Niraula Madan (Madan Niraula) - マイポータル

基本情報

所属: 名古屋工業大学大学院おもひ領域教授

学位: 工学博士(静岡大学)
Doctor of Engineering(Shizuoka University)

研究者番号: 20345945
J-GLOBAL ID: 200901004890557930
researchmap会員ID: 5000038145

外部リンク: http://smd-lab.web.nitech.ac.jp/

研究キーワード

研究分野

経歴

2018年4月 - 現在

名古屋工業大学, 大学院おもひ領域, 教授
2002年4月 - 2018年3月

名古屋工業大学, 准教授
2010年8月 - 2010年9月

ブルックヘブン国立研究所（米国）, 研究員
2000年4月 - 2002年3月

日本学術振興会外国人特別研究員（受入機関：静岡大学電子工学研究所）, 日本学術振興会特別研究員

委員歴

2016年12月 - 現在

2017 Room Temperature Semiconductor Detectors Advisory Committee
2016年12月 - 現在

国際会議実行委員
2015年9月 - 現在

Program committee
2015年9月 - 現在

国際会議実行委員
2008年4月 - 現在

審査員
2016年2月 - 2018年1月

応用物理学会代議員

受賞

2012年11月

第６０回電気科学技術奨励賞, 公益財団法人電気科学技術奨励会

ニラウラマダン, 安田和人
2004年4月

2004 年東海学術奨励会賞, CdTe 厚膜を用いた医療用高性能大面積放射線画像検出器の開発, 財団法人東海学術奨励会

ニラウラマダン
2002年4月

第12回応用物理学会講演奨励賞, 低温プロセスを用いたCdTeピクセル高エネルギー放射線検出器の作製, 公益社団法人応用物理学会

中村篤志, ニラウラマダン, 青木徹, 畑中義式

論文

Analysis of dislocations and their correlation with dark currents in CdTe/Si heterojunction diode-type x-ray detectors

B. S. Chaudhari, H. Goto, M. Niraula, K. Yasuda

J. Appl. Phys. 130 055302 -(1 )-055302 -(5) 2021年8月査読有り
Properties of iodine-doped CdTe layers on (211) Si grown at high substrate temperatures by MOVPE

M. Niraula, K. Yasuda, R. Torii, Y. Higashira, R. Tamura, B. S. Chaudhari, T. Kobayashi, H. Goto, S. Fujii, Y. Agata

Journal of Electronic Materials 49(11) 6996-6999 2020年11月査読有り
Synchrotron characterization of high-Z, current-mode x-ray detectors

Quinn Looker, Michael G. Wood, Antonino Miceli, Madan Niraula, Kazuhito Yasuda, John L. Porter

Review of Scientific Instruments 91(2) 023509-1-023509-8 2020年2月査読有り
Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of Thick and Uniform Single Crystal CdTe Epitaxial Layers on (211) Si Substrates for X-ray Imaging Detector Development

M. Niraula, K. Yasuda, R. Torii, R. Tamura, Y. Higashira, Y. Agata

Journal of Electronic Materials 48(12) 7680-7685 2019年12月査読有り
Characterization of Fine-Pixel X-ray Imaging Detector Array Fabricated by Using Thick Single-Crystal CdTe Layers on Si Substrates Grown by MOVPE

M. Niraula, K. Yasuda, S. Tsubota, T. Yamaguchi, J. Ozawa, T. Mori, Y. Agata

IEEE Trans. Electron Devices 66(1) 518-523 2019年1月査読有り
電気電子工学と機械工学の双方の知識を有する人材育成のための学生実験の改革

ニラウラマダン, 平田晃正, 王建青, 山田学, 牛島達夫, 早川伸哉

平成３０年度工学教育研究講演会講演論文集、第66回年次大会 -(-) 294-295 2018年8月3日
Post Growth Annealing of MOVPE-Grown Single Crystal CdTe Epilayers on (211) Si Substrates

M. Niraula, K. Yasuda, J. Ozawa, T. Yamaguchi, S. Tsubota, T. Mori, Y. Agata

IEEE Transactions on Nuclear Science 65(8) 2325-2328 2018年8月査読有り
Development of Large-Area CdTe/n+-Si Epitaxial Layer-Based Heterojunction Diode-Type Gamma-Ray Detector Arrays

