本久順一 (Junichi Motohisa) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 北海道大学大学院情報科学研究院情報エレクトロニクス部門教授

学位: 博士(工学)(東京大学)

研究者番号: 60212263
ORCID iD: https://orcid.org/0000-0001-9529-4299
J-GLOBAL ID: 200901043991039324
researchmap会員ID: 5000075437

外部リンク: http://hydrogen.rciqe.hokudai.ac.jp/~motohisa/pukiwiki

研究キーワード

34

研究分野

5

経歴

5

2020年4月 - 現在

北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, センター長
2006年4月 - 現在

北海道大学, 大学院・情報科学研究科, 教授
2001年4月 - 2006年3月

北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 助教授
1994年4月 - 2001年3月

北海道大学, 量子界面エレクトロニクス研究センター, 助教授
1993年4月 - 1994年3月

北海道大学, 量子界面エレクトロニクス研究センター, 講師

論文

262

Improvement of the fabrication process for top-down GaN nanowires using contactless photo-assisted electrochemical etching

Hisahiro Furuuchi, Taketomo Sato, Junichi Motohisa

Japanese Journal of Applied Physics 64(3) 03SP02-03SP02 2025年3月1日査読有り最終著者責任著者
InP Crystal Phase Heterojunction Transistor with a Vertical Gate-All-Around Structure

Yu Katsumi, Hironori Gamo, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka

ACS Applied Materials & Interfaces 16(23) 30471-30477 2024年5月31日査読有り
Size control of InP nanowires by in situ annealing and its application to the formation of InAsP quantum dots

Masahiro Sasaki, Tomoya Akamatsu, Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa

Nanotechnology 35(19) 195604-195604 2024年2月20日査読有り最終著者責任著者
Characterization of nanowire light-emitting diodes with InP/InAsP heterostructures emitting in telecom band

Junichi Motohisa, Akamatsu Tomoya, Okamoto Manami, Tomioka Katsuhiro

Japanese Journal of Applied Physics 63(3) 03SP08-03SP08 2024年2月8日査読有り筆頭著者責任著者
Selective-Area Growth of Vertical InGaAs/GaSb Core–Shell Nanowires on Silicon and Dual Switching Properties

Hironori Gamo, Chen Lian, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka

ACS Nano 2023年8月24日
Enhanced Light Extraction of Nano‐Light‐Emitting Diodes with Metal‐Clad Structure Using Vertical GaAs/GaAsP Core–Multishell Nanowires on Si Platform

Katsuhiro Tomioka, Kazuharu Sugita, Junichi Motohisa

Advanced Photonics Research 4(7) 2023年4月20日査読有り
Generation of cylindrical vector beam from GaAs/InGaAs/GaAs core-multishell nanowire cavity

Taiga Kunimoto, Shizuka Obara, Shinjiro Hara, Junichi Motohisa

Japanese Journal of Applied Physics 62(SC) SC1072-SC1072 2023年2月17日査読有り責任著者
Current injection and luminescence properties of wurtzite InP nanowires with crystal phase transition

Yuki Azuma, Shun Kimura, Hironori Gamo, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka

Japanese Journal of Applied Physics 62(SC) SC1011-SC1011 2022年12月30日査読有り
InP nanowire light-emitting diodes with different pn-junction structures

S. Kimura, H. Gamo, Y Katsumi, J. Motohisa, K. Tomioka

Nanotechnology 33(30) 305204 2022年5月査読有り
Creation of unexplored tunnel junction by heterogeneous integration of InGaAs nanowires on germanium

Akinobu Yoshida, Hironori Gamo, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka

Scientific Reports 12(1) 2022年1月
Fabrication of GaN nanowires containing n+-doped top layer by wet processes using electrodeless photo-assisted electrochemical etching and alkaline solution treatment

Michihito Shimauchi, Kazuki Miwa, Masachika Toguchi, Taketomo SATO, Junichi Motohisa

Applied Physics Express 2021年10月6日査読有り最終著者責任著者
Vertical Gate-All-Around Tunnel FETs Using InGaAs Nanowire/Si with Core-Multishell Structure

Katsuhiro Tomioka, Hironori Gamo, Junichi Motohisa, Takashi Fukui

2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2020年12月12日
Rational synthesis of atomically thin quantum structures in nanowires based on nucleation processes

Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa, Takashi Fukui

Scientific Reports 10(1) 2020年12月査読有り
Demonstration of InP/InAsP/InP axial heterostructure nanowire array vertical LEDs

