高倉健一郎 (Kenichiro Takakura) - マイポータル

基本情報

所属: 熊本高等専門学校拠点化プロジェクト系先端研究コアグループ准教授

学位: 博士（工学）(筑波大学)

J-GLOBAL ID: 200901024077097141
researchmap会員ID: 5000030436

研究キーワード

半導体デバイス放射線損傷

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

経歴

2024年9月 - 現在

独立行政法人国立高等専門学校機構, 熊本高等専門学校電子情報システム工学系, 教授 (博士（工学）)
2020年4月 - 2024年8月

独立行政法人国立高等専門学校機構, 熊本高等専門学校電子情報システム工学系, 准教授 (博士（工学）)
2009年4月 - 2020年3月

熊本高等専門学校, 情報通信ｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ工学科, 准教授
2007年4月 - 2009年3月

熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 准教授
2006年4月 - 2007年3月

熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 助教授
2002年4月 - 2006年3月

- 熊本電波工業高等専門学校, 電子工学科, 助手

学歴

- 2002年

筑波大学, 工学研究科, 物質工学専攻
- 2002年

筑波大学

論文

Assessment of Radiation Tolerance of Flash Memory by γ-Ray Irradiation.

Kenichiro Takakura, Kensuke Matsumoto, Kousei Tateishi, Masashi Yoneoka, Isao Tsunoda, Shigekazu Suzuki, Shinji Kawatsuma

J. Robotics Mechatronics 36(1) 88-94 2024年2月査読有り筆頭著者
Enhancement of Mg-induced lateral crystallization of amorphous germanium on an insulating substrate by two-step annealing

Atsuki Morimoto, Towa Hirai, Ayato Takazaiku, Yo Eto, Hajime Kuwazuru, Kenichiro Takakura, Isao Tsunoda

Japanese Journal of Applied Physics 63(2) 02SP50-02SP50 2024年1月17日査読有り
Study of deep levels in the Mg₂Si grown by vertical Bridgeman method

Kouki Fukushima, Naoki Mizunuma, Tatsuya Uematsu, Kyoko Shimizu, Takehiro Ota, Isao Tsunoda, Masashi Yoneoka, Haruhiko Udono, Kenichiro Takakura

Japanese Journal of Applied Physics 62(SD) SD1012-SD1012 2022年12月23日査読有り最終著者
Low temperature formation of high-quality crystalline Ge (1 1 1) by improving Au catalyst crystallinity

Kazuaki Sumi, Noboru Shimizu, Kenichiro Takakura, Isao Tsunoda

Journal of Crystal Growth 572 126270-126270 2021年10月査読有り
Low-Frequency noise investigation of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors

Maria Glória Caño de Andrade, Luis Felipe de Oliveira Bergamim, Braz Baptista Júnior, Carlos Roberto Nogueira, Fábio Alex da Silva, Kenichiro Takakura, Bertrand Parvais, Eddy Simoen

Solid-State Electronics 183 108050-108050 2021年9月査読有り
Low Frequency Noise: A Show Stopper for State-of-the-art and Future Si, Ge-based and III-V Technologies

C. Claeys, A. Oliviera, A. Veloso, L. He, K. Takakura, V. Putcha, H. Amimura, E. Simoen

2021 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) 2021年4月8日
Electron, Neutron, and Proton Irradiation Effects on SiC Radiation Detectors

Joan Marc Rafi, Giulio Pellegrini, Philippe Godignon, Sofia Otero Ugobono, Gemma Rius, Isao Tsunoda, Masashi Yoneoka, Kenichiro Takakura, Gregor Kramberger, Michael Moll

IEEE Transactions on Nuclear Science 67(12) 2481-2489 2020年12月査読有り
Materials and Defect Aspects of III-V and III-N Devices for High-Speed Analog/RF Applications

Eddy Simoen, Po-Chun Brent Hsu, Hao Yu, Hongyue Wang, Ming Zhao, Kenichiro Takakura, Vamsi Putcha, Uthayasankaran Peralagu, Bertrand Parvais, Niamh Waldron …

2020 IEEE 15th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT) 2020年11月3日
Development of electronic circuits that can operate in high radiation environments such as nuclear power plants

Kenichiro Takakura

Impact 2020(4) 52-53 2020年10月13日
Low-Frequency Noise Investigation of GaN/AlGaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron-Mobility Field-Effect Transistor with Different Gate Length and Orientation

K. Takakura, V. Putcha, E. Simoen, A. R. Alian, U. Peralagu, N. Waldron, B. Parvais, N. Collaert

IEEE Transactions on Electron Devices 67(8) 3062-3068 2020年8月査読有り筆頭著者
Au induced lateral crystallization of amorphous Ge with stress stimulation at 130 °c

