中澤日出樹 (Hideki Nakazawa) - マイポータル

基本情報

所属: 弘前大学大学院理工学研究科教授

学位: 博士（工学）(東北大学)
修士（工学）(東北大学)

J-GLOBAL ID: 200901005838624804
researchmap会員ID: 5000034571

外部リンク: https://hue2.jm.hirosaki-u.ac.jp/view?u=596

研究キーワード

研究分野

経歴

2022年5月 - 現在

弘前大学大学院理工学研究科, 教授
2010年10月 - 2022年4月

弘前大学大学院理工学研究科, 准教授
2007年4月 - 2010年9月

弘前大学大学院理工学研究科, 助教
2002年4月 - 2007年3月

弘前大学理工学部, 助手
1999年4月 - 2002年3月

東北大学電気通信研究所中核的研究機関研究員

学歴

1996年4月 - 1999年3月

東北大学, 大学院工学研究科博士課程後期3年の課程, 電子工学専攻
1994年4月 - 1996年3月

東北大学, 大学院工学研究科博士課程前期2年の課程, 電子工学専攻
1990年4月 - 1994年3月

東北大学, 工学部, 電子工学科

委員歴

2025年6月 - 現在

電子情報通信学会, 電子部品・材料研究専門委員会幹事
2014年4月 - 現在

応用物理学会東北支部, 企画運営委員
2013年4月 - 現在

日本表面科学会/日本表面真空学会(2018年4月～）東北・北海道支部, 幹事
2023年6月 - 2025年6月

電子情報通信学会, 電子部品・材料研究専門委員会委員長
2021年6月 - 2023年6月

電子情報通信学会, 電子部品・材料研究専門委員会副委員長
2019年6月 - 2021年6月

電子情報通信学会, 電子部品・材料研究専門委員会幹事
2018年6月 - 2019年6月

電子情報通信学会, 電子部品・材料研究専門委員会幹事補佐
2015年2月 - 2019年1月

応用物理学会, 代議員
2015年3月 - 2018年5月

電子情報通信学会, 電子部品・材料研究専門委員会専門委員

受賞

2018年12月

応用物理学会東北支部特別賞
2011年12月

日本表面科学会論文賞

末光眞希, 宮本優, 半田浩之, 齋藤英司, 今野篤史, 成田克, 吹留博一, 伊藤隆, 安井寛治, 中澤日出樹, 遠藤哲郎

論文

Characterization and comparison of hydrogenated and unhydrogenated amorphous boron carbon nitride films deposited via radio frequency magnetron sputtering

Ryu Taniguchi, Yusuke Hayashi, Tatsuya Nishida, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Yasuyuki Kobayashi, Hideki Nakazawa

Thin Solid Films 813 140624-1-140624-16 2025年3月査読有り最終著者責任著者
Photovoltaic and mechanical properties of boron carbide films prepared by magnetron sputtering

Tatsuya Nishida, Masayoshi Sato, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Yasuyuki Kobayashi, Hideki Nakazawa

Japanese Journal of Applied Physics 63(1) 01SP38-1-01SP38-12 2024年1月査読有り最終著者責任著者
Influence of hydrogen gas flow ratio on the properties of silicon- and nitrogen-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Yuya Sasaki, Hiroya Osanai, Yusuke Ohtani, Yuta Murono, Masayoshi Sato, Yasuyuki Kobayashi, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Hideki Nakazawa

Diamond and Related Materials 123 108878-1-108878-12 2022年3月査読有り最終著者責任著者
Effects of annealing temperature on the mechanical, optical, and electrical properties of hydrogenated, nitrogen-doped diamond-like carbon films

Hiroya Osanai, Kazuki Nakamura, Yuya Sasaki, Haruto Koriyama, Yasuyuki Kobayashi, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Maki Suemitsu, Hideki Nakazawa

Thin Solid Films 745 139100-1-139100-15 2022年3月査読有り最終著者責任著者
Annealing effects on the properties of hydrogenated diamond-like carbon films doped with silicon and nitrogen

