宮崎 誠一

広島大学工学部卒．専門分野は半導体工学．約40年に亘り，材料・プロセス・デバイスに関する研究に従事し，MOSデバイスの高性能化・高信頼化に向けた界面評価・制御の研究において, 種々のMOS構造におけるエネルギーバンド構造（バンドアライメント）の決定，欠陥準位密度のエネルギー分布の高感度計測や界面ダイポールの定量評価で実績を積み上げてきた．また，MOSデバイスの機能高度化に向けた基盤研究として，Si-Ge系量子ドットの自己組織化形成およびデバイス応用を推進し，量子ドットの高密度集積化技術，サイズ分布・位置制御技術，不純物添加による電子状態制御技術，Geコアの導入による量子ドット内ポテンシャル分布変調技術，シリサイド化による状態密度・仕事関数制御技術，帯電電位計測技術等のデバイス化に不可欠な基盤要素技術を開発すると共に，量子ドットを電荷保持ノードとしたフローティングゲートトランジスタでの室温・多値メモリ動作の実証をはじめ，Si-Ge系量子ドットの高密度3D集積構造を活用した発光デバイスや電子放出デバイスの開発において先駆的な成果をあげた．2024年4月より理事・副学長（研究担当）を務めている