西永頌 (Tatau Nishinaga) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 旧所属豊橋技術科学大学学長

学位: 工学博士(名古屋大学)

J-GLOBAL ID: 200901045919123437
researchmap会員ID: 5000029094

研究キーワード

4

研究分野

4

経歴

4

2002年 - 2003年

豊橋技術科学大学長
2002年 - 2003年

President, Toyohashi University of Technology
2000年 - 2002年

名城大学理工学部教授
2000年 - 2002年

Professor, Faculty of Science and Technology

学歴

4

受賞

4

2004年

結晶成長国際機構 Laudise賞
2004年

International Organization for Crystal Growth Laudise Prize
2002年

山崎貞一賞
2002年

Teiichi Yamazaki Prize

MISC

27

格子定数差の大きなヘテロエピタキシーにおける無転位結晶成長技術 ―マイクロチャネルエピタキシー：発想の原点と将来展望 ―

西永頌

応用物理 73(5) 579-586 2004年
Growth of dislocation - free crystal in highly lattice mismatched heteroepitaxy - Microchannel Epitaxy : conceptual origin and future prospects

OYO BUTURI 73(5) 579-586 2004年
Oxygen incorporation mechanism in AlGaAs layers grown by molecular beam epitaxy

S Naritsuka, O Kobayashi, K Mitsuda, T Nishinaga

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 254(3-4) 310-315 2003年7月
Oxygen incorporation into MBE-growm AlGaAs layers

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 744 M8.9.1-M8.9.5 2003年
Si(001)基板上での非晶質GaAsバッファ層の結晶化メカニズム

成塚重弥, 松永泰彦, 西永頌

名城大学総合研究所総合学術研究論文集 (2) 1-8 2003年
Oxygen incorporation into MBE-growm AlGaAs layers

Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 744 M8.9.1-M8.9.5 2003年
Beam induced lateral epitaxy: a new approach for lateral growth in molecular beam epitaxy

T Suzuki, S Naritsuka, T Maruyama, T Nishinaga

CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY 38(7-8) 614-618 2003年
Start of 2D nucleation by accumulation of Ga adatoms on GaAs(III)B facet

J.Crystal Growth 240,52-56 2002年
A new way to achieve dislocation-free heteroepitaxial growth by molecular beam epitaxy: vertical microchannel epitaxy

J. Crystal Growth 237-239,1460-1465 2002年
Microchannel epitaxy: an overview

J. Crystal Growth 237-239,1410-1417 2002年
Sharp-flat reversible change of top pyramid in GaAs molecular beam epitaxy on (III)B patterned substrate

Jpn.J. Appl. Phys. 41,L374-L377 2002年
The distribution in space grown GaSb

J. Crystal Growth 234,12-24 2002年
Start of 2D nucleation by accumulation of Ga adatoms on GaAs(III)B facet

J.Crystal Growth 240,52-56 2002年
A new way to achieve dislocation-free heteroepitaxial growth by molecular beam epitaxy: vertical microchannel epitaxy

J. Crystal Growth 237-239,1460-1465 2002年
Microchannel epitaxy: an overview

J. Crystal Growth 237-239,1410-1417 2002年
Sharp-flat reversible change of top pyramid in GaAs molecular beam epitaxy on (III)B patterned substrate

Jpn.J. Appl. Phys. 41,L374-L377 2002年
The distribution in space grown GaSb

J. Crystal Growth 234,12-24 2002年
Microchannel Epitaxy of GaAs from Parallel and Nonparallel Seeds

Huang Weidong, Nishinaga Tatau, Naritsuka Shigeya

Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes 40(9) 5373-5376 2001年9月1日
Growth of GaSb single crystal in space

Science in China (Series A) 44,762-769 2001年
Room temperature pulsed oscillation of GaAs-based MQW laser on GaAs Microchannel epitaxy (MCE) on Si

Extended Abstracts of the 20th Electronic Materials Symposium ,37-40 2001年

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書籍等出版物

9

Crystal Growth - from Fundamentals to Technology, eds. G. Mueller, J. -J. Metois and P. Rudolph

Elsevier 2004年
Crystal Growth - from Fundamentals to Technology, eds. G. Mueller, J. -J. Metois and P. Rudolph

Elsevier 2004年
Crystal Growth Technology, eds. K. Byrappa and T. Ohachi

Springer 2003年
Fabrication of Microstructures by Controlling Inter-surface diffusion in MBE of GaAs

Scientific Center of the Polish Academy of Science, Vienna, Austria 2003年
Crystal Growth Technology, eds. K. Byrappa and T. Ohachi

Springer 2003年
Fabrication of Microstructures by Controlling Inter-surface diffusion in MBE of GaAs

Scientific Center of the Polish Academy of Science, Vienna, Austria 2003年
結晶成長学辞典

共立出版 2001年
Advances in Crystal Growth Research

Elsevier 2001年
Advances in Crystal Growth Research

Elsevier 2001年

共同研究・競争的資金等の研究課題

2

Si基板上への化合物半導体のヘテロエピタキシャル成長

科学研究費補助金 1989年
Heteroepitaxy of Compound Semiconductors on Si

Grant-in-Aid for Scientific Research 1989年