角南英夫 (Hideo Sunami) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 広島大学ナノデバイス・システム研究センターナノデバイス・システム研究センター教授

J-GLOBAL ID: 200901084812367940
researchmap会員ID: 5000020913

外部リンク: http://www.rcis.hiroshima-u.ac.jp/sunami/

受賞

6

MISC

166

T. Yoshino, S. Yokoyama, T. Suzuki, T. Fujii, K. Shibahara, A. Nakajima, T. Kikkawa, H. SunaInfluence of Organic Contamination on Reliability and Trap Generation in MOSmi, and Q.D.M. Khosru

Ext. Abs.the Int. Conf. on Solid State Devices and Materials 176-177 2001年
T. Yoshino, S. Yokoyama, T. Suzuki, T. Fujii, K. Shibahara, A. Nakajima, T. Kikkawa, H. SunaInfluence of Organic Contamination on Reliability and Trap Generation in MOSmi, and Q.D.M. Khosru

Ext. Abs.the Int. Conf. on Solid State Devices and Materials 176-177 2001年
次世代ULSIプロセス技術、第1章および第2章

リアライズ社 3-57 2000年
Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO2 stacked gate dielectriocs for highly reliable p-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

NAKAJIMA A, YOSHIMOTO T, KIDERA T, OBATA K, YOKOYAMA S, SUNAMI H, HIROSE M

Appl. Phys. Lett. 77(18) 2855-2857 2000年
Characterization of atomic-layer-deposited silicon nitride/SiO2 stacked gate dielectrics for highly reliable p-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

NAKAJIMA A, YOSHIMOTO T, KIDERA T, OBATA K, YOKOYAMA S, SUNAMI H, HIROSE M

J. Vac. Sci. Tech. B 19(4) 1138-1143 2000年
Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO2 stacked gate dielectriocs for highly reliable p-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Appl. Phys. Lett. 77(18) 2855-2857 2000年
Characterization of atomic-layer-deposited silicon nitride/SiO2 stacked gate dielectrics for highly reliable p-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

J. Vac. Sci. Tech. B 19(4) 1138-1143 2000年
次世代集積回路と製造ライン - 今後のデバイス展望と30mmウェハ製造ラインの動向 -

14 11-18 1999年
半導体大辞典

工業調査会 622-625 1999年
Metrology for Trench Control

1988 Symposium on VLSI Technology, Special Workshop 56-63 1998年
Metrology for Trench Control

1988 Symposium on VLSI Technology, Special Workshop 56-63 1998年
書評：半導体の科学

日経マイクロデバイス 25 1997年
Semiconductor-Device Integration, Encyclopedia of Applied Physics

米国物理学会 181-198 1996年
Semiconductor-Device Integration, Encyclopedia of Applied Physics

181-198 1996年
A versatile two-dimensional ion implantation simulator incorporated in an integrated process simulation system

Microelectronic Engineering 14 13-22 1991年
A versatile two-dimensional ion implantation simulator incorporated in an integrated process simulation system

Microelectronic Engineering 14 13-22 1991年
A DIAGONAL ACTIVE-AREA STACKED CAPACITOR DRAM CELL WITH STORAGE CAPACITOR ON BIT LINE

S KIMURA, Y KAWAMOTO, T KURE, N HASEGAWA, T KISU, J ETOH, M AOKI, E TAKEDA, H SUNAMI, K ITOH

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 37(3) 737-743 1990年3月
VLSI製造技術、第1章および第2章

日経BP社 7-57 1989年
月刊Semiconductor World別冊号

プレスジャーナル 34-41 1989年
Beam Induced Seeded Lateral Epitaxy with Suppressed Impurity Diffusion for a Three-Dimensional DRAM Cell Fabrication

OHKURA M, KUSUKAWA K, SUNAMI H

IEEE Trans. Electron Devices 36(2) 333-339 1989年

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産業財産権

95

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