基本情報

学位
工学修士(東京大学)
工学博士(東京大学)

研究者番号
50017365
J-GLOBAL ID
200901051148985237
researchmap会員ID
5000015309

外部リンク

1966年-1971年(東京大学)
1. 高速光・電気デジタル結合素子
1971年- (電気通信大学)
2. グラファイトの電子状態
3. 化合物半導体へのイオン注入: 欠陥評価, 界面相互拡散, 物性制御
4. SiへのCイオン注入によるSiC作製
5. BP結晶の気相成長
6. 熱電半導体の開発
7. MBE低温成長GaAsの物性評価 (フランホーファ応用固体物理研究所,フライブルグ)
8. 希土類ドープ半導体の発光
9. 希土類ドープシリコンの発光, シリコンフォトニクス
10. 気相成長ダイヤモンド: 核成長メカニズム, 半導体化と物性評価, 超硬合金被覆
11. LSIの故障物理

論文

  296

MISC

  5

書籍等出版物

  12

講演・口頭発表等

  49