2016年
電子線照射で形成したMoS2原子層ショットキー接合からの光電流検出
日本物理学会講演概要集
- 巻
- 71
- 号
- 0
- 開始ページ
- 1174
- 終了ページ
- 1174
- 記述言語
- 日本語
- 掲載種別
- DOI
- 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1174
- 出版者・発行元
- 一般社団法人 日本物理学会
<p>我々は少数層MoS2に電子線照射し半導体・金属転移を創製しその界面に原子層の薄さのショットキー接合が形成出来ることをNano Lettersに報告して来た。今回そのショットキー接合に光照射し、光電流を検出したので報告する。この接合への高電界集中と高効率光電流検出を、ゲート電圧・照射光振動数などとの相関から明らかにする。</p>
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.11316/jpsgaiyo.71.2.0_1174
- CiNii Articles ID : 130006243820
- identifiers.cinii_nr_id : 9000376928243