津坂佳幸 (Yoshiyuki Tsusaka) - マイポータル

基本情報

学位: 博士（理学）(名古屋大学)

J-GLOBAL ID: 200901081271850920
researchmap会員ID: 5000022927

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研究分野

論文

Comprehensive determination of Burgers vectors of threading dislocations in GaN substrates by combining reflection and transmission synchrotron-radiation x-ray topography

Kazuki Ohnishi, Kenji Iso, Hirotaka Ikeda, Yoshiyuki Tsusaka, Yongzhao Yao

Journal of Applied Physics 2026年5月21日
Kinematical and dynamical contrast of dislocations in thick GaN substrates observed by synchrotron-radiation x-ray topography under six-beam diffraction conditions

Yongzhao Yao, Yoshiyuki Tsusaka, Yukari Ishikawa

Journal of Applied Physics 139(6) 2026年2月11日
Analyses of oxygen precipitates in CZ-Si by X-ray diffuse scattering using parallel X-ray beam

Tomoyuki Horikawa, Yoshiyuki Tsusaka, Junji Matsui, Tetsuya Tohei, Yusuke Hayashi, Akira Sakai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 64(4) 2025年4月1日
Three-dimensional distribution and propagation of dislocations in β-Ga₂O₃ revealed by Borrmann effect X-ray topography【Open Access】

Yongzhao Yao, Yoshiyuki Tsusaka, Keiichi Hirano, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa

Journal of Applied Physics 134 155104 2023年10月21日査読有り
Study of X-ray topography using the super-Borrmann effect

J. Matsui, K. Takatsu, Y. Tsusaka

Journal of Synchrotron Radiation 29(5) 1251-1257 2022年9月1日
Large-area total-thickness imaging and Burgers vector analysis of dislocations in β -Ga2O3 using bright-field x-ray topography based on anomalous transmission

Yongzhao Yao, Yoshiyuki Tsusaka, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa

Applied Physics Letters 2022年7月4日
Enhancement of L-band optical absorption in strained epitaxial Ge on Si-on-quartz wafer: Toward extended Ge photodetectors

Kyosuke Noguchi, Michiharu Nishimura, Yoshiyuki Tsusaka, Junji Matsui, Yasuhiko Ishikawa

Journal of Applied Physics 2020年10月7日
Study of dislocations in AlN single-crystal using bright-field synchrotron x-ray topography under a multiple-beam diffraction condition

Yongzhao Yao, Yoshiyuki Tsusaka, Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Yu Fujita, Junji Matsui, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo

Applied Physics Letters 2020年8月31日
Anomalous dislocation annihilation behavior observed in a GaN crystal grown on point seeds by the Na-flux method

Masayuki Imanishi, Kanako Okumura, Kousuke Nakamura, Tomoko Kitamura, Keisuke Kakinouchi, Kosuke Murakami, Masashi Yoshimura, Yu Fujita, Yoshiyuki Tsusaka, Junji Matsui …

Applied Physics Express 13(8) 085510-085510 2020年8月1日査読有り
Enhanced L-Band Optical Absorption in Ge Grown on Si-on-Quartz Substrate

Yasuhiko Ishikawa, Junji Matsui, Michiharu Nishimura, Kyosuke Noguchi, Yoshiyuki Tsusaka

IEEE International Conference on Group IV Photonics GFP 2019-August 2019年8月査読有り
Identification of dislocation characteristics in Na-flux-grown GaN substrates using bright-field X-ray topography under multiple-diffraction conditions

Y. Tsusaka, H. Mizuochi, M. Imanishi, M. Imade, Y. Mori, J. Matsui

Journal of Applied Physics 2019年3月28日
Enhanced Tensile Strain in Ge Epitaxitial Layers Grown on Si-on-Quartz Wafers

Michiharu Nishimura, Yoshiyuki Tsusaka, Junji Matsui, Yasuhiko Ishikawa

IEEE International Conference on Group IV Photonics GFP 2018-August 27-28 2018年10月1日査読有り
X-ray topographical analysis of 4H-SiC epitaxial layers using a forward-transmitted beam under a multiple-beam diffraction condition