M. Niraula, K. Yasuda, M. Kojima, S. Kitagawa, S. Tsubota, T. Yamaguchi, J. Ozawa, Y. Agata

IEEE Transactions on Nuclear Science 65(4) 1066-1069 2018年4月1日査読有り
Characterization of (211) and (100) CdTe Layers Grown on Si Substrates by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy

K. Yasuda, M. Niraula, M. Kojima, S. Kitagawa, S. Tsubota, T. Yamaguchi, J. Ozawa, Y. Agata

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 46(11) 6704-6708 2017年11月査読有り
Dry Etching Characteristics of MOVPE-Grown CdTe Epilayers in CH4, H-2, Ar ECR Plasmas

K. Yasuda, M. Niraula, N. Araki, M. Miyata, S. Kitagawa, M. Kojima, J. Ozawa, S. Tsubota, T. Yamaguchi, Y. Agata

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 46(9) 5400-5404 2017年9月査読有り
Improving the Performances of CdTe Gamma Ray Detectors by H-2/Ar ECR Plasma Processing

M. Niraula, K. Yasuda, S. Kitagawa, M. Kojima, Y. Agata

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 37(8) 1059-1062 2016年8月査読有り
Surface Processing of CdTe Detectors Using Hydrogen Bromide-Based Etching Solution

M. Niraula, K. Yasuda, N. Takai, M. Matsumoto, Y. Suzuki, Y. Tsukamoto, Y. Ito, S. Sugimoto, S. Kouno, D. Yamazaki …

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 36(8) 856-858 2015年8月査読有り
Development of Large-Area Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrates

M. Niraula, K. Yasuda, H. Yamashita, Y. Wajima, M. Matsumoto, N. Takai, Y. Tsukamoto, Y. Suzuki, Y. Tsukamoto, Y. Agata

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE 61(5) 2555-2558 2014年10月査読有り
Development of Nuclear Radiation Detectors by Use of Thick Single-Crystal CdTe Layers Grown on (211) p(+)-Si Substrates by MOVPE

K. Yasuda, M. Niraula, Y. Wajima, H. Yamashita, N. Takai, Y. Suzuki, M. Matsumoto, Y. Tsukamoto, Y. Tsukamoto, Y. Agata

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 43(8) 2860-2863 2014年8月査読有り
Vapor-phase epitaxial growth of thick single crystal CdTe on Si substrate for X-ray, gamma ray spectroscopic detector development

Madan Niraula, Kazuhito Yasuda, Hayate Yamashita, Yuto Wajima, Yudai Tsukamoto, Masahiko Matsumoto, Yuta Suzuki, Noriaki Takai, Yuki Tsukamoto, Yasunori Agata

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 11, NO 7-8 11(7-8) 1333-1336 2014年査読有り
Postgrowth Annealing of CdTe Layers Grown on Si Substrates by Metalorganic Vapor-Phase Epitaxy

K. Yasuda, M. Niraula, S. Namba, T. Kondo, S. Muramatsu, H. Yamashita, Y. Wajima, Y. Agata

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS 42(11) 3125-3128 2013年11月査読有り
Charge transport properties of p-CdTe/n-CdTe/n(+)-Si diode-type nuclear radiation detectors based on metalorganic vapor-phase epitaxy-grown epilayers

M. Niraula, K. Yasuda, Y. Wajima, H. Yamashita, Y. Tsukamoto, Y. Suzuki, M. Matsumoto, N. Takai, Y. Tsukamoto, Y. Agata

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 114(16) 164510-1-164510-5 2013年10月査読有り
MOVPE Growth of Thick Single Crystal CdZnTe Epitaxial Layers on Si Substrates for Nuclear Radiation Detector Development

M. Niraula, K. Yasuda, S. Namba, T. Kondo, S. Muramatsu, Y. Wajima, H. Yamashita, Y. Agata

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE 60(4) 2859-2863 2013年8月査読有り
Fabrication and Characterization of X-Ray Spectroscopic Imaging Arrays Based on Thick Single-Crystal CdTe Epitaxial Layers

Madan Niraula, Kazuhito Yasuda, Syuhei Namba, Takaki Kondo, Shinya Muramatsu, Hayate Yamashita, Yuto Wajima, Yasunori Agata

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 59(12) 3450-3455 2012年12月査読有り
Development of Spectroscopic Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrates

M. Niraula, K. Yasuda, N. Fujimura, T. Tachi, H. Inuzuka, S. Namba, T. Kondo, S. Muramatsu, Y. Agata

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE 59(6) 3201-3204 2012年12月査読有り

