山本 均

SOI技術を用いたピクセル検出器をILCビームモニターに応用するための研究を行う。具体的には、多数生成される電子陽電子対の角度分布によってnmの制度でビームサイズを測定するpair monitorと、実時間でルミノシティー・フィードバックを行うビームカロリメータの前置検出器であるが、一つのピクセル検出器が兼用できる。ビームに近く、高放射能、高レートのもとで高分解能が要求されるが、３０Mラド以上の高い放射線耐性が既に実証されたSOI技術が最適である。読み出し回路設計をCMOS集積回路で実証し、既存のSOIピクセルセンサーを評価し、改良したSOIピクセルセンサーを試作する。このようなASIC(特定用途向けIC)の技術はすでに高エネルギー実験の測定器では不可欠なものとなっているが、加速器科学においても、高速の応答と大量のデータ処理が必要とされるビームモニターやフィードバックの分野で応用範囲がひろく、ますます重要となる技術と考えられる。