村上秀樹 (Hideki Murakami) - マイポータル

基本情報

所属: 久留米工業高等専門学校電気電子工学科教授
: 広島大学ナノデバイスバイオ融合科学研究所客員准教授

学位: 博士（工学）(広島大学)

J-GLOBAL ID: 200901036289916469
researchmap会員ID: 5000071730

外部リンク: http://www.kurume-nct.ac.jp

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

経歴

2022年10月 - 現在

久留米工業高等専門学校, 電気電子工学科 (教授)
2016年4月 - 2022年9月

久留米工業高等専門学校, 電気電子工学科 (准教授)
1999年 - 2002年

広島大学工学部
1999年 - 2002年

Research Associate
2002年

- 広島大学大学院先端物質科学研究科
2002年

- Research Associate
助手
Faculty of Engineering, Hiroshima Univ.
Graduate School of Advanced Sciences of Matter

学歴

- 1999年

広島大学, 材料科学研究科, 材料工学専攻
- 1999年

広島大学

論文

Synthesis and optical properties of disiloxane-linked decathiophene and dodecathiophene polymers

Joji Ohshita, Akiyoshi Ohta, Siti Zulaikha Binti Saadom, Yohei Adachi, Hideki Murakami, Takeharu Haino

Polymer Journal 54(1) 91-96 2021年9月24日査読有り
Development of In-situ Monitoring System for Crop Growth Observation

H. Murakami, Y. Tanaka, J. Yamashita, R. Takeshita, T. Okamoto, Y. Sakane, T. Koide

IEEE xplore 18722054 1-4 2019年6月査読有り
Characteristics of highly-oriented bismuth titanate nanocrystals directly on Si(100) substrates for ferroelectric memory device

A. Kohno, G. Fujiki, H. Murakami, T. Tajiri

Abstract of 31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference 16P-11-113L 2018年11月査読有り
High-efficiency impurity activation by precise control of cooling rate during atmospheric pressure thermal plasma jet annealing of 4H-SiC wafer

Keisuke Maruyama, Hiroaki Hanafusa, Ryuhei Ashihara, Shohei Hayashi, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(6) 06GC01-1 2015年6月査読有り
White-Light-Emitting Edge-Functionalized Graphene Quantum Dots

Ryo Sekiya, Yuichiro Uemura, Hideki Murakami, Takeharu Haino

ANGEWANDTE CHEMIE-INTERNATIONAL EDITION 53(22) 5619-5623 2014年5月査読有り
Pre-Amorphization and Low-Temperature Implantation for Efficient Activation of Implanted As in Ge(100)

Hideki Murakami, Shinya Hamada, Takahiro Ono, Kuniaki Hashimoto, Akio Ohta, Hiroaki Hanafusa, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 6: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 64(6) 423-429 2014年査読有り
Properties of Al Ohmic Contacts to n-type 4H-SiC employing a Phosphorus-Doped and Crystallized Amorphous-Silicon Interlayer

Hiroaki Hanafusa, Akio Ohta, Ryuuhei Ashihara, Keisuke Maruyama, Tsubasa Mizuno, Shohei Hayashi, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 778-780 649-652 2014年査読有り
Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer

Kuniaki Hashimoto, Akio Ohta, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E96C(5) 674-679 2013年5月査読有り
Modeling of tunneling currents on Al/SiO2/p-Si MOS capacitors with nanometer-thick oxides

Budi Mulyanti, Lilik Hasanah, Arjuni B. Pantjawati, Hideki Murakami, Khairurrijal

Proc. of 2013 3rd Int. Conf. on Instrumentation, Communications, Information Technol., and Biomedical Engineering: Science and Technol. for Improvement of Health, Safety, and Environ., ICICI-BME 2013 265-268 2013年査読有り
Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior

A. Ohta, Katsunori Makihara, Mitsuhisa Ikeda, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki

E96-C(5) 702-707 2013年査読有り
XPS Study of Energy Band Alignment between Hf-La Oxides and Si(100)

A. Ohta, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki

38(3) 353-357 2013年査読有り
Characterization of Resistive Switching Behaviors of RF Sputtered Si Oxide ReRAMs with Ti-based Electrodes

A. Ohta, M. Fukusima, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

52(11) 11NJ06-1-11NJ06-5 2013年査読有り
Kinetics of thermally oxidation of Ge(100) surface

S. K. Sahari, A. Ohta, M. Matsui, K. Mishima, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Journal of Physics: Conference Series 417(1) 012014-1-012014-6 2013年査読有り
Characterization of Ultrathin Ta-oxide Films Formed on Ge(100) by ALD and Layer-by-Layer Methods