もっとみる

MISC

放射線エネルギーを識別可能な画像検出器の開発

安田和人, Niraula Madan

光アライアンス 23(6) 33-36 2012年6月1日

講演・口頭発表等

Low Temperature Annealing of CdTe Detectors with Evaporated Gold Contacts and its effect on Detector Performance

M. Niraula, K. Yasuda, Y. Takagi, S. Fuji

IEEE-2021 The 28th International Symposium on Room-Temperature Semiconductor Detectors (RTSD) 2021年10月18日 IEEE Nuclear and Plasma Science Society
Growth and characterization of single-crystal lead halide perovskite for X-ray detector application

MM. Islam, M. Niraula, Y. Nakashima, T. Matsubara, S. Hirano, Y. Takagi, K. Yasuda

IEEE-2021 The 28th International Symposium on Room-Temperature Semiconductor Detectors (RTSD) 2021年10月18日 IEEE Nuclear and Plasma Science Society
Perovskite Single Crystal Growth for for X-ray Detector Application

MM. Islam, Y. Nakashima, T. Matsubara, S. Hirano, Y. Takagi, M. Niraula, K. Yasuda

2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月10日応用物理学会
Evaluation of dislocation densities and their distribution in epitaxial (211)CdTe/Si

Bal Singh Chaudhari, Hayata Goto, Madan Niraula, Kazuhito Yasuda

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
MOVPE法によるn+-(211)Si上のCdTe成長層の成長室内アニール処理検討

松原敏樹, 小林竜大, 後藤颯汰, 藤井成弥, 中島幸寛, 平野颯涼, ニラウラマダン, 安田和人

2021年第68回応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日応用物理学会
Epitaxial CdTe on Si Heterojunction Diode-Type Detector Performance and Analysis

M. Niraula, K. Yasuda, B. S. Chaudhari, H. Goto, T. Kobayashi, S. Fujii

IEEE-2020 The 27th International Symposium on Room-Temperature Semiconductor Detectors (RTSD) 2020年10月31日 IEEE Nuclear and Plasma Science Society
MOVPE法による(211)Si基板上のCdTe層の成長室内熱処理検討

藤井成弥, 田村怜也, 鳥居稜, 東良悠喜, 小林竜大, 後藤颯汰, 安形保則, ニラウラマダン, 安田和人

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月12日応用物理学会
Properties of iodine-doped CdTe layers on (211) Si grown at high substrate temperatures by MOVPE

M. Niraula, K. Yasuda, R. Torii, Y. Higashira, R. Tamura, B. S. Chaudhari, T. Kobayashi, H. Goto, S. Fujii, Y. Agata

The 2019 U.S. Workshop on the Physics and Chemistry of II-VI Materials 2019年11月18日 American Physical Society
MOVPE法による(211)Si基板上のn-CdTe層の厚膜化と高電子密度化に関する検討 [II]

東良悠喜, 森拓郎, 田村怜也, 鳥居稜, 安形保則, ニラウラマダン, 安田和人

2019年第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月9日公益財団法人応用物理学会
MOVPE法による(211)Si基板上のn-CdTe層の厚膜化と高電子密度化に関する検討 [Ⅰ]

鳥居稜, 森拓郎, 田村怜也, 東良悠喜, 安形保則, ニラウラマダン, 安田和人

2019年第66回応用物理学会春季学術講演会 2019年3月9日公益財団法人応用物理学会
Advances in the Crystal Growth and Device Fabrication Techniques of Thick CdTe/Si Epitaxial Layers based Nuclear Radiation Detectors

M. Niraula, K. Yasuda, T. Mori, R. Torii, R. Tamura, Y. Higashira, Y. Agata

IEEE 2018- 25th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors, 2018年11月10日 IEEE Nuclear and Plasma Science Society 招待有り
MOVPE Growth and Characterization of Iodine-Doped n-CdTe Layers on (211)Si Substrates Grown at High Substrate Temperatures

M. Niraula, K. Yasuda, T. Mori, B. S. Chaudhari, R. Tamura, Y. Higashira, R. Torii, Y. Agata

IEEE 2018- 25th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors 2018年11月10日 IEEE Nuclear and Plasma Science Society
MOVPE法によるSi基板上のCdTe成長層の膜厚均一化に関する検討

