荒木 努


荒木 努

J-GLOBALへ         更新日: 19/06/08 02:44
 
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研究者氏名
荒木 努
 
アラキ ツトム
URL
http://www.ritsumei.ac.jp/se/re/taraki/index.html
所属
立命館大学
部署
理工学部電気電子工学科
職名
教授
学位
博士(工学)(大阪府立大学)
その他の所属
立命館大学立命館大学

研究キーワード

 
 

学歴

 
 
 - 
1992年
大阪府立大学 工学部 金属工学科
 
 
 - 
1994年
大阪府立大学大学院 工学研究科 金属工学
 
 
 - 
1996年
大阪府立大学大学院 工学研究科 金属工学
 

受賞

 
2005年9月
応用物理学会 応用物理学会論文賞
 

論文

 
D. Dobrovolskas, S. Arakawa, S. Mouri, T. Araki, Y. Nanishi, J. Mickevičius, G. Tamulaitis
nanomaterials   9(3) 417/1-8   2019年3月
R. Sugie, T. Uchida, T. Fujii, and T. Araki
Jpn. J. Appl. Phys.   58(1) 010902/1-4   2019年1月
F. Abas, R. Fujita, S. Mouri, T. Araki, and Y. Nanishi
Jpn. J. Appl. Phys.   57(3) 035502/1-4   2018年3月
M. Imura, S. Tsuda, H. Takeda, T. Nagata, R. G. Banal, H. Yoshikawa, A. Yang, Y. Yamashita, K. Kobayashi, Y. Koide, T. Yamaguchi, M. Kaneko, N. Uematsu, K. Wang, T. Araki, and Y. Nanishi
J. Appl. Phys.   123(9) 095701/1-8   2018年3月
F. Abas, R. Fujita, S. Mouri, T. Araki and Y. Nanishi
MRS Advances   3(18) 931-936   2018年2月

書籍等出版物

 
Indium Nitride and Related Alloys
Y. Nanishi, T. Araki, and T. Yamaguchi
CRC   2009年   

講演・口頭発表等

 
Structural analyses using TEM and XRD of GaInN films grown on GaN templates by RF-MBE
The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '19)   2019年4月24日   
Metal Covered Van Der Waals Epitaxy of GaN Thin Film on Graphene
The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '19)   2019年4月24日   
Polarity Dependent Photoluminescence of GaN/MoS2 Hetero Structure
The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '19)   2019年4月24日   
Indium Nitride Growth with in situ Surface Modification by RF-MBE
The 7th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA '19)   2019年4月24日   
THz域電磁波分光解析による半導体薄膜の非接触・非破壊電気特性測定
電気化学会第86回大会   2019年3月27日   

担当経験のある科目

 

特許

 
2006-140397 : 窒化物系化合物半導体製造装置
2005-327851 : 酸化ガリウム単結晶複合体及びその製造方法並びに酸化カリウム単結晶複合体を用いた窒化物半導体膜の製方法