干川圭吾 (Keigo Hoshikawa) - マイポータル

基本情報

所属: 信州大学工学部電子情報システム工学科 (名誉教授)

学位: 工学博士

J-GLOBAL ID: 200901059334626094
researchmap会員ID: 5000069715

研究キーワード

バルク結晶成長シリコン単結晶化合物半導体結晶酸化物結晶サファイア酸化ガリウム単結晶

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 / 単結晶、シリコン、化合物半導体、酸化物、結晶育成

経歴

2014年4月 - 2017年3月

信州大学, 工学部, 特任教授
2008年4月 - 2014年3月

信州大学, 工学部, 客員教授 (名誉教授)
1992年

- 信州大学教育学部教授
1990年

- 東北大学金属材料研究所助教授
1987年

- NTTLSI研究所主幹研究員

学歴

委員歴

1976年1月 - 2007年3月

日本学術振興会結晶加工と評価技術第145委員会, 幹事
1996年4月 - 2006年10月

日本学術振興会結晶成長の科学と技術第161委員会, 幹事
1993年4月 - 1997年3月

日本結晶成長学会, バルク成長分科会幹事長
1993年4月 - 1996年3月

応用物理学会, 欧文誌(Jpn.J.Appl.Phsy)論文編集委員

受賞

2018年11月

業績賞・赤崎勇賞, 機能性バルク単結晶育成技術の開拓と実用化, 日本結晶成長学会
2014年7月

信毎賞, 多種の機能性単結晶の研究開発と実用化により電子産業界への多大な貢献, 信濃毎日新聞社
2012年9月

応用物理学会フェロー表彰, 応用物理学会
2004年8月

貢献賞, 日本結晶成長学会
2003年7月

論文賞, 日本結晶成長学会
1992年

日本結晶成長学会論文賞
1987年

大河内記念技術賞
1985年

日本金属学会技術開発賞
1982年

新技術開発事業団井上春成賞

論文

Growth of (1 0 0), (0 1 0) and (0 0 1) β-Ga2O3 single crystals by vertical Bridgman method

Etsuko Ohba, Takumi Kobayashi, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa

Journal of Crystal Growth 556 2021年2月15日
Defect characterization of beta-Ga2O3 single crystals grown by vertical Bridgman method

Etsuko Ohba, Takumi Kobayashi, Motohisa Kado, Keigo Hoshikawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(12) 2016年12月査読有り
Anisotropy of ionic conduction in single-crystal LixLa( 1-x )/3NbO3 solid electrolyte grown by directional solidification

Yasuyuki Fujiwara, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa, Keiichi Kohama, Hideki Iba

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(9) 2016年9月査読有り
Colony structure in Ce-doped Al2O3/YAG eutectic systems grown by vertical Bridgman technique

Seiya Yamada, Masafumi Yoshimura, Shin-ichi Sakata, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 448 1-5 2016年8月査読有り
The growth of Al2O3/YAG:Ce melt growth composite by the vertical Bridgman technique using an a-axis Al2O3 seed

Masafumi Yoshimura, Shin-Ichi Sakata, Seiya Yamada, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa

Journal of Crystal Growth 427 16-20 2015年7月25日
Contact angle of sapphire melt and bubble generation on crucible material

Takaomi Suzuki, Kou Shirotsuki, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 401 508-510 2014年9月査読有り
Development of the vertical Bridgman technique for 6-inch diameter c-axis sapphire growth supported by numerical simulation

Chihiro Miyagawa, Takumi Kobayashi, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 402 83-89 2014年9月査読有り
Morphology and formation mechanism of metallic inclusions in VB-grown sapphire crystals

Toshinori Taishi, Takumi Kobayashi, Minami Shinozuka, Etuko Ohba, Chihiro Miyagawa, Keigo Hoshikawa

2013年8月
Demonstration of crack-free c-axis sapphire crystal growth using the vertical Bridgman method

Chihiro Miyagawa, Takumi Kobayashi, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa

J. Cryst. Growth 372 95-99 2013年
Crystal Growth of Indium-Doped Czochralski Silicon for Photovoltaic Application

Xuegong Yu, Xue Zheng, Keigo Hoshikawa, Deren Yang

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51(10) 2012年10月査読有り
Czochralski-growth of germanium crystals containing high concentrations of oxygen impurities

Toshinori Taishi, Hideaki Ise, Yu Murao, Takayuki Osawa, Masashi Suezawa, Yuki Tokumoto, Yutaka Ohno, Keigo Hoshikawa, Ichiro Yonenaga

Journal of Crystal Growth 312(19) 2783-2787 2010年9月
Temperature dependences of acceptor concentration, conductivity mobility, and resistivity of Ga-doped Czochralski-Si crystals

Takeshi Hoshikawa, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa, Ichiro Yonenaga, Satoshi Uda

Japanese Journal of Applied Physics 48(3) 031102-031102-4 2009年3月23日査読有り
Generation and suppression of misfit dislocations at the seed/crystal interface in Si bulk crystal growth

Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa, Yutaka Ohno, Ichiro Yonenaga