H. Nakazawa, K. Nakamura, H. Osanai, Y. Sasaki, H. Koriyama, Y. Kobayashi, Y. Enta, S. Suzuki, M. Suemitsu

Diamond and Related Materials 122 108809-1-108809-12 2022年2月査読有り筆頭著者責任著者
Effects of silicon doping on the chemical bonding states and properties of nitrogen-doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition

K. Nakamura, H. Ohashi, Y. Enta, Y. Kobayashi, Y. Suzuki, M. Suemitsu, H. Nakazawa

Thin Solid Films 736 138923-1-138923-11 2021年10月査読有り最終著者責任著者
Influence of the terrace width of pentacene underlayers on the crystallinity of C-60 overlayers

Keiichi Nakata, Hideki Nakazawa, Hiroshi Okamoto, Yasuyuki Kobayashi

THIN SOLID FILMS 692 137638-1-137638-5 2019年12月査読有り
Growth of 3C-SiC(111) on AlN/off-axis Si(110) hetero-structure and formation of epitaxial graphene thereon

Syunki Narita, Yuki Nara, Yoshiharu Enta, Hideki Nakazawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58(SI) SIIA16-1-SIIA16-8 2019年8月査読有り最終著者責任著者
Effect of a SiC seed layer grown at different temperatures on SiC film deposition on top of an AlN/Si(110) substrate

Yuki Nara, Hideki Nakazawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58(SI) SIIA18-1-SIIA18-6 2019年8月査読有り最終著者責任著者
Study on the formation mechanism of bismuth-mediated Ge nanodots fabricated by vacuum evaporation

Kazuto Tsushima, Kensuke Takita, Hideki Nakazawa, Takehiko Tawara, Kouta Tateno, Guoqiang Zhang, Hideki Gotoh, Hiroshi Okamoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58(SD) SDDG10-1-SDDG10-5 2019年6月査読有り
Impacts of substrate bias and dilution gas on the properties of Si-incorporated diamond-like carbon films by plasma deposition using organosilane as a Si source

H. Nakazawa, S. Miura, K. Nakamura, Y. Nara

Thin Solid Films 654 38-48 2018年5月31日査読有り筆頭著者責任著者
Synthesis of boron/nitrogen-incorporated diamond-like carbon films by pulsed laser deposition using nitrogen gas and a boron-containing graphite target

Hideki Nakazawa, Ryoichi Osozawa, Yusuke Mohnai, Yuki Nara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(10) 105501-1-105501-7 2017年10月査読有り筆頭著者責任著者
Effects of source gases on the properties of silicon/nitrogen-incorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Hideki Nakazawa, Kohei Magara, Takahiro Takami, Haruka Ogasawara, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki

THIN SOLID FILMS 636 177-182 2017年8月査読有り筆頭著者責任著者
真空蒸着と低温アニールによるBi媒介Geナノドット形成-2

対馬和都, 滝田健介, 中澤日出樹, 遠田義晴, 俵毅彦, 舘野功太, 章国強, 後藤秀樹, 岡本浩

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.1 3513-3513 2017年3月1日
Formation of graphene/SiC/AlN multilayers synthesized by pulsed laser deposition on Si(110) substrates

S. Narita, K. Meguro, T. Takami, Y. Enta, H. Nakazawa

Journal of Crystal Growth 460 27-36 2017年2月15日査読有り最終著者責任著者
Tribological properties and thermal stability of hydrogenated, silicon/nitrogen-coincorporated diamond-like carbon films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Hideki Nakazawa, Saori Okuno, Kohei Magara, Kazuki Nakamura, Soushi Miura, Yoshiharu Enta

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(12) 125501-1-125501-9 2016年12月査読有り筆頭著者責任著者
Structural and electrical properties and current-voltage characteristics of nitrogen-doped diamond-like carbon films on Si substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition

Masato Tsuchiya, Kazuki Murakami, Kohei Magara, Kazuki Nakamura, Haruka Ohashi, Kengo Tokuda, Takahiro Takami, Haruka Ogasawara, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(6) 065502-1-065502-5 2016年6月査読有り最終著者責任著者
希釈ガスに水素ガスを用いたプラズマ化学気相成長法によるSi/N共添加ダイヤモンドライクカーボンの膜特性

中村和樹, 大橋遼, 横山大, 田島圭一郎, 遠藤則史, 末光眞希, 遠田義晴, 中澤日出樹

表面科学学術講演会要旨集 36 324-324 2016年
Relaxation of Cs atomic polarization at surface coatings characterized by X-ray photoelectron spectroscopy

Kotaro Kushida, Toshihiro Niwano, Takemasa Moriya, Tomohito Shimizu, Kazuki Meguro, Hideki Nakazawa, Atsushi Hatakeyama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(6) 066401-1-066401-5 2015年6月査読有り
Growth of silicon carbide on Si(100) substrate with an intermediate aluminum nitride layer by ultralow-pressure chemical vapor deposition using monomethylsilane

Hideki Nakazawa, Daiki Suzuki, Tsugitada Narita, Kazuki Meguro, Masato Tsuchiya

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 418 52-56 2015年5月査読有り筆頭著者責任著者

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MISC

プラズマCVDにより作製したSiおよびN添加DLC膜のトライボロジー特性および電気的特性

竹村凜太朗, 山崎雄也, 伊東翔太, 鈴木裕史, 遠田義晴, 小林康之, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 125(202) 31-34 2025年10月最終著者責任著者
金属触媒を用いた絶縁性基板上グラフェンの直接成長

工藤彰, 齋藤遼佑, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 125(156) 23-26 2025年8月最終著者責任著者
マグネトロンスパッタリングにより作製した炭化ホウ素の膜特性に及ぼす基板温度の効果

秋元壱畝利, 林優佑, 伊東翔太, 鈴木裕史, 遠田義晴, 小林康之, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 125(106) 25-28 2025年7月最終著者責任著者
パルスレーザー堆積法を用いた石英ガラス基板上Ni薄膜の作製

工藤彰, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 124(386) 31-34 2025年2月最終著者責任著者
プラズマCVD法によるSi、NおよびO添加DLC膜の機械的特性およびトライボロジー特性

山崎雄也, 片山遼耶, 遠田義晴, 鈴木裕史, 小林康之, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 124(228) 73-76 2024年10月最終著者責任著者
金属触媒を用いた石英基板上グラフェンの直接成長

工藤彰, 齋藤遼佑, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 124(228) 64-67 2024年10月最終著者責任著者
電子ビーム蒸着によるサファイア基板上Ni(111)薄膜成長

渡邊雅史, 石井尚, 阿部星天, 中澤日出樹, 小林康之

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 124(169) 1-4 2024年8月
マグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素薄膜の光起電力特性へのアニール効果

林優佑, 西田竜也, 片山遼耶, 小林康之, 遠田義晴, 鈴木裕史, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 124(169) 5-8 2024年8月最終著者責任著者
金属触媒を用いた絶縁性基板上グラフェンおよび窒化ホウ素の直接成長

齋藤遼佑, 工藤彰, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 124(115) 21-24 2024年7月責任著者
SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜へのO添加の効果

山崎雄也, 鈴木裕史, 小林康之, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 123(35) 38-41 2024年2月最終著者責任著者
SiおよびN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の機械的特性および耐熱性

山崎雄也, 佐々木祐弥, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 123(230) 33-36 2023年10月最終著者責任著者
3˚オフ角Si(110)基板上へのSiC/AlN多層構造の作製およびグラフェンの形成

齋藤遼佑, 奈良友奎, 葛西大希, 郡山春人, 遠田義晴, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 123(142) 29-32 2023年7月最終著者責任著者
水素ガスを用いたマグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素薄膜の光起電力特性

