高橋 庸夫

J-GLOBALへ         更新日: 18/10/12 16:21
 
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研究者氏名
高橋 庸夫
 
タカハシ ヤスオ
URL
http://www.ist.hokudai.ac.jp/labo/nano-mat/
所属
北海道大学
部署
大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 先端エレクトロニクス講座
職名
教授
学位
<工学博士 1982年>(東北大学)

研究分野

 
 

経歴

 
2012年
   
 
北海道大学 大学院・情報科学研究科 教授
 
1982年
 - 
1983年
 日本電信電話公社(現NTT)入社 武蔵野電気通信研究所配属 研究員
 
1983年
 - 
1986年
 NTT 厚木電気通信研究所 研究員
 
1986年
 - 
1990年
 NTT LSI研究所 主任研究員
 
1990年
 - 
1996年
 NTT LSI研究所 主幹研究員
 
1996年
 - 
1999年
 NTT 基礎研究所 主幹研究員
 
1999年
 - 
2004年
 NTT 物性科学基礎研究所  SIナノデバイス研究グループリーダー
 
2002年
 - 
2004年
 物性科学基礎研究所 先端デバイス研究部 部長
 

学歴

 
 
 - 
1982年
東北大学 工学系研究科 電子工学専攻
 
 
 - 
1977年
東北大学  工学部  電子工学科 卒
 

委員歴

 
2013年12月
 - 
現在
Silicon Nanoelectronics Workshop  General Chair
 
2013年4月
 - 
現在
IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC)-2014  Organizing Committee Chair
 
2013年3月
 - 
現在
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会  幹事長
 
2012年4月
 - 
現在
日本工学教育協会  学教育賞選考委員会委員
 
2010年4月
 - 
現在
北海道工学教育協会  理事
 
2012年6月
 - 
2013年12月
Silicon Nanoelectronics Workshop  Program Comittee Chair
 
2011年3月
 - 
2013年3月
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会  副幹事長
 
2009年
 - 
2011年
電子情報通信学会  学生会委員 評議員
 
2005年
 - 
2007年
応用物理学会  代議員
 
2007年
 - 
2009年
応用物理学会  代議員
 

受賞

 
2014年4月
応用物理学会 APEX/JJAP編集貢献賞 APEX/JJAP編集貢献賞
 
2009年9月
応用物理学会 応用物理学会フェロー フェロー
 
2006年9月
応用物理学会 第28回応用物理学会論文賞(JJAP論文賞)
受賞者: 堀口誠二、藤原聡、猪川洋、高橋庸夫
 
2005年
IEEE Computer Society 35th ISMVL Outstanding Contributed Paper Award
 
2003年
応用物理学会論文賞(JJAP 論文賞)
 