Isaho Kamata, Yoshiyuki Tsusaka, Ryohei Tanuma, Junji Matsui

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57(9) 2018年9月
X-ray microdiffraction studies of InGaAsP selective-area growth layers

S. Kimura, K. Izumi, Y. Tsusaka, Y. Kagoshima, J. Matsui

Microscopy of Semiconducting Materials 2003 229-232 2018年1月1日
Homoepitaxial Hydride Vapor Phase Epitaxy Growth on GaN Wafers Manufactured by the Na-Flux Method

Masayuki Imanishi, Takehiro Yoshida, Toshio Kitamura, Kosuke Murakami, Mamoru Imade, Masashi Yoshimura, Masatomo Shibata, Yoshiyuki Tsusaka, Junji Matsui, Yusuke Mori

CRYSTAL GROWTH & DESIGN 17(7) 3806-3811 2017年7月
Development of hard X-ray dark-field microscope using full-field optics

Hidekazu Takano, Hiroaki Azuma, Sho Shimomura, Takuya Tsuji, Yoshiyuki Tsusaka, Yasushi Kagoshima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(10) 2016年10月査読有り
X-ray topography using the forward transmitted beam under multiple-beam diffraction conditions

Y. Tsusaka, S. Takeda, H. Takano, K. Yokoyama, Y. Kagoshima, J. Matsui

REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS 87(2) 2016年2月
Hard X-Ray Nanofocusing Using Total-Reflection Zone Plates

Hidekazu Takano, Takuya Tsuji, Atsuyuki Matsumura, Kenji Sakka, Yoshiyuki Tsusaka, Yasushi Kagoshima

XRM 2014: PROCEEDINGS OF THE 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON X-RAY MICROSCOPY 1696 2016年査読有り
Upgrading Multilayer Zone Plate Technology for Hard X-Ray Focusing

Toshiki Hirotomo, Hidekau Takano, Kazuhiro Sumida, Takahisa Koyama, Shigeki Konishi, Satoshi Ichimaru, Tadayuki Ohchi, Hisataka Takenaka, Yoshiyuki Tsusaka, Yasushi Kagoshima

XRM 2014: PROCEEDINGS OF THE 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON X-RAY MICROSCOPY 1696 2016年
Evaluation of a-type screw dislocations in m-GaN film by means of X-ray diffractometry

Miori Hiraiwa, Fei Liu, Satoshi Shibata, Shingo Takeda, Yoshiyuki Tsusaka, Yasushi Kagoshima, Junji Matsui

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(2) 2015年2月査読有り

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MISC

205

h-GaN(0001)基板のRenningerスキャンとX線多波回折(第8回)

津坂佳幸, 松井純爾, 大鉢忠

Crystal letters = 結晶工学ニュース / 応用物理学会結晶工学分科会編 (89) 3-9 2025年5月
スーパーボルマン法による高ドープ Si 結晶の転位評価

堀川智之, 成松真吾, 津坂佳幸, 松井純爾

SPring-8/SACLA利用研究成果集 13(2) 79-81 2025年4月30日
X線禁制反射多波回折Renninger ScanピークによるGaN{0001}基板の歪み(2)

大鉢忠, 大鉢忠, 松井純爾, 津坂佳幸, 佐藤祐喜, 竹本菊郎, 羽木良明, 和田元, 吉門進三

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 52nd 2023年
X線禁制反射多波回折Renninger ScanピークによるGaN{0001}基板の歪み(1)

松井純爾, 津坂佳幸, 大鉢忠, 大鉢忠

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 52nd 2023年
X線の異常透過を利用したGa₂O₃結晶の欠陥イメージング技術

姚永昭, 石川由加里, 津坂佳幸, 平野馨一, 佐々木公平, 倉又朗人

JFCC研究成果集 2023 2023年
明視野X線トポグラフィによるZnO基板中転位の同定

早瀬大貴, 太田優一, 津坂佳幸, 伊藤優輔, 浪岡祐輔

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2022.2 3196-3196 2022年8月26日
スーパーボルマン効果を用いたX線トポグラフィによるGe単結晶基板の転位観察

