2015年4月 - 2018年3月
リチウム三元化合物を用いたリチウムイオン挿入脱離型メモリスタの実現
日本学術振興会 科学研究費助成事業 基盤研究(C) 基盤研究(C)
本研究は、リチウムイオン2次電池の技術を応用し、リチウム3元化合物中のリチウムイオンの挿入・脱離による可逆的電子構造変化(価電子帯が金属的電子配置~半導体的電子配置に変化)に基づく電気抵抗の変化を制御することにより、メモリスタ効果の実現を目的とする。
特に、当該研究期間において、種々のリチウム3元化合物において漸次リチウムを脱離させた構造に対し、lapw+lo法(Wien2k)を用いて電子状態計算を行うとともに、電子輸送特性に関するシミュレーションを行った。その結果、種々の材料の中でも、Li2CN2はリチウムの挿入・脱離させた前後で電気抵抗が有意に変化することを明らかにした。
特に、当該研究期間において、種々のリチウム3元化合物において漸次リチウムを脱離させた構造に対し、lapw+lo法(Wien2k)を用いて電子状態計算を行うとともに、電子輸送特性に関するシミュレーションを行った。その結果、種々の材料の中でも、Li2CN2はリチウムの挿入・脱離させた前後で電気抵抗が有意に変化することを明らかにした。
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- 課題番号 : 15K05984
- 体系的課題番号 : JP15K05984