竹田裕 (Hiroshi Takeda) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: NECエレクトロニクス株式会社 LSI基礎開発研究所担当

学位: Master(engineering)(Osaka University)

J-GLOBAL ID: 200901016267449505
researchmap会員ID: 5000022487

研究キーワード

2

研究分野

2

MISC

6

Study of electron transport in SOI MOSFETs using Monte Carlo technique with full-band modeling

Journal of Computational Electronics vol. 1, pp. 467-474 2002年
Full-band Monte Carlo simulation of two-dimensional electron gas in SOI MOSFETs

Journal of Computational Electronics 1, pp219 2002年
Self-consistent calculation of two-dimensional electronic states in SOI-MOSFETs using full-band modeling

Pysica B 314, pp377 2002年
Study of electron transport in SOI MOSFETs using Monte Carlo technique with full-band modeling

Journal of Computational Electronics vol. 1, pp. 467-474 2002年
Full-band Monte Carlo simulation of two-dimensional electron gas in SOI MOSFETs

Journal of Computational Electronics 1, pp219 2002年
Self-consistent calculation of two-dimensional electronic states in SOI-MOSFETs using full-band modeling

Pysica B 314, pp377 2002年

共同研究・競争的資金等の研究課題

2

量子構造素子におけるキャリア輸送現象の解析に関する研究

その他の研究制度 2002年 - 2005年
-

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