西田竜也, 佐藤聖能, 小林康之, 遠田義晴, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 122(392) 35-38 2023年2月最終著者責任著者
マグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素膜特性への水素ガスの効果

西田竜也, 谷口颯, 佐藤聖能, 小林康之, 遠田義晴, 鈴木裕史, 吹留博一, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 122(147) 14-17 2022年7月28日最終著者責任著者
プラズマ化学気相成長法によるSi及びN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の光学的特性および電気的特性に及ぼすH₂及びAr希釈の効果

佐々木祐弥, 長内公哉, 大谷優介, 室野優太, 佐藤聖能, 小林康之, 遠田義晴, 鈴木裕史, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 121(220) 23-28 2021年10月20日最終著者責任著者
マグネトロンスパッタ法を用いて作製したBCN膜特性への水素の効果

谷口颯, 郡山春人, 小林康之, 遠田義晴, 吹留博一, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 120(217) 23-26 2020年10月22日最終著者責任著者
AlN/Si(110)基板上SiCエピタキシャル成長におけるSiC低温バッファ層の効果

葛西大希, 奈良友奎, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 120(217) 7-10 2020年10月22日最終著者責任著者
窒素を添加したDLC膜特性へのアニール効果

長内公哉, 中村和樹, 郡山春人, 小林康之, 遠田義晴, 鈴木裕史, 末光眞希, 中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(271) 9-14 2019年11月7日最終著者責任著者
オフ角Si(110)基板上AlN層の形成とその上へのSiCヘテロエピタキシャル成長

中澤日出樹, 奈良友奎, 葛西大希

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(181) 23-28 2019年8月19日筆頭著者責任著者
炭素系薄膜の作製と評価

中澤日出樹

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 118(461) 37-40 2019年2月21日筆頭著者責任著者

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書籍等出版物

半導体材料としてのダイヤモンドライクカーボン（DLC）（材料の科学と工学）

中澤日出樹

一般社団法人日本材料科学会 2022年8月
気泡・ボイドの発生メカニズムと未然防止・除去技術

中澤日出樹 (担当:分担執筆)

2014年2月

講演・口頭発表等

224

Ni(111)バッファ層を用いたサファイア基板上h-BN薄膜のMBE成長

石井尚, 小豆畑敬, 中澤日出樹, 廣木正伸, 平間一行, 小林康之

2025年応用物理学会東北支部第80回学術講演会 2025年12月4日
シリコンおよび窒素添加ダイヤモンドライクカーボン膜の光起電力特性および機械的特性

竹村凜太朗, 山崎雄也, 伊東翔太, 鈴木裕史, 遠田義晴, 小林康之, 中澤日出樹

第39回ダイヤモンドシンポジウム 2025年11月14日
MBEによるCu(111)薄膜上B薄膜成長

横山滉人, 小豆畑敬, 中澤日出樹, 廣木正伸, 平間一行, 小林康之

第54回結晶成長国内会議 2025年11月11日
プラズマCVDにより作製したSiおよびN添加DLC膜のトライボロジー特性および電気的特性

竹村凜太朗, 山崎雄也, 伊東翔太, 鈴木裕史, 遠田義晴, 小林康之, 中澤日出樹

電子情報通信学会電子部品・材料研究会 2025年10月17日
マグネトロンスパッタ法による炭化ホウ素薄膜を用いた太陽電池の特性

秋元壱畝利, 林優佑, 伊東翔太, 鈴木裕史, 遠田義晴, 小林康之, 中澤日出樹

第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月8日
Si およびN添加DLC薄膜の耐熱性および電気特性

竹村凜太朗, 山崎雄也, 伊東翔太, 鈴木裕史, 遠田義晴, 小林康之, 中澤日出樹

第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月8日
MBEによるサファイア基板上Ni(111)薄膜上B薄膜成長