Tomoya Akamatsu, Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa

Nanotechnology 31(39) 394003-394003 2020年9月25日査読有り最終著者責任著者
Selective-Area Growth of AlInAs Nanowires

Yoshiki Tai, Hironori Gamo, Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka

ECS Transactions 98(6) 149-153 2020年9月23日
InGaAs-InP core–shell nanowire/Si junction for vertical tunnel field-effect transistor

Katsuhiro Tomioka, Fumiya Ishizaka, Junichi Motohisa, Takashi Fukui

Applied Physics Letters 117(12) 123501-123501 2020年9月21日査読有り
Physics and devices toward artificial intelligence

Junichi Motohisa, Jun OHTA, Kenichi KAWAGUCHI, Seiya KASAI

Japanese Journal of Applied Physics 2020年4月28日
Characterization of nanowire light-emitting diodes grown by selective-area metal-organic vapor-phase epitaxy

Junichi Motohisa, Hiroki Kameda, Masahiro Sasaki, Katsuhiro Tomioka

Nanotechnology 30(13) 134002-134002 2019年3月29日査読有り筆頭著者責任著者
Vertical InGaAs Nanowire Array Photodiodes on Si

Kohei Chiba, Akinobu Yoshida, Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa

ACS Photonics 6(2) 260-264 2019年2月20日査読有り最終著者責任著者
Vertical tunnel FET technologies using III-V/Si heterojunction

K. Tomioka, H. Gamo, J. Motohisa

ECS Transactions 92(4) 71-78 2019年

もっとみる

MISC

130

電気めっき法によるGaNへのPt電極の形成と電気特性評価

小原康, 島内道人, 佐藤威友, 本久順一

応用物理学会北海道支部/日本光学会北海道支部合同学術講演会講演予稿集 55th-16th 2020年
Photoluminescence of Zn-Doped InP Nanowires: Mixing of Crystal Structures, Donor-Acceptor Pair Recombination, and Surface Effects

J. Motohisa, H. Kameda, M. Sasaki, S. Hara, K. Tomioka

Collected Abstract of the 29th International Conference on Defects in Semiconductors (ICDS 2017), Matsue, Japan, July 31-August 4, 2017, TuP-33 1-2 2017年8月査読有り
Density Control of InP-based Nanowires and Nanowire Quanutm Dots

S. Yanase, H. Sasakura, S. Hara, J. Motohisa

Collected Abstract of the 35th Electronic Materials Symposium (EMS-35), Moriyama, Japan, July 6-8, 2016, Th3-2 1-2 2016年7月査読有り
Growth and Characterization of Vertical Nanocavity Using Core-Multishell Nanowires

T. Wada, S. Hara, J. Motohisa

Collected Abstract of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2015), Sapporo, Japan, September 27-30, 2015, D-4-3 1-2 2015年9月査読有り
低振幅信号検出に向けた確率共鳴型Ring-delay-line ADC (集積回路)

木下康大, 池辺将之, 本久順一

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(124) 33-36 2015年7月2日
低振幅信号検出に向けた確率共鳴型Ring-delay-line ADC (情報センシング)

木下康大, 池辺将之, 本久順一

映像情報メディア学会技術報告 = ITE technical report 39(22) 33-36 2015年7月
Photoluminescence Study of Doping-Induced Crystal Structure Transition in Indium Phosphide Nanowires

H. Kameda, S. Yanase, K. Tomioka, S. Hara, J. Motohisa

Collected Abstract of the 17th International Conference on Modulated Semiconductor Structures (MSS-17), Sendai, Japan, July 26-31, 2015, Mo-PM-33 1-1 2015年7月査読有り
A-1-27 NAND型遅延線路を用いた複数位相型TDCの間欠動作(A-1.回路とシステム,一般セッション)

内田大輔, 池辺将之, 本久順一, 佐野栄一

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2015 27-27 2015年2月24日
CI-4-4 III-Vナノワイヤ/Siヘテロ接合界面のトンネルFET応用(CI-4.低消費電力スティープスロープFET技術の現状と展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)

冨岡克広, 本久順一, 福井孝志

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2015(2) "SS-94"-"SS-95" 2015年2月24日
Design and Growth of Nanowire Nanocavity

T. Wada, S. Hara, J. Motohisa

Collected Abstract of the 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2014), Tsukuba, Japan, September 8-11, 2014, PS-13-12 1-2 2014年9月査読有り
自動しきい値補償型Dickson Charge Pumpによる整流特性の効率化