2003年
IEEE Computer Society 33th ISMVL Distinctive Contributed Paper Award
 
1999年
IEEE Int. SOI Conference Best Paper Award
 
1998年
国際固体素子材料国際会議(SSDM) Best Paper Award
 

論文

 
Detection of single holes generated by impact ionization in silicon
Applied Physics Letters   113    2018年12月   [査読有り]
EELS Analysis on Oxygen Scavenging Effect in a Resistive Switching Structure of Pt/Ta/SrTiO3/Pt,
MRS Advances   33(3) 1925-1930   2018年1月   [査読有り]
Smooth Interfacial Scavenging for Resistive Switching Oxide via the Formation of Highly Uniform Layers of Amorphous TaOx
ACS Applied Materials & Interface   10 5609-5617   2018年1月   [査読有り]
Probing Electrochemistry at the Nanoscale: In Situ TEM and STM Characterizations of Conducting Filaments in Memristive Devices
Journal of Electroceramics   39(1-4) 73-93   2017年12月   [査読有り][招待有り]
In-situ electron microscopy of Cu movement in MoOx/Al2O3 bilayer CBRAM during cyclic switching process
ECS Transactions   80(10) 903-910   2017年11月   [査読有り]
Observation of Conductive Filament in CBRAM at Switching Moment
ECS Transactions   80(10) 895-902   2017年11月   [査読有り]
Evaluation of Coupled Triple Quantum Dots with Compact Device Structure
高橋 庸夫、内田 貴史、福地 厚、有田 正志、藤原 聡
ECS Transactions   80(4) 173-180   2017年9月   [査読有り][招待有り]
Takafumi Uchida, Mingyu Jo, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Akira Fujiwara, and Yasuo Takahashi
Journal of Applied Physics   120(234502) 1-6   2016年12月   [査読有り]
Brownian Circuits: Designs
Jia Lee, Ferdinand Peper, Sorin D. Cotofana, Makoto Naruse, Motoichi Ohtsu, Tadashi Kawazoe, Yasuo Takahashi, Tetsuya Shimokawa, Laszlo B. Kish, and Tohru Kubota
International Journal of Unconventional Computing   12(5-6) 341-362   2016年12月   [査読有り]
Investigation on switching operation in resistive RAM using in-situ TEM
M. Arita, Y. Takahashi
Proc. 3rd International Multidisciplinary Microscopy and Microanalysis Congress (InterM)   205-214   2016年11月   [査読有り][招待有り]
Ryouta Yonesaka, *Satoshi Muto, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi,, Masashi Arita, and Yasuo Takahashi
Proceedings of the 16th International Conference on Nanotechnology   790-791   2016年8月   [査読有り]
Takashi Morie, Haichao Liang, Takashi Tohara, Hirofumi Tanaka, Makoto Igarashi, Seiji Samukawa, Kazuhiko Endo, and Yasuo Takahashi
Proceedings of the 16th International Conference on Nanotechnology   390-392   2016年8月   [査読有り][招待有り]
T. Uchida, M. Jo, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, A. Fujiwara, and Y. Takahashi
Proceedings of the 16th International Conference on Nanotechnology   119-122   2016年8月   [査読有り]
M. Arita, Y. Ohno, Y. Murakami, K. Takamizawa, A. Tsurumaki-Fukuchi, Y. Takahashi
Nanoscale   8 14754-14766   2016年8月   [査読有り]
H. W. Kye, B. N. Song, S. E. Lee, J. S. Kim, S. J. Shin, Jung-Bum Choi, Y. S. Yu, and Y. Takahashi
AIP Advances   6(025320) 1-6   2016年2月   [査読有り]
Takashi Tohara, Haichao Liang, Hirofumi Tanaka, Makoto Igarashi, Seiji Samukawa, Kazuhiko endo, Yasuo Takahashi, and Takashi Morie
Applied Physics Express,   9(034201) 1-4   2016年2月   [査読有り]
Masashi Arita, Yuuki Ohno, and Yasuo Takahashi
Switching of Cu/MoOx/TiN CBRAM occurred at MoOx-TiN interface
Physica Status Solidi A   213(2) 306-310   2016年2月   [査読有り]
Identification of Double Quantum Dots in Nanowire Devices by Single-Gate Sweeps
Hiroshi Inokawa and Yasuo Takahashi
JJAP Conference Proceedings   4(011201) 1-5   2016年   [査読有り]
Mingyu Jo, Takafumi Uchida, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Akira Fujiwara, Yukinori Ono, Katsuhiko Nishiguchi, Hiroshi Inokawa, and Yasuo Takahashi
Journal of Applied Physics   118(214305) 1-6   2015年12月   [査読有り]
Masashi Arita, Akihito Takahashi, Yuuki Ohno, Akitoshi Nakane, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, and Yasuo Takahashi
Scientific Reports   5(17103) 1-9   2015年11月   [査読有り]

書籍等出版物

 
先端科学技術要覧
オーム社   2006年   
Silicon Nanoelectronics
Single-Electron Logic Devices   2006年   
Nanotechnology Volume 4: Information Technology II
WILEY-VCH Verlag GmbH & Co.   2008年   
Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures
Springer   2009年   
自己組織化ハンドブック
㈱エヌ・ティー・エス   2009年   