石井尚, 小豆畑敬, 中澤日出樹, 廣木正伸, 平間一行, 小林康之

第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月7日
金属触媒を用いた絶縁性基板上グラフェンの直接成長

工藤彰, 齋藤遼佑, 中澤日出樹

電子情報通信学会電子部品・材料研究会 2025年8月28日
マグネトロンスパッタリングにより作製した炭化ホウ素の膜特性に及ぼす基板温度の効果

秋元壱畝利, 林優佑, 伊東翔太, 鈴木裕史, 遠田義晴, 小林康之, 中澤日出樹

電子情報通信学会電子部品・材料研究会 2025年7月10日
Growth of Graphene and Boron Nitride on Aluminum Nitride/Silicon Substrates Using Metal Catalysts

R. Saito, A. Kudo, Y. Kobayashi, T. Kanamoto, H. Nakazawa

18th International Conference on New Diamond and Nano Carbons (NDNC2025) 2025年5月12日
パルスレーザー堆積法を用いた石英ガラス基板上Ni薄膜の作製

工藤彰, 中澤日出樹

電子情報通信学会電子部品・材料研究会 2025年2月28日
サファイア基板上Cu(111)薄膜の結晶性の膜厚依存性

木村公亮, 小豆畑敬, 中澤日出樹, 廣木正伸, 平間一行, 小林康之

第79回応用物理学会東北支部学術講演会 2024年12月6日
EB蒸着により成長したサファイア基板上Ni(111)薄膜の平坦性評価

渡邊雅史, 小豆畑敬, 中澤日出樹, 廣木正伸, 平間一行, 小林康之

第79回応用物理学会東北支部学術講演会 2024年12月6日
金属触媒を用いた石英基板上グラフェンの直接成長

工藤彰, 齋藤遼佑, 中澤日出樹

電子情報通信学会電子部品・材料研究会 2024年11月1日
プラズマCVD法によるSi、NおよびO添加DLC膜の機械的特性およびトライボロジー特性

山崎雄也, 片山遼耶, 遠田義晴, 鈴木裕史, 小林康之, 中澤日出樹

電子情報通信学会電子部品・材料研究会 2024年11月1日
Characterization of Diamond-Like Carbon Films Doped with Silicon, Nitrogen, and Oxygen Prepared by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition

Yuya Yamazaki, Yushi Suzuki, Yasuyuki Kobayashi, Hideki Nakazawa

The 10th International Symposium on Surface Science（ISSS-10） 2024年10月24日
Improvement of Photovoltaic Properties of Solar Cells Using Boron Carbide Films Prepared by RF Magnetron Sputtering

Tatsuya Nishida, Yusuke Hayashi, Ryoya Katayama, Yoshiharu Enta, Yushi Suzuki, Yasuyuki Kobayashi, Hideki Nakazawa

The 10th International Symposium on Surface Science（ISSS-10） 2024年10月23日
シリコンおよび窒素添加ダイヤモンドライクカーボン膜特性への酸素添加効果

山崎雄也, 鈴木裕史, 小林康之, 中澤日出樹

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月19日
炭化ホウ素/シリコンヘテロ接合の作製と電気特性評価

西田竜也, 林優佑, 遠田義晴, 鈴木裕史, 小林康之, 中澤日出樹

2024年電子情報通信学会ソサイエティ大会 2024年9月12日
MBE-grown GaN Thin Films on Glass Substrates using h-BN Buffer Layers

Kazuki Kudoh, Takashi Azuhata, Hideki Nakazawa, Masanobu Hiroki, Yoshitaka Taniyasu, Kazuhide Kumakura, Yasuyuki Kobayashi

The 23rd International Conference on Molecular Beam Epitaxy (ICMBE 2024) 2024年9月10日

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所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

炭化ホウ素薄膜の光起電力効果発現機構の解明および新規耐環境性太陽電池への応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2024年4月 - 2027年3月

