名取晃子 (NATORI AKIKO) - マイポータル

基本情報

学位: 理学博士(東京大学)

研究者番号: 50143368
J-GLOBAL ID: 200901054129320614
researchmap会員ID: 5000015332

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研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

学歴

- 1972年3月

東京大学, 理学系研究科, 物理学専攻
- 1967年3月

東京大学, 理学部, 物理学科

委員歴

論文

The anisotropy of ac conductivity and dielectric constant of anisotropic conductor-insulator composites

Yuichi Hazama, Jun Nakamura, Akiko Natori

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE 45(11) 2843-2851 2010年6月査読有り
Control mechanism of friction by dynamic actuation of nanometer-sized contacts

Hiroyuki Iizuka, Jun Nakamura, Akiko Natori

PHYSICAL REVIEW B 80(15) 155449-1-8 2009年10月査読有り
Ballistic thermal conductance of electrons in graphene ribbons

Eiji Watanabe, Sho Yamaguchi, Jun Nakamura, Akiko Natori

PHYSICAL REVIEW B 80(8) 085404-1-6 2009年8月査読有り
Anisotropic half-metallic ground state of Mn atomic wire on GaAs(110)

Motoi Hirayama, Akiko Natori, Jun Nakamura

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 27(4) 2062-2065 2009年7月査読有り
In-plane strain effects on dielectric properties of the HfO2 thin film

Sadakazu Wakui, Jun Nakamura, Akiko Natori

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 27(4) 2020-2023 2009年7月査読有り
Structural and electronic properties of the planar C-skeleton polymers

Jun Nakamura, Nariaki Arimura, Motoi Hirayama, Akiko Natori

APPLIED PHYSICS LETTERS 94(22) 223107-1-3 2009年6月査読有り
Band-bending effects on scanning tunneling microscope images of subsurface dopants: First-principles calculations

Motoi Hirayama, Jun Nakamura, Akiko Natori

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 105(8) - 2009年4月
Negative donors in bulk Si and Si/SiO2 quantum wells in a magnetic field

Jun-ichi Inoue, Tomo Chiba, Akiko Natori, Jun Nakamura

PHYSICAL REVIEW B 79(3) 035206-1-8 2009年1月査読有り
Size effects in friction of multiatomic sliding contacts

Masanori Igarashi, Akiko Natori, Jun Nakamura

PHYSICAL REVIEW B 78(16) 165427-1-10 2008年10月査読有り
Atomic scale dielectric constant near the SiO2/Si(001) interface

Sadakazu Wakui, Jun Nakamura, Akiko Natori

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 26(4) 1579-1584 2008年7月査読有り
Semiconducting nature of the oxygen-adsorbed graphene sheet

Jun Ito, Jun Nakamura, Akiko Natori

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 103(11) 113712, 1-5 2008年6月
Nagative donors in multivalley semiconductors

J. Inoue, J. Nakamura, A. Natori

Phys. Rev. B 77 125213-1 - 125213-5 2008年
Structural bistability of the oxygen-adsorbed graphene sheet

J. Nakamura, J. Ito, A. Natori

PROCEEDINGS OF THE 17TH INTERNATIONAL VACUUM CONGRESS/13TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SURFACE SCIENCE/INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY 100 052019-052022 2008年査読有り
Ballistic thermal conductance of a graphene sheet

Koichi Saito, Jun Nakamura, Akiko Natori

PHYSICAL REVIEW B 76(11) 115409-1 - 115409-4 2007年9月査読有り
Simulations of scanning Tunneling Microscopy for B-/P-doped Si(111) surfaces

Motoi Hirayama, Jun Nakamura, Akiko Natori

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46(8B) 5643-5646 2007年8月
Dielectric properties of the interface between Si and SiO2

Sadakazu Wakui, Jun Nakamura, Akiko Natori

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46(5B) 3261-3264 2007年5月査読有り
Mechanism of velocity saturation of atomic friction force and the dynamic superlubricity at torsional resonance

M.Igarashi, J.Nakamura, A.Natori

Jpn.J.Appl.Phys. 46 5591-5594 2007年
Nano-scale profile of the dielectric constant near the Si/oxide interface: A first-principles approach

J. Nakamura, S. Wakui, S. Eguchi, R. Yanai, A. Natori

ECS Transactions 11(6) 173-182 2007年査読有り
First-principles evaluations of dielectric constants for ultra-thin semiconducting films

Jun Nakamura, Akiko Natori

SURFACE SCIENCE 600(18) 4332-4336 2006年9月
ac conductivity and dielectric constant of conductor-insulator composites

Tan Benny Murtanto, Satoshi Natori, Jun Nakamura, Akiko Natori

PHYSICAL REVIEW B 74(11) 115206, 1-7 2006年9月査読有り

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MISC

Surface-electromigration-induced step structure transition on Si(111) vicinal surfaces

A. Natori

日本結晶成長学会誌 29(1) 44-49 2002年査読有り

書籍等出版物

表面物性工学ハンドブック

小間篤, 青野正和, 石橋幸治, 塚田捷, 常行真司, 長谷川修司, 八木克道, 吉信淳編 (担当:共著, 範囲:1.7.1 モンテカルロシミュレーション、14.4.1 表面エレクトロマイグレーション(理論）、14.4.3 エレクトロマイグレーションによるステップ再配列（理論）)