KAN Xie, 池辺将之, 本久順一, 佐野栄一

電子情報通信学会技術研究報告 114(120(ICD2014 19-30)) 2014年
間欠動作TDCを用いたシングルスロープADC構成の検討

染谷槙人, 内田大輔, 池辺将之, 本久順一, 佐野栄一

電子情報通信学会技術研究報告 114(120(ICD2014 19-30)) 2014年
半導体ナノワイヤを用いた高効率太陽電池に関する研究

本久順一, 原真二郎

岩谷直治記念財団研究報告書 36 101-103 2013年8月1日
A-1-14 11bit 5.luW複数位相型TDC付きマルチスロープADC(A-1.回路とシステム)

金基秀, 内田大輔, 池辺将之, 本久順一, 佐野栄一

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2013 14-14 2013年3月5日
複数位相型TDC付きシングルスロープADCの動作タイミングによる低電力化

内田大輔, 染谷槙人, 池辺将之, 本久順一, 佐野栄一

電子情報通信学会技術研究報告 113(112(ICD2013 24-46)) 2013年
Composition-Dependent Growth Dynamics of InGaAs Nanowires in Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy

Y. Kohashi, S. Hara, J. Motohisa

Collected Abstract of the 2013 International Symposium on Advanced Nanodevices and Nanotechnology (ISANN 2013), Poipu Beach, Kauai, Hawaii, USA, December 8-13, 2013, Thu2-5 1-1 2013年査読有り
Study on the Lateral Growth on GaAs Nanowires

T. Wada, Y. Kohashi, S. Hara, J. Motohisa

Collected Abstract of the 32nd Electronic Materials Symposium (EMS-32), Moriyama, Japan, July 10-12, 2013, Fr1-12 1-2 2013年
Influence of V/III Ration on the Growth of InGaAs Nanowires in Selective-Area MOVPE

Y. Kohashi, S. Hara, J. Motohisa

Collected Abstract of the 40th International Sympsium on Compound Semiconductors (ISCS 2013), Kobe, Japan, May 19-23, 2013, WeB2-2 1-2 2013年査読有り
シングルスロープA/D変換器の高速化に向けたインターリーブ型ランプ波形発生器 (集積回路)

内田大輔, 池辺将之, 本久順一

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 112(159) 45-48 2012年7月26日
単一画像を用いた局所適応型高速霧補正技術(高機能イメージセンシングとその応用)

水野暁, 池辺将之, 五十嵐正樹, 本久順一

映像情報メディア学会技術報告 36(20) 9-12 2012年5月21日

もっとみる

書籍等出版物

5

Fundamental properties of semiconductor nanowires

深田, 直樹, Rurali, Riccardo

Springer Nature Singapore 2021年 (ISBN: 9789811590498)
Nanowires and Nanotubes - Synthesis, Properties, Devices, and Energy Applications of One-Dimensional Materials: Volume 1439 (MRS Proceedings)

Junichi Motohisa, Lincoln J. Lauhon, Thomas G. Thundat, Deli Wang, Xudong Wang, Zhong Lin Wang, Magnus Willander, Takeshi Yanagida

Materials Research Society 2012年11月12日 (ISBN: 1605114162)
Semiconductor Nanostructures for Optoelectronic Devices: Processing, Characterization and Applications (NanoScience and Technology)

Gyu-Chul Yi

Springer 2012年1月13日 (ISBN: 3642224792)
Lateral Alignment of Epitaxial Quantum Dots (NanoScience and Technology)

Oliver G. Schmidt

Springer 2010年11月25日 (ISBN: 3642079911)
Physics and Applications of Semiconductor Quantum Structures

T. Yao, J.C. Woo

Taylor & Francis 2001年1月1日 (ISBN: 0750306378)

講演・口頭発表等

147

横方向成長させたGaAsナノワイヤの評価

和田年弘, 小橋義典, 原真二郎, 本久順一

応用物理学会秋季学術講演会講演 2013年8月31日
複数位相型TDC付きシングルスロープADCの動作タイミングによる低電力化

内田大輔, 染谷槙人, 池辺将之, 本久順一, 佐野栄一

電子情報通信学会技術研究報告 2013年6月27日
InGaAsナノワイヤの選択成長におけるV/III比の影響

小橋義典, 原真二郎, 本久順一

応用物理学会春季学術講演会講演 2013年3月11日
11bit5.1uW複数位相型TDC付きマルチスロープADC

KIM Kisu, 内田大輔, 池辺将之, 本久順一, 佐野栄一

電子情報通信学会大会 2013年3月5日
RF‐MBE法によるGaN及びInGaNの成長と評価

山本礼奈, 小野寺彩, 本久順一

応用物理学会北海道支部・日本光学会北海道地区合同学術講演会 2013年1月11日
(111)A面上へのSA‐MOVPE成長におけるInPナノワイヤの3方向成長モード