講演・口頭発表等

 
Double-gate single-electron transistor characteristics of single-layer Fe-MgF2 granular films
30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2018)   2018年11月15日   
Shape change dynamics of Cu filament in double layer CBRAM
30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2018)   2018年11月15日   
Multilevel memory characteristics of Ta/Ta2O5-δ ReRAM for the Application of Neural Network
Fifteenth International Conference on Flow Dynamics (ICFD 2018)   2018年11月8日   
Analog memory devices for time-domain weighted-sum calculation circuits
Fifteenth International Conference on Flow Dynamics (ICFD 2018)   2018年11月8日   
Enhanced defect formation at metal/oxide interfaces and its application to resistive memory devices [招待有り]
福地 厚、有田 正志、高橋 庸夫
7th International Symposium on Transparent Conductive Materials and the 5th E-MRS & MRS-J Bilateral Symposium on Advanced Oxides (TCM-2018)   2018年10月16日   
Study on Interfacial Redox Reactions of Tantalum as a Good Scavenger Material in ReRAM Devices
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2018)   2018年9月10日   
In-situ electron miroscopy to investigate resistive RAM operations [招待有り]
有田正志、福地厚、高橋庸夫
2018 Collaborative Conference on Materials Research (CCMR 2018)   2018年6月25日   
Investigation for Multilevel Memory Capability of ReRAM using Ta2O5-δ Insulator
2018 Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW-2018)   2018年6月18日   
In-situ TEM investigation on instability of ReRAM switching
EMRS 2018 Spring Meeting (EMRS-18)   2018年6月18日   
Ultrahigh-Frequency Characteristics of Single-Electron Transistor
2018 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC)   2018年6月7日   
Oxygen distribution around filament in Ta-O resistive RAM fabricated using 40 nm CMOS technology
2018 International Memory Workshop (IMW)   2018年5月14日   
単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜を用いた単電子トランジスタの電気特性
浅井佑基、本庄周作、瘧師貴幸、福地 厚、有田正志、高橋庸夫
電子デバイス研究会、ISSN 0913-5685、信学技報 Vol.117、No.453、p.1-6   2018年2月28日   
Investigations on Oxygen Scavenging Effect at Metal/Oxide Interfaces for Reliable Memory Applications
2017 MRS Fall Meeting   2017年11月28日   
Single Electron Transistor Characteristics of Fe-MgF2 Single-Layer Granular Films
30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2017)   2017年11月7日   
ReRAM switching of planar Ag/WOx/Pt studied by in-situ TEM
30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2017)   2017年11月7日   
Realization of Analog Memory using Ta2O5 Based ReRAM for the Application of Neural Network
Fourteenth International Conference on Flow Dynamics (ICFD 2017)   2017年11月2日   
Analog memory operation of parallel connected resistance change memory devices
高橋 庸夫
Fourteenth International Conference on Flow Dynamics   2017年11月2日   
Evaluation of coupled triple quantum dots with compact device structure [招待有り]
Yasuo Takahashi, Takafumi Uchida, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, and Akira Fujiwara
232th Electrochemical Society Meeting   2017年10月3日   
In-situ TEM observation of lateral CBRAM during switching operation
Satoshi Muto, Ryota Yonesaka, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, and Yasuo Takahashi
232th Electrochemical Society Meeting   2017年10月3日   
In-situ electron microscopy of Cu movement in MoOx/Al2O3 bilayer CBRAM during cyclic switching process
Ryusuke Ishikawa, Shuichiro Hirata, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi, Masashi Arita, Yasuo Takahashi, Masaki Kudo, Sho Matsumura
232th Electrochemical Society Meeting   2017年10月3日   

競争的資金等の研究課題

 
抵抗変化型不揮発性メモリの研究
共同研究
研究期間: 2005年   
半導体ナノドットと金属ナノドットの物性物理とそのエレクトロニクス・デバイスへの応用
研究期間: 1992年   

特許

 
特許5583738 : 抵抗変化型メモリ
高橋庸夫、有田正志、藤井孝史、梶宏道、近藤洋史、茂庭昌弘、藤原一郎、山口豪、吉丸正樹
特願2011-106960 : 受光装置
藤原聡、小野行徳、西口克彦、高橋庸夫、有田正志、篠原迪人
特願2010-16116 : 抵抗変化型メモリとその制御方法及び製造方法
高橋庸夫、有田正志、藤井孝史、梶宏道、近藤洋史、茂庭昌弘、藤原一郎、山口豪、吉丸正樹
特許5491145 : 単電子ターンスタイルデバイスおよびその製造方法
藤原聡、小野行徳、西口克彦、高橋庸夫、曹民圭、有田正志
特開2011-054766 : 抵抗変化型メモリとその製造方法
高橋庸夫、有田正志、藤井孝史、梶宏道、近藤洋史、茂庭昌弘、藤原一郎、山口豪、吉丸正樹
特願2006-121276 : 変形量測定装置およびその製造方法
高橋庸夫、有田正志
出願番号 2006121276