不揮発性メモリとして、アモルファス/結晶変化を利用した相変化メモリ(PCRAM)が注目されている。現在、PCRAM材料として、GeSbTe材料が実用化されているが、結晶化温度(Tc)が低くデータ保持性能に劣る。一方、高Tc材料を用いればデータ保持性能は向上するが、データ書換速度の遅延を生む。それ故、高いTcを維持しつつ、結晶化速度を速める必要がある。
本研究では、相変化材料の表面・界面制御による相変化速度向上を試みた。その結果、GeTe-Si薄膜の表面酸化により、表面からの不均一核生成によって結晶化が進行する事が分かった。また、その不均一核生成により結晶化速度が速くなることが明らかとなった。