田村怜也, 森拓郎, 鳥居稜, 東良悠喜, 安形保則, ニラウラ・マダン, 安田和人

2018 第79回応用物理学会学秋季学術講演会 2018年9月18日公益社団法人応用物理学会
Development of X-ray Imaging Sensors Based on Epitaxially Grown Thick CdTe Layers on Si Substrates

M. Niraula, K. Yasuda, S. Tsubota, T. Yamaguchi, J. Ozawa, T. Mori, Y. Agata

2018年第79回応用物理学会学秋季学術講演会 2018年9月18日公益社団法人応用物理学会
電気電子工学と機械工学の双方の知識を有する人材育成のための学生実験の改革

ニラウラマダン, 平田晃正, 王建青, 山田学, 牛島達, 早川伸哉

平成３０年度工学教育研究講演会、第66回年次大会 2018年8月29日公益社団法人日本工学教育協会/東海工学教育協会
MOVPE法による(211)CdTe/Si成長層のアニール処理の検討

森拓郎, 小澤潤也, 坪田眞太郎, 山口大貴, 安形保則, ニラウラ・マダン, 安田和人

2018年第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年3月17日応用物理学会
Post Growth Annealing of MOVPE-Grown Single Crystal CdTe Epilayers on (211) Si Substrates

M. Niraula, K. Yasuda, J. Ozawa, T. Yamaguchi, S. Tsubota, T. Mori, Y. Agata

IEEE 2017- 24th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors 2017年10月21日 IEEE Nuclear and Plasma Science Society
Development of Fine-Pixel X-ray Imaging Arrays using CdTe/n+-Si Epitaxial Layers

M. Niraula, K. Yasuda, S. Tsubota, T. Yamaguchi, J. Ozawa, T. Mori, Y. Agata

IEEE 2017- 24th International Workshop on Room-Temperature Semiconductor X-and Gamma-Ray Detectors 2017年10月21日 IEEE Nuclear and Plasma Science Society 招待有り
MOVPE 法による(211)Si 上の CdTe 成長層の方位関係の検討

坪田眞太郎, 小島將弘, 北川翔三, 小澤潤也, 山口大貴, 安形保則, ニラウラ・マダン, 安田和人

2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月14日応用物理学会
MOVPE 法による(211)Si 基板上の CdTe 層を用いた大面積放射線検出器アレイの作製

小澤潤也, 北川翔三, 小島將弘, 坪田眞太郎, 山口大貴, 安田和人, ニラウラ・マダン, 安形保則

2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月14日応用物理学会

もっとみる

共同研究・競争的資金等の研究課題

テルル化カドミウムによる高エネルギー分解能放射線画像検出器の開発

2003年4月 - 現在
半導体放射線検出器の高性能化に関する研究

2002年4月 - 現在
医療用高性能大面積半導体放射線画像検出器の開発

2002年4月 - 現在
Si基板上のCdTe成長層を用いたX線画像検出器の性能と信頼性向上に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2020年4月 - 2023年3月

ニラウラマダン
CdTe成長層を用いた医療用高感度大面積Ｘ線画像検出器アレイの開発

民間財団等財）中谷医工計測技術振興財団平成28年度開発研究助成 2017年4月 - 2018年3月

ニラウラマダン
半導体放射線検出器の高性能化に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2008年4月 - 2011年3月

ニラウラマダン
医療用高性能大面積半導体放射線画像検出器の開発

経済産業省産業技術研究助成(NEDO) 2003年10月 - 2006年9月

ニラウラマダン
テルル化カドミウムによる高エネルギー分解能放射線画像検出器の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2003年4月 - 2006年3月

ニラウラマダン

産業財産権

特願2017-107264 半導体放射線検出器

安田和人, ニラウラマダン
1691422 Method for manufacturing a semiconductor radiation detector

YASUDA, Kazuhito, NIRAULA, Madan
1691422 Method for manufacturing a semiconductor radiation detector

安田和人, ニラウラマダン
1691422 Method for manufacturing a semiconductor radiation detector

安田和人, ニラウラマダン
2011-109374 放射線検出器の製造方法

安田和人, ニラウラマダン
第4131498号半導体放射線検出器

安田和人, ニラウラマダン
第4107616号半導体放射線検出器の製造方法

安田和人, ニラウラマダン
US 7,355,185 Semiconductor Radiation Detector and Process for Producing the Same

Kazuhito Yasuda, Madan Niraula