柳瀬祥吾, 小橋義典, 池尻圭太郎, 原真二郎, 本久順一

応用物理学会学術講演会 2012年8月27日
2段階MOVPE選択成長による極微細・位置制御InGaAsナノワイヤの形成

小橋義典, 崎田晋哉, 原真二郎, 本久順一

応用物理学会学術講演会 2012年8月27日
RF‐MBE法によるGaNの選択成長

小野寺彩, 山本礼奈, 本久順一

応用物理学会学術講演会 2012年8月27日
シングルスロープA/D変換器の高速化に向けたインターリーブ型ランプ波形発生器 (集積回路)

内田大輔, 池辺将之, 本久順一

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 2012年7月26日
シングルスロープA/D変換器の高速化に向けたインターリーブ型ランプ波形発生器

内田大輔, 池辺将之, 本久順一, 佐野栄一, 近藤亮

電子情報通信学会技術研究報告 2012年7月19日
シングルスロープA/D変換器の高速化に向けたインターリーブ型ランプ波形発生器 (情報センシング)

内田大輔, 池辺将之, 本久順一

映像情報メディア学会技術報告 2012年7月
局所適応型輝度補正におけるパラメータ決定の自動化に関する研究

加藤直人, 池辺将之, 本久順一, 下山荘介

情報処理学会研究報告(CD-ROM) 2012年6月15日
単一画像を用いた局所適応型高速霧補正技術(高機能イメージセンシングとその応用)

水野暁, 池辺将之, 五十嵐正樹, 本久順一

映像情報メディア学会技術報告 2012年5月21日
単一画像を用いた局所適応型高速霧補正技術

水野暁, 池辺将之, 五十嵐正樹, 本久順一

映像情報メディア学会技術報告 2012年5月21日
A-1-2 低消費電力TDC付きマルチスロープAD変換器(A-1.回路とシステム,一般セッション)

金基秀, 池辺将之, 本久順一, 雨宮好仁, 佐野栄一

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2012年3月6日
DCオフセット除去機能を持つダイレクトコンバージョンミキサ

近藤亮, 池辺将之, 本久順一, 雨宮好仁, 佐野栄一

電子情報通信学会大会講演論文集 2012年3月6日
低消費電力TDC付きマルチスロープAD変換器

KIM Kisu, 池辺将之, 本久順一, 雨宮好仁, 佐野栄一

電子情報通信学会大会講演論文集 2012年3月6日
InPナノワイヤLEDにおける放射パターン

本久順一, 前田智嗣

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 2012年2月29日
局所的輝度補正手法におけるハロー効果制御の検討(2011 International Image Sensor Workshop(IISW)関連およびイメージセンサ一般)

下山荘介, 池辺将之, 五十嵐正樹, 水野暁, 本久順一

映像情報メディア学会技術報告 2011年11月11日
局所的輝度補正手法におけるハロー効果制御の検討

下山荘介, 池辺将之, 五十嵐正樹, 水野暁, 本久順一

映像情報メディア学会技術報告 2011年11月11日

もっとみる

共同研究・競争的資金等の研究課題

38

ナノワイヤハイブリッド集積デバイスの創成

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2022年4月 - 2026年3月

冨岡克広, 池辺将之, 本久順一
Si-Ge系ヘテロ接合ナノワイヤによる縦型ナノワイヤHEMTデバイスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2021年4月 - 2025年3月

深田直樹, J. Wipakorn, 宮崎剛, 本久順一, 冨岡克広, 松村亮
半導体ナノワイヤを用いたベクトル光波の発生

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2020年4月 - 2023年3月

本久順一, 冨岡克広
Si/III-V異種接合によるナノワイヤ縦型トンネルFET立体集積回路技術の確立

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2019年4月 - 2022年3月

冨岡克広, 池辺将之, 本久順一
GaNによる特異構造を利用した縦型FETの作製と高性能化に向けた評価技術の検討

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2019年4月 - 2021年3月

本久順一
自己停止酸化機構を利用した窒化物半導体低損傷加工プロセスの開発とトランジスタ応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2017年4月 - 2020年3月