中澤日出樹
炭化ホウ素半導体を用いた高耐環境性太陽電池の開発

東芝デバイス＆ストレージ株式会社学術奨励制度 2025年7月 - 2026年3月
AI手法を駆使した繰り返し試作不要なパワー半導体構造設計技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2023年4月 - 2026年3月

金本俊幾, 中澤日出樹
金属バッファ層上層状窒化ホウ素を用いたGaN系デバイス構造成長とその機械的転写

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2022年4月 - 2026年3月

小林康之, 中澤日出樹, 小豆畑敬
鉄系材料加工を可能とする新規ダイヤモンドライクカーボンコーティングの開発

一般財団法人先端加工機械技術振興協会研究助成 2022年11月 - 2024年3月

中澤日出樹
シリコンおよび窒素添加による高耐熱性ダイヤモンドライクカーボンの開発

NSKメカトロニクス技術高度化財団研究助成 2022年3月 - 2024年2月

中澤日出樹
異種元素ドープダイヤモンドライクカーボンコーティングの鉄系材料加工への応用

高橋産業経済研究財団助成金援助 2022年4月 - 2023年3月

中澤日出樹
原子間結合制御による窒素ドープダイヤモンドライクカーボンのn型伝導性制御

岩谷直治記念財団岩谷科学技術研究助成 2022年4月 - 2023年3月

中澤日出樹
層状BNを用いた大面積可能な金属基板、ガラス基板上へのGaN系デバイス成長

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2018年4月 - 2022年3月

小林康之, 岡本浩, 中澤日出樹, 小豆畑敬
鉄系材料の切削加工に適用可能な新規炭素系コーティングの開発

大澤科学技術振興財団一般研究開発 2021年 - 2022年

中澤日出樹
ケイ素および窒素の共添加による高機能ダイヤモンドライクカーボンの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2018年4月 - 2021年3月

中澤日出樹
高効率太陽電池のためのケイ素及び窒素を添加した新規DLCの開発

八洲環境技術振興財団研究開発・調査助成 2020年

中澤日出樹
ケイ素および窒素を添加したDLC薄膜の電気伝導制御および高効率太陽電池への応用

パワーアカデミーパワーアカデミー研究助成（萌芽研究） 2018年 - 2019年

中澤日出樹
ケイ素及び窒素を共添加したDLC薄膜を用いた革新的高効率太陽電池の開発

村田学術振興財団村田学術振興財団研究助成 2018年 - 2019年

中澤日出樹
シリコンおよび窒素を添加したダイヤモンドライクカーボンの新規機能の発現と高機能化

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2015年4月 - 2018年3月

中澤日出樹
層状BNを用いたGaN系デバイスの機械的転写

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2014年4月 - 2018年3月

小林康之, 岡本浩, 中澤日出樹, 熊倉一英, 廣木正伸
シリコンおよび窒素を添加した新規ダイヤモンドライクカーボンの機能発現機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2012年4月 - 2015年3月

中澤日出樹
シリコンナノ粒子を分散させた炭素系新規半導体薄膜の作製と評価

財団法人テレコム先端技術研究支援センター SCAT研究助成 2011年 - 2013年

中澤日出樹
高耐熱性・高機能ダイヤモンドライクカーボンの薄膜作製技術

科学技術振興機構 A-STEP 探索タイプ 2013年

中澤日出樹
シリコンナノ粒子を分散させた炭素系新規半導体薄膜の創製と応用

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 若手研究(B) 2009年4月 - 2012年3月

中澤日出樹

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産業財産権

特許CA2356229 A method for fabricating a SiC film and a model for fabricating a SiC multi-layered film structure

M. Suemitsu, H. Nakazawa
特許第3557457号 SiC膜の製造方法及びSiC多層膜構造の製造方法

末光眞希, 中澤日出樹
特許US6566279 A method for fabricating a SiC film and a model for fabricating a SiC multi-layered film structure

M. Suemitsu, H. Nakazawa

中澤日出樹

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