K. Mishima, H. Murakami, A. Ohta, S. K. Sahari, T. Fujioka, S. Higashi, S. Miyazaki

15TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON THIN FILMS (ICTF-15) 417(1) 012013-1-012013-6 2013年査読有り
Evaluation of Chemical Bonding Features and Resistance Switching Behaviors of Ultrathin Si Oxide Dielectric Sandwiched Between Pt Electrodes

Akio Ohta, Yuta Goto, Shingo Nishigaki, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51(6) 06FF02-1-06FF02-6 . 2012年6月査読有り
Characterization of Resistance-Switching of Si Oxide Dielectrics Prepared by RF Sputtering

Akio Ohta, Yuta Goto, Shingo Nishigaki, Guobin Wei, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki

IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS E95C(5) 879-884 2012年5月査読有り
Control of Schottky Barrier Height at Al/p-Ge Junctions by Ultrathin Layer Insertion

A. Ohta, M. Matsui, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 5: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 50(9) 449-457 2012年査読有り
Evaluation of Chemical Structure and Resistance Switching Characteristics of Undoped Titanium Oxide and Titanium-Yttrium Mixed Oxide

Akio Ohta, Yuta Goto, Guobin Wei, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50(10) 10PH02-1-10PH02-6 2011年10月査読有り
X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Interfacial Reactions between Metal and Ultrathin Ge Oxide

Akio Ohta, Tomohiro Fujioka, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 50(10) 10PE01-1-10PE01-6 2011年10月査読有り
Characterization of chemical bonding features at metal/GeO2 Interfaces by X-ray photoelectron spectroscopy

Masafumi Matsui, Hideki Murakami, Tomohiro Fujioka, Akio Ohta, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki

MICROELECTRONIC ENGINEERING 88(7) 1549-1552 2011年7月査読有り

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MISC

Potential changes and chemical bonding features for Si-MOS structure as evaluated from HAXPES analysis

Akio Ohta, Hideki Murakami, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Eiji Ikenaga, Seiichi Miyazaki

MICROELECTRONIC ENGINEERING 178 80-84 2017年6月
Progress in determination method for ultrathin Si-based oxide bandgaps from analysis of energy loss signals for photoelectrons

A. Ohta, H. Murakami, K. Makihara, S. Miyazaki

Jpn, J. Appl. Phys. 54 06FH08 2015年査読有り
Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成 (シリコン材料・デバイス)

浜田慎也, 村上秀樹, 小野貫寛, 橋本邦明, 大田晃生, 花房宏明, 東清一郎, 宮崎誠一

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(88) 27-30 2014年6月19日
Characterization of Chemical Bonding Features and Interfacial Reactions in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Dielectric Stack

Akio Ohta, Hideki Murakami, Kuniaki Hashimoto, Katsunori Makihara, Seiichi Miyazaki

SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 6: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES 64(6) 241-248 2014年査読有り
SiOx/TiO₂積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価 (シリコン材料・デバイス)

大田晃生, 福嶋太紀, 牧原克典, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(87) 61-66 2013年6月18日
Determination of Energy Band Alignment in Ultrathin Hf-based Oxide/Pt System

A. Ohta, H. Murakami, S. Higashi, S. Miyazaki

Journal of Physics: Conference Series 417(1) 012012(6pages) 2013年3月査読有り
Resistive switching properties of SiOx/TiO2 multi-stack in Ti-electrode MIM diodes

Akio Ohta, Katsunori Makihara, Motoki Fukusima, Hideki Murakami, Seiichiro Higashi, Seiichi Miyazaki

ECS Transactions 58(9) 293-300 2013年査読有り
As^+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析

小野貴寛, 大田晃生, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112(92) 63-67 2012年6月14日
極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御

大田晃生, 松井真史, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112(92) 53-58 2012年6月14日
TaO_x層挿入によるHfO_2/Ge界面反応制御

村上秀樹, 三嶋健斗, 大田晃生, 橋本邦明, 東清一郎, 宮崎誠一

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 112(92) 33-36 2012年6月14日
金属/GeO_2界面における化学結合状態の光電子分光分析

松井真史, 藤岡知宏, 大田晃生, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(114) 63-68 2011年6月27日
Ge(100)表面の極薄TiO_xキャッピングによるHfO_2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御

村上秀樹, 藤岡知宏, 大田晃生, 三嶋健斗, 東清一郎, 宮崎誠一

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(114) 47-50 2011年6月27日
RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性

大田晃生, 後藤優太, 西垣慎吾, 尉国浜, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 111(114) 97-102 2011年6月27日
The Impact of H_2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO_2/Pt Structure

