制御・リビングラジカル重合を用いて得られるポリジビニルベンゼン多孔体を炭素化・賦活処理し、高比表面積を有するモノリス型活性炭電極を作製した。得られた電極は比較的高い静電容量を示し、サイクル特性およびレート特性も良好であった。さらに、窒素原子をドープした多孔性炭素材料を得る方法として、細孔構造制御を行ったメラミン-ホルムアルデヒド多孔体の炭素化挙動を調べた。レゾルシノールを添加して前駆体試料を作製することで炭素化後も細孔構造を維持することができ、窒素原子をドープした炭素材料が得られることが明らかとなった。