Arai

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 260(1-2) 209-216 2004年1月
Superspace group description of single composite crystal (Ca0.5Y0.5)(0.80)CuO2

Y Gotoh, Y Takahashi, J Akimoto, Yamaguchi, I, T Ito, K Oka, H Yamaguchi

PHYSICA B-CONDENSED MATTER 329 985-987 2003年5月
昇華法によるSiC単結晶成長 -数値解析の活用-

電子情報通信学会論文誌C編 J86(C4) 334-341 2003年
昇華法によるSiC単結晶成長とその場観察

西澤伸一, 山口博隆, 加藤智久, 小柳直樹, 木藤泰男, 荒井和雄

日本結晶成長学会誌 29(5) 431-438 2003年
Replication of Defects from 4H-SiC Wafer to Epitaxial Layer

MATERIAL SCIENCE FORUM 389-393 447-450 2002年
Traveling solvent floating-zone growth and reduction condition optimization of Nd2-xCexCuO4 single crystals

H Shibata, K Oka, S Kashiwaya, H Yamaguchi

PHYSICA C 357 363-366 2001年8月
Crystal growth of Ca2+xY2-xCu5O10 with edge-sharing CuO2 chains by the traveling-solvent floating-zone method

K Oka, H Yamaguchi, T Ito

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 229(1) 419-422 2001年7月
Charge dynamics of doped holes in one-dimensional S=1 Haldane-gap system Y2-xCaxBaNiO5

PHYSICAL REVIEW B 64(6) 060401(R)-1-060401(R)-41 2001年
Magnetic excitations from the edge-sharing CuO2 chains in Ca2Y2Cu5O10

PHYSICAL REVIEW B 63 180403-180406 2001年