Wei Guobin, Goto Yuta, Ohta Akio, MAKIHARA Katsunori, MURAKAMI Hideki, HIGASHI Seiichiro, MIYAZAKI Seiichi

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 110(109) 31-36 2010年6月23日
Characterization of Mg Diffusion into HfO_2/SiO_2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities

Ohta Akio, Kanme Daisuke, Murakami Hideki, HIGASHI Seiichiro, MIYAZAKI Seiichi

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 110(109) 189-194 2010年6月23日
TiO_2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響

大田晃生, 後藤優太, カザルマンモハマドファイルズ, 尉国浜, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(90) 79-84 2010年6月15日
Ge MISおよび Ge/Metal 接合の化学結合状態および電気的特性評価

藤岡知宏, 板東竜也, 大田晃生, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 110(90) 27-32 2010年6月15日
TiO_2/Pt界面の化学結合および電子状態評価

後藤優太, 貫目大介, 大田晃生, 尉国浜, 村上秀樹, 東清一郎, 宮崎誠一

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 109(87) 99-103 2009年6月12日
熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO_2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析

村上秀樹, 小埜芳和, 木田晃生, 東清一郎, 宮崎誠一

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 109(87) 57-60 2009年6月12日
ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測

古川弘和, 東清一郎, 岡田竜弥, 加久博隆, 村上秀樹, 宮崎誠一

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 107(388) 27-29 2007年12月7日

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書籍等出版物

応用物理

香野淳, 池田弥央, 村上秀樹, 宮崎誠一, 廣瀬全孝 (担当:共著, 範囲:シリコン量子ドットを用いたメモリーデバイスの開発，Vol. 71, No. 7 (2002) pp. 864-868.)

応用物理学会 2002年7月

講演・口頭発表等

314

Application of FPGA-Based Hardware Implemented Ring Reservoir for Anomaly Detection in Vacuum Pumps

H. Murakami, I. Teramoto, T. Koide, H. Momose, T. Morie

The 9th International Symposium on Biomedical Engineering (ISBE2024) 2024年12月4日
Hardware Implementation of Vacuum Pump Anomaly Detection using Autoencoder

Hideki Murakami, Takuma Mori, Tetsushi Koide

The 5th International;Symposium on Neuromorphic AI Hardware 2024年3月2日
Time-domain Analog VLSI design of Neural Network Circuit Assuming a Use of Analog Memory Devices with Non-ideal Properties

Sakito Koshina, Hideki Murakami, Osamu Nomura, Takashi Morie

The 5th International Symposium on Neuromorphic AI Hardware 2024年3月2日
Hardware Implementation of a Neural Network for Anomaly Detection in Vacuum Pumps

Hideki Murakami, Takuma Mori, Tetsushi Koide

The 8th International Symposium on Biomedical Engineering International Workshop on Nanodevice Technologies 2023年11月21日
Direct Feedback Alignment 学習を行うニューラルネットワークのディジタル回路実装と MNIST 手書き数字分類への適用

羽田野武蔵, 村上秀樹, 野村修, 森江隆

2023年電気学会電子・情報・システム部門大会 2023年9月1日
Direct Feedback Aliment学習を行うニューラルネットワークのディジタル回路実装

越名咲斗, 村上秀樹, 川添晧平, 野村修, 森江隆

2022年度電気・情報関係学会九州支部連合大会（第75回連合大会） 2022年9月16日
The Quest for Ultra-scaled Silicon MOS Transistors

H. Murakami

International Workshop on Nanodevice Technologies 2022, in Memory of M. Hirose (IWNT2022) 2022年3月11日招待有り
Robustness Evaluation of Direct Feedback Alignment Learning for Analog VLSI Neural Networks with Non-idealities in Weight-updates

Naoki Nagamatsu, Hideki Murakami, Seiji Uenohara, Takashi Morie

The 2021 Nonlinear Science Workshop 2021年12月7日
Robustness Evaluation of Direct Feedback Alignment Learning for Analog VLSI Neural Networks

永松直樹, 村上秀樹, 上ノ原誠二, 森江隆

第３１回日本神経回路学会 2021年9月21日
アナログVLSIニューラルネットワークのための Direct Feedback Alignment学習の頑健性評価

永松直樹, 村上秀樹, 上ノ原誠二, 森江隆

第８２回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月13日
CMOSカオスボルツマンマシン回路の最適化問題への応用

長佳蓉子, 白水孝始, 山口正登志, 村上秀樹, 森江隆

2019年度電気・情報関係学会九州支部連合大会（第72回連合大会） 2019年9月27日
Development of In-situ Monitoring System for Crop Growth Observation

