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基本情報

学位: 工学博士

J-GLOBAL ID: 200901082320857605
researchmap会員ID: 5000075801

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研究分野

経歴

名古屋大学エコトピア科学研究所エネルギー科学研究部門エコトピア科学研究所エネルギー科学研究部門, 准教授

MISC

Electronic and atomic structure modifications of copper nitride films by ion impact and phase separation

N. Matsunami, H. Kakiuchida, M. Tazawa, M. Sataka, H. Sugai, S. Okayasu

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 267(16) 2653-2656 2009年8月
Electronic structure modifications of cuprous-oxide films by ions

N. Matsunami, O. Fukuoka, M. Tazawa, H. Kakiuchida, M. Sataka

SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY 203(17-18) 2642-2645 2009年6月
Deuterium retention in tungsten oxide under low energy D-2(+) plasma exposure

N. Matsunami, N. Ohno, M. Tokitani

JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS 390-91 693-695 2009年6月
N ion irradiation enhancement of photocatalytic activity of TiO2

N. Matsunami, M. Uebayashi, K. Hirooka, T. Shimura, M. Tazawa

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 267(8-9) 1654-1657 2009年5月
Composition and optical properties of silicon nitride films grown on SiO2-glass and R-Al2O3 substrates by reactive RF magnetron sputtering

N. Matsunami, S. Ninad, M. Tazawa, T. Shimura, M. Sataka, Y. Chimi

VACUUM 82(12) 1482-1485 2008年8月
High-energy ion irradiation effects on atomic structures and optical properties of copper oxide and electronic sputtering

N. Matsunami, M. Sataka, S. Okayasu, N. Ishikawa, M. Tazawa, H. Kakiuchida

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 266(12-13) 2986-2989 2008年6月
Ion beam characterization of rf-sputter deposited AlN films on Si(111)

N. Matsunami, S. Venkatachalam, A. Tazawa, H. Kakiuchida, M. Sataka

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 266(8) 1522-1526 2008年4月
Deuterium retention near surface of TiO2 by low-voltage D-2 plasma discharge

N. Matsunami, T. Tanaka, N. Ohno, M. Tokitani

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 5, NO 4 5(4) 923-926 2008年
Ion irradiation effects on optical properties of silicon nitride films

N. Matsunami, N. Shinde, M. Tazawa, S. Nakao, M. Sataka, Y. Chimi

SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY 201(19-20) 8322-8325 2007年8月
Modifications of AlN thin films by ions

N. Matsunami, T. Shimura, M. Tazawa, T. Kusumori, H. Kakiuchida, M. Ikeyama, Y. Chimi, M. Sataka

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 257 433-437 2007年4月
Electronic sputtering of nitrides by high-energy ions

N. Matsunami, M. Sataka, S. Okayasu, M. Tazawa

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 256(1) 333-336 2007年3月
Irradiation effects with 100 MeV Xe ions on optical properties of Al-doped ZnO films

O. Fukuoka, N. Matsunami, M. Tazawa, T. Shimura, M. Sataka, H. Sugai, S. Okayasu

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 250 295-299 2006年9月
Electrical conductivity increase of Al-doped ZnO films induced by high-energy-heavy ions

H. Sugai, N. Matsunami, O. Fukuoka, M. Sataka, T. Kato, S. Okayasu, T. Shimura, M. Tazawa

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 250 291-294 2006年9月
Analysis of N isotope depth profiles in search for reaction of implanted nitrogen with substrate near Si3N4-nitride-film and SiO2-glass-substrate interface

N. Matsunami, T. murase, M. Tazawa, S. Ninad, O. Fukuoka, T. Shimura, M. Sataka, Y. Chimi

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 249 185-188 2006年8月
Photoluminescence from Au ion-implanted nanoporous single-crystal 12CaO・7Al2O3

Phys. Rev. 73(20) 205108 2006年5月
Photoluminescence from Au ion-implanted nanoporous single-crystal 12CaO center dot 7Al(2)O(3)

Masashi Miyakawa, Hayato Kamioka, Masahiro Hirano, Toshio Kamiya, Peter V. Sushko, Alexander L. Shluger, Noriaki Matsunami, Hideo Hosono

PHYSICAL REVIEW B 73(20) 205108 2006年5月
Alignment of grain orientation in polycrystalline-SiO2 films induced by high-energy heavy ions

NS Shinde, A Matsunami, T Shimura, M Sataka, S Okayasu, T Kato, M Tazawa

NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 245(1) 231-234 2006年4月
Reaction of implanted N isotope with SiO2 near Si3N4-film and SiO2-interface

J. Nucl. Sci. 43(4) 382-385 2006年
Modification of optical properties of silicon nitride films on Si(100)

Trans. Mat. Res. Soc. Japan 31 709-712 2006年
Reaction of implanted N isotope with SiO2 near Si3N4-film and SiO2-interface

Ninad SHINDE, Noriaki MATSUNAMI, Osamu FUKUOKA, Masato TAZAWA, Tetsuo SHIMURA, Yasuhiro CHIMI, Masao SATAKA

J. Nucl. Sci. 43(4) 382-385 2006年

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所属学協会

Works(作品等)

高速重元素イオンによる物質改質・物性制御（産学連携重点研究）

2007年 - 2009年
核融合炉壁材酸化層中の重水素リテンション

2008年 - 2008年
プラズマ・材料相互作用に関する調査

2008年 - 2008年
窒化セラミックス薄膜作成及びイオンビーム物性改質

2006年 - 2008年

共同研究・競争的資金等の研究課題

プラズマ・固体相互作用

2008年 - 2008年
Plasma-solid interaction

2008年 - 2008年
イオン照射に伴う電子励起効果

2000年
イオン照射による固体物性改質

2000年
Electronic excitation effects by ion beam irradiation

2000年
Material modification by ion beam

2000年
イオン照射効果
Ion Irradiation Effects