高津健太, 松井純爾, 伊藤優輔, 津坂佳幸

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2022.2 3195-3195 2022年8月26日
GaN{0001}基板の0003,0005高次禁制反射多波回折Renninger Scanピーク

大鉢忠, 大鉢忠, 松井純爾, 津坂佳幸, 佐藤祐喜, 竹本菊郎, 羽木良明, 和田元, 吉門進三

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 50th 2021年
パワー半導体材料のX線トポグラフィーオペランド観察法開発

姚永昭, 菅原義弘, 石川由加里, 平野馨一, 津坂佳幸, 津坂佳幸

JFCC研究成果集 2021 2021年
放射光高平行度X線回折によるSiウェーハ表層の結晶歪解析

堀川智之, 仙田剛士, 藤森洋行, 松井純爾, 津坂佳幸

SPring-8/SACLA利用研究成果集 8(2) 346-349 2020年8月21日
GaN0001禁制反射における多波回折性

松井純爾, 津坂佳幸, 大鉢忠

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 49th 2020年
GaN0001禁制反射多波回折におけるX線ビーム水平発散角依存性

大鉢忠, 大鉢忠, 松井純爾, 津坂佳幸, 佐藤祐喜, 竹本菊郎, 羽木良明, 和田元, 吉門進三

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 49th 2020年
Naフラックス法GaN基板中で消滅する転位のバーガース・ベクトル同定

藤田優, 津坂佳幸, 松井純爾, 今西正幸, 森勇介

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 3578-3578 2019年9月4日
貼り合わせSi-on-Quartz基板上にエピタキシャル成長したGe層における格子ひずみと光学物性の評価—Characterizations of lattice strain and optical properties for Ge layers epitaxially grown on bonded Si-on-quartz substrate—電子部品・材料

津坂佳幸, 西村道治, 石川靖彦, 野口恭甫, 松井純爾

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(35) 21-24 2019年5月
スーパーボルマン効果を利用したCZ-シリコンネッキング部の転位観察

藤田優, 鎌本春花, 水落博之, 堀川智之, 津坂佳幸, 松井純爾

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 3317-3317 2019年2月25日
高平行度X線散漫散乱法による酸素析出物解析(2)

藤森洋行, 堀川智之, 津坂佳幸, 松井純爾

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.1 3327-3327 2019年2月25日
SOQ及びSOS基板上に形成したGe層の光吸収特性

野口恭甫, 西村道治, 松井純爾, 津坂佳幸, 石川靖彦

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
多波近似条件近傍での明視野X線トポグラフィ : BL24XU(兵庫県)

津坂佳幸, 鶴丸哲也, 鎌本春花, 藤田優, 水落博之, 松井純爾

SPring-8/SACLA利用者情報 23(4) 2018年11月2日
単点Naフラックス法GaN基板中転位

水落博之, 津坂佳幸, 松井純爾, 今西正幸, 森勇介

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 3349-3349 2018年9月5日
多波回折明視野X線トポグラフィによるSiC単結晶基板中転位の同定

鎌本春花, 水落博之, 藤田優, 津坂佳幸, 松井純爾

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 3409-3409 2018年9月5日

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共同研究・競争的資金等の研究課題

Naフラックス法における三次元成長モードを活用したデバイスキラー欠陥抑制技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2025年4月 - 2028年3月

今西正幸, 藤平哲也, 津坂佳幸, 宇佐美茂佳
酸化ガリウムを原料とした気相法による低転位GaN結晶の厚膜成長技術開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2020年4月 - 2023年3月

今西正幸, 上殿明良, 津坂佳幸, 河村貴宏
OVPE法による超低抵抗・厚膜GaN結晶成長技術

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2020年4月 - 2023年3月

森勇介, 上殿明良, 津坂佳幸, 酒井朗, 河村貴宏
結晶工学
X線光学

津坂佳幸

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