Taiki Nishijima, Satoshi Shimizu, Kinta Kusano, Kazuki Kudo, Masahiro Furuta, Yutaka Kusuda, Shinichi Motoyama, Nobuyuki Naka, Tomoko Numata, Kenichiro Takakura …

AIP Advances 10(5) 055306-055306 2020年5月1日査読有り
Magnetotransport properties of a single-crystalline β-FeSi<inf>2</inf> layer grown on Si(001) substrate by reactive deposition epitaxy

Takashi Suemasu, Ken'ichiro Takakura, Masaya Tanaka, Tetsuo Fujii, Fumio Hasegawa

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters 37(3 B) 2020年3月査読有り
Parasitic subthreshold drain current and low frequency noise in GaN/AlGaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility field-effect-transistors

K. Takakura, V. Putcha, E. Simoen, A. R. Alian, U. Peralagu, N. Waldron, B. Parvais, N. Collaert

Semiconductor Science and Technology 36(2) 024003-024003 2020年2月査読有り筆頭著者
レーザー反射強度を用いた路面の水たまり検出と車輪移動ロボットの回避経路計画

田原熙昂, 池上伊吹, 高倉健一郎, 加藤達也

ロボティクス・メカトロニクス講演会講演概要集 2019 1P1-S05 2019年
Enhancement of Au-induced lateral crystallization in electron-irradiated amorphous Ge on SiO2

Kenta Moto, Shin Sakiyama, Hayato Okamoto, Hideyuki Hara, Hiroto Nishimura, Kenichiro Takakura, Isao Tsunoda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(4) 2016年4月査読有り
Au induced low-temperature formation of preferentially (111)-oriented crystalline Ge on insulator

Hayato Okamoto, Kohei Kudo, Tatsushi Nomitsu, Ryosuke Mochii, Kenta Moto, Kenichiro Takakura, Isao Tsunoda

Japanese Journal of Applied Physics 55(4) 2016年4月査読有り
Hole trap distribution on 2MeV electron irradiated high-k dielectrics

高倉健一郎

Journal of Vacuum Science and Technology B, vol.33, 032201 (7pages). 2015年3月査読有り
Thermal recovery process of electron irradiated Si1-xCx source/drain n-MOSFETs

Kenichiro Takakura, Masato Hori, Masashi Yoneoka, Isao Tsunoda, Toshiyuki Nakashima, Eddy Simoen, Cor Claeys

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 12, NO 12 12(12) 1405-1408 2015年査読有り
Enhanced Au induced lateral crystallization in electron-irradiated amorphous Ge on SiO2

Shin Sakiyama, Takahiro Kaneko, Takanobu Ootsubo, Takatsugu Sakai, Kazutoshi Nakashima, Kenta Moto, Masashi Yoneoka, Kenichiro Takakura, Isao Tsunoda

THIN SOLID FILMS 557 151-154 2014年4月査読有り
Radiation tolerance of Si-1 (-) C-y(y) source/drain n-type metal oxide semiconductor field effect transistors with different carbon concentrations

Toshiyuki Nakashima, Yuki Asai, Masato Hori, Masashi Yoneoka, Isao Tsunoda, Kenichiro Takakura, Mireia Bargallo Gonzalez, Eddy Simoen, Cor Claeys, Kenji Yoshino

THIN SOLID FILMS 557 307-310 2014年4月査読有り

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MISC

332

キャリア密度を変化させた n-Mg2Si 単結晶におけるキャリア捕獲準位の検討

2024年10月最終著者
非晶質 Ge 薄膜の Mg 誘起横方向成長における高圧下熱処理の影響

第４３回電子材料シンポジウム 2024年10月
非晶質 Ge/Mg/SiO2積層構造の固相成長

第４３回電子材料シンポジウム 2024年10月
高圧下熱処理による Mg 誘起固相成長 Ge 薄膜の結晶性向上

中原大葉,高倉健一郎,角田功

2024年9月
絶縁基板上における非晶質 Ge 薄膜の Mg 誘起結晶成長(3)

高細工彩斗,高倉健一郎,角田功

2024年9月
二段階低温熱処理により形成した GeSn 結晶の評価

菊本翔太, 高倉健一郎, 角田功

第１５回半導体材料・デバイスフォーラム 2024年9月
廃炉作業ロボット利用を見据えたシングルボードコンピュータの放射線耐性評価

松本健佑, 高倉健一郎, 米岡将士, 角田功, 鈴木茂和, 川妻伸二

電気学会基礎・材料・共通部門大会 2024年9月招待有り最終著者
国立高等専門学校機構における半導体人材育成事業について

高倉健一郎

情報処理学会第87回全国大会 2024年3月招待有り筆頭著者
研究グループ紹介：熊本高等専門学校電子材料・デバイス研究部

高倉健一郎

電気学会論文誌．Ａ 143(6) NL6_4-NL6_4 2023年6月1日
絶縁基板上における非晶質Ge薄膜の金属誘起横方向成長

角田功, 高倉健一郎

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 123(8(SDM2023 1-17)) 2023年
非晶質Ge/Mg/SiO₂積層構造の固相成長