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, NO 8 6(8) 1886-+ 2009年査読有り
Relationship between Gallium Concentration and Resistivity of Gallium-Doped Czochralski Silicon Crystals: Investigation of a Conversion Curve

Takeshi Hoshikawa, Xinming Huang, Keigo Hoshikawa, Satoshi Uda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47(12) 8691-8695 2008年12月査読有り
Influence of seed/crystal interface shape on dislocation generation in Czochralski Si crystal growth

Toshinori Taishi, Yutaka Ohna, Ichiro Yonenaga, Keigo Hoshikawa

PHYSICA B-CONDENSED MATTER 401 560-563 2007年12月査読有り
In situ observations of crystal growth of spherical Si single crystals

Xinining Huang, Satoshi Uda, Hideyoshi Tanabe, Nobuyuki Kitahara, Hisao Arimune, Keigo Hoshikawa

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 307(2) 341-347 2007年9月査読有り
Temperature dependence of Raman scattering in Si crystals with heavy B and/or Ge doping

Xinming Huang, Kehui Wu, Mingwei Chen, Taishi Toshinori, Keigo Hoshikawa, Shinji Koh, Satoshi Uda

Materials Science in Semiconductor Processing 9(1-3) 257-260 2006年6月査読有り
Reaction at the interface between Si melt and a Ba-doped silica crucible

XM Huang, SJ Koh, KH Wu, MW Chen, T Hoshikawa, K Hoshikawa, S Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 277(1-4) 154-161 2005年4月査読有り
Robust Si wafer

Xinming Huang, Tsuyoshi Sato, Masami Nakanishi, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa, Satoshi Uda

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 275(1-2) E401-E407 2005年2月査読有り
Dislocation-free CZ-Si crystal growth without the thin Dash-neck

Xinming Huang, Toshinori Taishi, Keigo Hoshikawa

International Journal of Materials and Product Technology 22(1-3) 64-83 2005年

MISC

Si multicrystals grown by the Czochralski method with multi-seeds

HOSHIKAWA Takeshi, TAISHI Toshinori, HUANG Xinming, UDA Satoshi, YAMATANI Muneyoshi, SHIRASAWA Katsuhiko, HOSHIKAWA Keigo

J. Cryst. Growth 307(2) 466-471 2007年
Influence of crystalline defects in Czochralski-grown Si multicrystal on minority carrier lifetime

TAISHI Toshinori, HOSHIKAWA Takeshi, YAMATANI Muneyoshi, SHIRASAWA Katsuhiko, HUANG Xinming, UDA Satoshi, HOSHIKAWA Keigo

J. Cryst. Growth 306(2) 452-457 2007年
Dislocation-free Czochralski Si crystal growth without a thin neck: dislocation behavior due to incomplete seeding

TAISHI Toshinori, HUANG Xinming, YONENAGA Ichiro, HOSHIKAWA Keigo

Journal of Crystal Growth 258 58-64 2003年
High Strength Si Wafers with Heavy B and Ge Codoping

Huang Xinming, Sato Tsuyoshi, Nakanishi Masami, Taishi Toshinori, Hoshikawa Keigo

Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters 42(12B) L1489-L1491 2003年
Dislocation Formation in Czochralski Si Crystal Growth Using an Annealed Heavily B-Doped Si Seed

Yu Xuegong, Taishi Toshinori, Huang Xinming, Yang Deren, Hoshikawa Keigo

Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters 42(11A) L1299-L1301 2003年
細いネック部を形成しない無転位CZ-Si結晶成長

干川圭吾, 太子敏則, 黄新明

日本結晶成長学会誌 29(5) 413-422 2002年12月25日
Dislocation behavior in heavily germanium-doped Si crystal

TAISHI Toshinori, HUANG Xinming, YONENAGA Ichiro, HOSHIKAWA Keigo

Material Science in Semiconductor Processing 5 409 2002年
X-Ray Topographic Observation of Dislocation Generation at the Seed/Crystal Interface of Czochralski-Grown Si Highly Doped with B Impurity

Yonenaga Ichiro, Taishi Toshinori, Huang Xin Ming, Hoshikawa Keigo

Materials Science and Engineering B - Solid State Materials for Advanced Technology B91-92 192-195 2002年
Behavior of Dislocations due to Thermal Shock in B-Doped Si Seed in Czochralski Si Crystal Growth

Taishi Toshinori, Huang Xin Ming, Wang Tie Feng, Yonenaga Ichiro, Hoshikawa Keigo

Journal of Crystal Growth 241[2] 277-282 2002年
Dynamic Characteristics of Dislocations in Highly Boron-Doped Silicon

Yonenaga Ichiro, Taishi Toshinori, Huang Xin Ming, Hoshikawa Keigo

Journal of Applied Physics 89[10] 5788-5790 2001年
Dislocation-Free Czochralski Silicon Crystal Growth without Dash Necking

Huang Xin Ming, Taishi Toshinori, Yonenaga Ichiro, Hoshikawa Keigo

Japanese Journal of Applied Physics 40[1] 12-17 2001年
Dislocation-Free B-Doped Si Crystal Growth without Dash Necking in Czochralski Method: Influence of B Concentration