佐藤威友, 本久順一, 橋詰保
半導体ナノワイヤによるSi基板上発光デバイスの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2017年4月 - 2020年3月

本久順一, 原真二郎, 冨岡克広
シリコン上の縦型ナノワイヤスピントランジスタのボトムアップ集積

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2017年4月 - 2020年3月

原真二郎, 本久順一
窒化ガリウム系ナノワイヤによる縦型FETの作製と評価

日本学術振興会科学研究費助成事業新学術領域研究(研究領域提案型) 2017年4月 - 2019年3月

本久順一
半導体ナノワイヤを用いた新型光検出器

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2016年4月 - 2018年3月

本久順一, 冨岡克広
窒化物半導体周期的ナノ構造を基盤とした可視光応答型光触媒の開発と人工光合成応用

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2015年4月 - 2018年3月

佐藤威友, 橋詰保, 本久順一
低損傷プロセスによる窒化物半導体表面のナノスケール制御と高感度化学センシング

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2013年4月 - 2016年3月

佐藤威友, 橋詰保, 本久順一, 谷田部然治
半導体ナノワイヤを用いたナノ発光素子の作製

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2012年4月 - 2015年3月

本久順一, 笹倉弘理
社会インフラの遠隔安全監視を行う振動発電式セミパッシブ無線センサ

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2012年4月 - 2015年3月

五十嵐一, 渡邊浩太, 池辺将之, 本久順一
半導体ナノワイヤを基盤とする水素発生用材料の開拓

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2012年4月 - 2014年3月

本久順一, 佐藤威友
シリコン上の強磁性体／半導体ナノワイヤによるスピン偏極発光素子の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2011年4月 - 2014年3月

原真二郎, 本久順一, クラーピーター・ジェンス, エルムマティアス・トーマス, クルーク・フォン・ニーダハンス-アルプレヒト
化合物半導体配列ナノ構造を基盤とする超接合光吸収体の創成と太陽電池応用

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2009年 - 2010年

佐藤威友, 橋詰保, 本久順一, 古賀裕明
有機金属気相選択成長法による半導体ナノワイヤエレクトロニクスの創成

日本学術振興会科学研究費助成事業特別推進研究 2006年 - 2010年

福井孝志, 雨宮好仁, 本久順一, 葛西誠也, 原真二郎
半導体ナノワイヤによる量子集積ハードウェアの構築

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2007年 - 2009年

本久順一, 池辺将之, 橋詰保
有機金属気相選択成長法によるガリウムヒ素単電子メモリの作製と評価

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2006年 - 2007年

福井孝志, 本久順一, 原真二郎

もっとみる

産業財産権

13

特許第5309386号半導体発光素子アレー、その製造方法、及び光送信機器

比留間健之, 原真二郎, 本久順一, 福井孝志
特許第5231142号多接合型太陽電池の製造方法

後藤肇, 本久順一, 福井孝志
特許第5211352号半導体発光素子アレー、およびその製造方法

比留間健之, 原真二郎, 本久順一, 福井孝志
特開2012-182389 ナノワイヤ太陽電池

遠藤広考, 後藤肇, 福井孝志, 本久順一
WO2011-105397 半導体装置及び半導体装置の製造方法

福井孝志, 冨岡克広, 本久順一, 原真二郎
特開2011-138804 ナノワイヤ太陽電池及びその製造方法

後藤肇, 福井孝志, 本久順一, 比留間健之
特開2011-135058 太陽電池素子、カラーセンサ、ならびに発光素子及び受光素子の製造方法

比留間健之, 本久順一, 福井孝志, 後藤肇, 遠藤広考
WO2010-044129 半導体発光素子アレー、およびその製造方法

比留間健之, 原真二郎, 本久順一, 福井孝志
特開2010-058988 半導体構造物の製造方法

冨岡克広, 福井孝志, 本久順一, 原真二郎
特開2010-028092 ナノワイヤ太陽電池及びその製造方法

後藤肇, 大橋智昭, 本久順一, 福井孝志
特開2009-049209 半導体発光素子アレー、およびその製造方法

比留間健之, 原真二郎, 本久順一, 福井孝志
特許第3086350号電子波素子

ゲルハルトファーソル, 本久順一, 永宗靖, 榊裕之
特開平6-163928 トンネル注入半導体装置

ゲルハルトファーソル, 本久順一, 榊裕之