丸善 2007年
電子材料ハンドブック

木村忠正, 八百隆文, 奥村次徳, 豊田太郎 (担当:共著, 範囲:１．４固体の伝導寄稿)

朝倉書店 2006年
「半導体大辞典」2.3 表面現象

名取晃子 (担当:共著)

工業調査会 2000年
"Advances in the understanding of crystal growth mechanisms" Step structure of Si(111) vicinal surfaces

A.Natori (担当:共著)

North-Holland 1997年
表面科学シリーズ２「表面における理論Ｉ」６-１節モンテカルロ法

名取晃子 (担当:共著)

丸善 1995年
「結晶成長ハンドブック」5.1.3 テラスにおける表面拡散

名取晃子 (担当:共著)

共立出版 1995年
"Metal-semiconductor interfaces" 2.2 Formation of metal-overlayer on semiconductors by surface electromigration

A.Natori, H.Yasunaga (担当:共著)

Ohmsha 1995年
電子工学初歩シリーズ「半導体物性」

名取晃子

培風館 1995年
「電磁気学」第１章静電界

名取晃子 (担当:共著)

近代科学社 1993年

講演・口頭発表等

101

Half-metallic states of Mn atomic wires on GaAs(110)

M.Hirayama, J.Nakamura, A.Natori

Int. Sympo. on Surface Science and Nanotechnology 2008年11月
First-principles evaluation of the polytype-dependence of the local dielectric constant for SiC

K.Sato, JY.Iwasaki, S.Wakui, J.Nakamura, A.Natori

Int. Sympo. on Surface Science and Nanotechnology 2008年11月
Conductivity and dielectric constant of anisotropic CNT/polymer composites

Y.Hazama, J.Nakamura, A.Natori

Int. Sympo. on Surface Science and Nanotechnology 2008年11月
Dielectric constant of the ultra-thin La2O3 (0001) film

R.Yanai, J.Nakamura, A.Natori

Int. Sympo. on Surface Science and Nanotechnology 2008年11月
Structural stability and cohesive properties of the oxygen-adsorbed graphene

S.Eguchi, J.Nakamura, A.Natori

Int. Sympo. on Surface Science and Nanotechnology 2008年11月
GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子鎖のスピン状態と電子状態

平山基, 中村淳, 名取晃子

第２８回表面科学学術講演会 2008年11月
HfO2超薄膜の誘電特性

涌井貞一, 中村淳, 名取晃子

第２８回表面科学学術講演会 2008年11月
カーボンナノチューブ分散媒質の異方的電気伝導特性

狭間裕一, 中村淳, 名取晃子

第２８回表面科学学術講演会 2008年11月
Si(111)-(7x7)表面上の銀クラスター形成過程の計算機シミュレーション

千葉朋, 冷清水裕子, 泉水一鉱, 須藤彰三, 中村淳, 名取晃子

第２８回表面科学学術講演会 2008年11月
La2O3(0001)超薄膜の誘電特性

谷内良亮, 涌井貞一, 中村淳, 名取晃子

第２８回表面科学学術講演会 2008年11月
酸素吸着グラフェンの積層構造の構造安定性と凝集性質

江口俊輔, 中村淳, 名取晃子

第２８回表面科学学術講演会 2008年11月
GaAs(110)表面上のGa置換Mn原子ワイヤの原子配置とスピン・電子状態

平山基, 中村淳, 名取晃子

第６９回応用物理学会学術講演会 2008年9月
HfO2超薄膜の局所誘電率プロファイル

涌井貞一, 中村淳, 名取晃子

第６９回応用物理学会学術講演会 2008年9月
Si(111)-(7x7)表面上の銀クラスター形成過程の計算機シミュレーション

千葉朋, 冷清水裕子, 岩泉一鉱, 須藤彰三, 中村淳, 名取晃子

第６９回応用物理学会学術講演会 2008年9月
La2O3(0001)超薄膜の誘電特性

谷内良亮, 中村淳, 名取晃子

第６９回応用物理学会学術講演会 2008年9月
SiC結晶多形の誘電率：第一原理計算による積層構造依存性評価

佐藤耕平, 岩崎雄一, 中村淳, 名取晃子

第６９回応用物理学会学術講演会 2008年9月
グラフェンリボンのバリスティック熱コンダクタンス

山口翔, 中村淳, 名取晃子

日本物理学会２００８年秋季大会 2008年9月
GaAs(110)表面上のGa置換MNワイヤの原子配置とスピン・電子状態

平山基, 中村淳, 名取晃子

日本物理学会２００８年秋季大会 2008年9月
異方的な超微粒子分散媒質の高周波電気伝導特性

狭間裕一, 中村淳, 名取晃子

日本物理学会２００８年秋季大会 2008年9月
酸化グラフェン積層物質の構造安定性

江口俊輔, 中村淳, 名取晃子

日本物理学会２００８年秋季大会 2008年9月

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