森本敦己, 平井杜和, 高細工彩斗, 小嶺龍生, 高倉健一郎, 角田功

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 70th 2023年
非晶質Ge薄膜のMg誘起横方向成長におけるMg拡散量の評価

森本敦己, 阿部陸斗, 平井杏奈, 平井杜和, 高倉健一郎, 角田功

電子情報通信学会技術研究報告(Web) 122(8(SDM2022 1-13)) 2022年
非晶質Ge/SiO₂のMg誘起横方向成長に及ぼすMg拡散の影響

森本敦己, 阿部陸斗, 平井杏奈, 平井杜和, 高倉健一郎, 角田功

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
半導体界面における真性フェルミレベルの結晶歪依存性

松田和典, 中山憲一, 谷川浩司, 高倉健一郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2021.1 2239-2239 2021年2月26日
非晶質Ge薄膜のSn誘起横方向成長温度の低温化

脇島海晴, 郡山大知, 清藤健斗, 笠椋貴, 高倉健一郎, 角田功

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
非晶質Ge/SiO₂のMg誘起横方向成長

平井杜和, 阿部陸斗, 本田彬, 森本敦己, 高倉健一郎, 角田功

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
Sn誘起横方向成長により低温形成した結晶GeSn/SiO₂の評価

小川大輔, 高倉健一郎, 角田功

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 3603-3603 2019年9月4日
電子線照射した非晶質Ge/SiO₂のAu誘起横方向成長過程の評価

清水智, 高倉健一郎, 角田功

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2019.2 3601-3601 2019年9月4日
Sn誘起成長法を用いた結晶Ge_1-xSn_x(x≧15%)の低温形成

小川大輔, 高倉健一郎, 角田功

応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集(Web) 45 2019年
Au誘起横方向成長により形成した低温結晶化Ge薄膜の結晶性評価

西嶋泰樹, 浜崎健, 草野欽太, 高倉健一郎, 角田功

応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集(Web) 44 47 (WEB ONLY) 2018年12月8日

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所属学協会

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

データ駆動科学によるシリサイド大型結晶開発と高効率熱光発電セルへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2023年4月 - 2026年3月

鵜殿治彦, 宇佐美徳隆, 高倉健一郎
原子力発電所等高放射線環境下で動作可能な電子回路の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2019年4月 - 2022年3月

高倉健一郎
阿蘇の天然資源を用いた低コスト排ガス処理用触媒の開発

科学技術振興機構産学が連携した研究開発成果の展開研究成果展開事業熊本復興支援(地域産学バリュープログラム) 2017年

高倉健一郎
酸化ガリウムを利用したフレキシブル薄膜トランジスタの形成

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2013年4月 - 2016年3月

高倉健一郎
先端半導体材料とデバイスの放射線損傷機構

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2005年 - 2007年

紫垣一貞, 大山英典, 葉山清輝, 工藤友裕, 高倉健一郎
半導体デバイスの放射線照射損傷における高温照射効果

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2005年 - 2007年

工藤友裕, 大山英典, 葉山清輝, 紫垣一貞, 博多哲也, 高倉健一郎
酸化ガリウムへのドーピングによる透明電極膜の導電率向上

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2005年 - 2007年

高倉健一郎
半導体デバイスの高・低温放射線照射に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2002年 - 2004年

紫垣一貞, 大山英典, 葉山清輝, 工藤友裕, 博多哲也, 高倉健一郎
半導体デバイスの放射線損傷に関する研究

2002年
-

産業財産権

特許第6312134号ゲルマニウム層付き基板の製造方法及びゲルマニウム層付き基板

角田功, 高倉健一郎, 本山慎一, 楠田豊, 古田真浩
特開2018-203546 多孔質機能材料ならびに、その製造方法及び製造装置

高倉健一郎, 樫山由貴, 辻誠, 的場仁志
特開2016-021503 ゲルマニウム層付き基板の製造方法及びゲルマニウム層付き基板

角田功, 高倉健一郎, 本山慎一, 楠田豊, 古田真浩
特開2008-177333 SOIトランジスタの評価方法および評価装置

葉山清輝, 大山英典, 高倉健一郎

高倉健一郎

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