2012年4月 - 2015年3月
シリコンへの過飽和ドープによる巨大な赤外光吸収帯の出現と中間バンドの形成
日本学術振興会 科学研究費補助金 基盤研究（Ｃ），研究課題番号24560020
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- 配分額
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- (総額)
- 400,000円
- (直接経費)
- 0円
- (間接経費)
- 0円
- 資金種別
- 競争的資金
本人の分担：シリコン結晶への高ドーズ金属イオン注入と熱処理による，結晶性及び珪化物生成の評価・解析，「研究分担者」として参画