Huang Xin Ming, Taishi Toshinori, Yonenaga Ichiro, Hoshikawa Keigo

Journal of Crystal Growth 213 283-287 2000年
パソコン通信の情報処理教育への活用

干川圭吾, 土井進, 小林輝行, 守一雄, 石澤孝, 杵渕恭宏

信州大学教育学部教育実践研究指導センター紀要 2 57-67 1994年6月30日
Homogeneous Dopant Distribution of Silicon Crystal Grown by Vertical Magnetic Field-Applied Czochralski Method

Hoshikawa Keigo, Kohda Hiroki, Hirata Hiroshi

Japanese Journal of Applied Physics 23(1) L37-L39 1984年
Homogeneity of Vertical Magnetic Field Applied LEC GaAs Crystal

Osaka Jiro, Kohda Hiroki, Kobayashi Takashi, Hoshikawa Keigo

Japanese Journal of Applied Physics 23(4) L195-L197 1984年
Czochralski Silicon Crystal Growth in the Vertical Magnetic Field

Hoshikawa Keigo

Japanese Journal of Applied Physics 21(9) L545-L547 1982年
Dynamic behavior of oxygen, heavily doped other impurities and grown-in defect in the Czochralski Si crystal growth: K.Hoshikawa,X.Huang, S.Sakai,S.Oishi,T.Taishi and K.Yamahara, The Fifth Symposium on Atomic-Scale Surface and Interface Dinamics, Tokyo・・・

書籍等出版物

Vertical Bridgman Growth Method

Keigo Hoshikawa

Springer 2020年
Growth of β-Ga2O3 single crystal

Keigo Hoshikawa

Elsevier Inc 2019年
結晶育成装置の開発と育成技術

干川圭吾

通研半導体技術史（装置編）編集委員会 2016年
シリコン結晶技術 ―成長・加工・欠陥制御・評価― 「CZ法」

干川圭吾

日本学術振興会第145委員会技術の伝承プロジェクト編集委員会編 2015年
サファイア結晶成長技術の最新動向

干川圭吾

電子ジャーナル出版 2013年
バルク単結晶の最新技術と応用開発＜単結晶製造技術－量産技術編＞

干川圭吾

シーエムシー出版 2006年
Silicon： Bulk Crystal Growth of Electronic, Optical and Optoelectonic Materials

T.Hibiya, K. Hoshikawa

John Wiley & Sons, Ltd 2005年
Dislocation-free CZ-Si crystal growth without the thin Dash-neck

X.Huang, T.Taishi, K. Hoshikawa

International Journal of Materials & Product Technology, Inderscience Enterprises Limitted, 2005年
「実験物理学講座４;試料作製技術」

2000年
「現代エレクトロニクスを支える単結晶成長技術」

培風館 1999年
「バルク結晶成長技術」

1995年

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

酸化ホウ素で覆われた融液からのゲルマニウム結晶成長における酸素の輸送機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 2010年 - 2012年

太子敏則, 米永一郎, 干川圭吾
不純物添加高結合ニオブ酸カリウム単結晶の育成と分域制御技術の確立

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2006年 - 2007年

干川圭吾, 番場場子, 太子敏則, 深海龍夫
シリコン融液/石英ガラスの界面反応制御に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2005年 - 2006年

黄新明, 宇田聡, 黄晋二, CHEN Mingwei, 干川圭吾
科学者の「問いの連鎖」に学ぶWEBベース学習支援システムとコンテンツの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2003年 - 2004年

東原義訓, 干川圭吾, 藤森裕治, 井田秀行, 赤羽貞幸, 中村浩志
電場・磁場を同時に用いた対流高精度制御半導体結晶成長法の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2002年 - 2004年

柿本浩一, 干川圭吾, 石井秀夫, 劉立軍, 橋本良夫
高強度・耐熱応力高濃度不純物添加シリコン結晶基板の提案

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2002年 - 2002年

干川圭吾
シリコン融液/石英ガラス接触系における非平衡高温熱化学反応機構の解明に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2001年 - 2002年

干川圭吾, 岡野泰則, 大石修治
シリコン結晶成長系における高温熱反応と熱・物質移動現象

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1999年 - 2000年

干川圭吾, 岡野泰則
光・電子材料用バルク単結晶作製プロセスの化学工学的検討および制御法の体系化

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1995年 - 1997年

今石宣之, 干川圭吾, 熊川征司, 塚田隆夫, 平田彰, 尾添紘之
史跡・博物館見学による作業的・体験的学習のための画像教材の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業一般研究(C) 1994年 - 1994年

土井進, 干川圭吾
CZ法単結晶作成におけるTwisting

日本学術振興会科学研究費助成事業重点領域研究 1992年 - 1992年

福田承生, 干川圭吾, 岡野泰則
CZ法単結晶作成におけるTwisting

日本学術振興会科学研究費助成事業重点領域研究 1991年 - 1991年

福田承生, 岡野泰則, 干川圭吾
磁場印加単結晶引き上げ法における熱・物質移動現象の解明の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業一般研究(B) 1990年 - 1991年

福田承生, 塚田隆夫, 宝沢光紀, 岡野泰則, 干川圭吾