H. Murakami, Y. Tanaka, J. Yamashita, R. Takeshita, T. Okamoto, Y. Sakane, T. Koide

ISDCS 2019 Int. SYmp. on Devices, Circuits and Systems 2019年3月6日
化学溶液堆積と結晶化によって成膜した強誘電体ナノ薄膜の構造と特性

村上秀樹, 藤木凱, 香野淳, 田尻恭之

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第２４回） 2019年1月25日
Characteristics of Highly-Oriented Bismuth Titanate Nanocrystals Directly on Si(100) Substrates for Ferroelectric Memory Device

A. Kohno, G. Fujiki, H. Murakami, T. Tajiri

31st International Microprocesses and Nanotechnology Conference(MNC 2018) 2018年11月13日
Development of In-situ Monitoring System for Crop Growth Observation

Hideki Murakami, Yoshiki Tanaka, Junichi Yamashita, Rikako Takeshita, Yasunori Sakane, Takumi Okamoto, Tetsushi Koide

Joint Conf. of International Workshop on Nanodevice Technologies 2019 and 3rd Int. Symp. on Biomedical Engineering(IWNT2019) 2018年11月8日
化学溶液堆積と結晶化によって成膜した強誘電体ナノ薄膜の構造と特性

藤木凱, 村上秀樹, 香野淳, 田尻恭之

第７９回応用物理学会秋季学術講演会 2018年9月18日
Simplified and Disposal CMOS Chip Fabrication for Biomedical Application

T. Tabei, T. Sato, T. Meguro, K. Okada, S. Yamada, Y. Amemiya, S. Yokoyama, A. Nakamura, H. Murakami, S. Nishimura, K. Miyao, S. Makihira, R. Shimizu, R. Mihara, M. Furuse

Int. Conf. on Solid State Devices and Materials 2018年9月9日
エキシマレーザーによるGe中のAsの高効率活性化及びX線光電子分光法を用いた化学状態評価

村上秀樹, 浜田慎也, 東清一郎, 諏訪輝, 池上浩

デバイス界面テクノロジー研究会（第２３回） 2018年1月19日
Development of 3-dimensioal scanner system for plants monitoring

2nd Int. Symp. on Biomedical Engineering 2017年11月9日
農業応用に向けた多点環境情報・画像センサーを用いたモニタリングプラットホームの構築

村上秀樹, 田齊広太郎, 岡本拓巳, 小出哲士

LSI とシステムのワークショップ2017 2017年5月15日

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担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

シリコン系スーパーアトムの超高密度配列と量子物性制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2012年4月 - 2015年3月

宮崎誠一, 牧原克典, 村上秀樹, 村上秀樹
Ge-Si系量子ドットの自己整合複合集積による物性制御とエレクトロルミネッセンス

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2009年 - 2011年

宮崎誠一, 村上秀樹, 東清一郎
シリコン系ナノ構造集積と機能メモリデバイス開発

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2006年 - 2009年

宮崎誠一, 東清一郎, 村上秀樹
有機金属錯体を用いたCVDによるLa2O3ゲート絶縁膜の形成と界面物性評価

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2007年 - 2008年

村上秀樹
シリコン系スーパーアトム構造の高密度集積と新機能材料創成

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2006年 - 2008年

宮崎誠一, 東清一郎, 村上秀樹
PN制御シリコン系ナノ結晶集積構造におけるキャリア輸送とエレクトロルミネッセンス

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2005年 - 2006年

宮崎誠一, 東清一郎, 村上秀樹
自己組織化シリコン系量子ドットにおけるスーパーアトム構造の創成と電子状態制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2003年 - 2005年

宮崎誠一, 東清一郎, 村上秀樹, 香野淳
シリコン量子構造体の形成・物性制御と室温動作デバイスへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 1998年 - 2000年

宮崎誠一, 村上秀樹, 香野淳

産業財産権

特許6518542 フィルム伸展治具

村上秀樹, 河野祥和
特開2016-65549 エリプソメトリーによる分析方法

村上秀樹, 河野祥和, 田端久敬, 吉田実
特願2008-77082 バイオセンサーおよびその製造方法

牧原克典, 宮崎誠一, 東清一郎, 村上秀樹
特願2008-273140 酸化ゲルマニウムの製造方法およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法

村上秀樹
特開2008-288346 半導体素子

牧原克典, 宮崎誠一, 東清一郎, 村上秀樹

村上秀樹

基本情報

研究分野

経歴

学歴

論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

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