半導体中の伝導電子のスピンを操作し、これまでにない新しい機能を有する電子/光デバイスを創出するための基盤技術を確立することを目的に、スピン偏極率の高いハーフメタル材料として知られているCo系ホイスラー合金をスピン注入源とし、GaAsやSiなど種々の半導体への高効率スピン注入を実証した。さらに、注入した電子の半導体中におけるスピン緩和時間の見積もりや核スピンとの相互作用を解明し、スピン依存伝導特性を明らかにした。