只友一行 (Kazuyuki Tadatomo) - マイポータル

基本情報

所属: 山口大学創成科学研究科教授

学位: 博士（工学）(山口大学)
工学修士(大阪大学)
工学士(大阪大学)

J-GLOBAL ID: 200901030990037781
researchmap会員ID: 5000078772

外部リンク: http://device.eee.yamaguchi-u.ac.jp/

研究キーワード

電子・電気材料工学、化合物半導体、電子デバイス・機器工学

経歴

2013年3月

山口大学, 大学院創成科学研究科（工学）, 教授
2004年6月 - 2013年2月

山口大学, 大学院理工学研究科（工学）, 教授
1980年9月 - 2004年5月

三菱電線工業株式会社, 研究員

学歴

1978年4月 - 1980年3月

大阪大学大学院, 基礎工学研究科, 化学系専攻
1974年4月 - 1978年3月

大阪大学, 基礎工学部, 化学工学科

委員歴

2018年4月 - 現在

日本ファインセラミックス協会, GaN結晶の転位検出方法に関する国際標準化
2011年4月 - 現在

日本学術振興会 162委員会, 企画運営委員

論文

Analysis of efficiency curves in near-UV, blue, and green-emitting InGaN-based multiple quantum wells using rate equations of exciton recombination

Hideaki Murotani, Kazunori Shibuya, Ayumu Yoneda, Yuki Hashiguchi, Hiroyuki Miyoshi, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Yoshiki Yano, Toshiya Tabuchi …

58(SC) SCCB02-1-SCCB02-5 2019年査読有り
High-quality GaN crystals grown from double-polarity hydride vapor phase epitaxy and single-polarization regrowth

Tatsuya Ezaki, Yusuke Shigefuji, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo

58 SC1019-1-SC1019-6 2019年査読有り
Effect of off-angle of stripe patterns on facet stability and embedding in selectivearea hydride vapor phase epitaxy growth

Fijun Kim, Hiroki Ikeuchi, Kohei Nojima, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo

58 SC1001-1-SC1001-5 2019年査読有り
Characterization of high-quality relaxed flat InGaN template fabricated by combination of epitaxial lateral overgrowth and chemical mechanical polishing

N. Okada, Y. Inomata, H. Ikeuchi, S. Fujimoto, H. Itakura, S. Nakashima, R. Kawamura, K. Tadatomo

512 147-151 2019年査読有り
Separation of effects of InGaN/GaN superlattice on performance of light-emitting diodes using mid-temperature-grown GaN layer

Kohei Sugimoto, Narihito Okada, Satoshi Kurai, Yoichi Yamada, Kazuyuki Tadatomo

Japanese Journal of Applied Physics 57(6) 062101-1-062101-5 2018年6月1日査読有り
Spatially Resolved Spectroscopy of Blue and Green InGaN Quantum Wells by Scanning Near-Field Optical Microscopy

Satoshi Kurai, Renma Mihara, Genki Nobata, Kohei Okawa, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Yoshiki Yano, Toshiya Tabuchi, Koh Matsumoto, Yoichi Yamada

Physica Status Solidi (B) Basic Research 255(5) 1700322-1-1700322-6 2018年5月1日査読有り
Impact of thermal treatment on the growth of semipolar AlN on m-plane sapphire

Masafumi Jo, Naoki Morishita, Narihito Okada, Yuri Itokazu, Norihiko Kamata, Kazuyuki Tadatomo, Hideki Hirayama

8(10) 105312-1-105312-6 2018年査読有り
Nanoscopic spectroscopy of potential barriers formed around V-pits in InGaN/GaN multiple quantum wells on moderate temperature GaN pit expansion layers

Satoshi Kurai, Kohei Okawa, Ryoga Makio, Genki Nobata, Junji Gao, Kohei Sugimoto, Narihito Okada, Kazuyuki, Tadatomo, Yoichi Yamada

124(8) 083107-1-083107-7 2018年査読有り
Mechanism for the formation of nitrogen-filled voids after annealing of GaN on a sapphire substrate

T. Matsubara, N. Okada, K. Tadatomo

Journal of Applied Physics 124(4) 045304-1-045304-4 2018年査読有り
Revelation of dislocations in HVPE GaN single crystal by KOH etching with Na2O2 additive and cathodoluminescence mapping

Y. Yao, Y. Ishikawa, Y. Sugawara, D. Yokoe, M. Sudo, N. Okada, K. Tadatomo

SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES 99 83-87 2016年11月査読有り
Controlling optical polarization of {11-22} semipolar multiple quantum wells using relaxed underlying InGaN buffer layers

Narihito Okada, Yasuhiro Okamura, Katsumi Uchida, Kazuyuki Tadatomo

OPTICAL MATERIALS 58 243-247 2016年8月査読有り
Positional dependence of defect distribution in semipolar (20(2)over-bar1) hydride vapor phase epitaxy-GaN films grown on (22(4)over-bar3) patterned sapphire substrates

Toshiro Uchiyama, Shotaro Takeuchi, Shohei Kamada, Takuji Arauchi, Yasuhiro Hashimoto, Keisuke Yamane, Narihito Okada, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Kazuyuki Tadatomo …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(5) 05FA07-1-05FA07-7 2016年5月査読有り
Alternately double-sided growth of low-curvature GaN templates on sapphire substrates using hydride vapor phase epitaxy

Narihito Okada, Hiroshi Ihara, Keisuke Yamane, Kazuyuki Tadatomo

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 253(5) 819-823 2016年5月査読有り
Atomic-scale investigation of structural defects in GaN layer on c-plane sapphire substrate during initial growth stage

Tohoru Matsubara, Kohei Sugimoto, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(4) 045501-1-045501-6 2016年4月査読有り
Effect of superlattice on light output power of InGaN-based light-emitting diodes fabricated on underlying GaN substrates with different dislocation densities

Kohei Sugimoto, Yusho Denpo, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 13 NO 5-6 13(5-6) 270-273 2016年査読有り
Origin of lattice bowing of freestanding GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy

Keisuke Yamane, Tohoru Matsubara, Takeshi Yamamoto, Narihito Okada, Akihiro Wakahara, Kazuyuki Tadatomo

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 119(4) 045707-1-045707-5 2016年1月査読有り
Growth of semipolar {20-21} GaN and {20-2-1} GaN for GaN substrate

Yasuhiro Hashimoto, Keisuke Yamane, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 253(1) 36-45 2016年1月査読有り
Crystalline property analysis of semipolar (20-21) GaN on (22-43) patterned sapphire substrate by X-ray microdiffraction and transmission electron microscopy

Takuji Arauchi, Shotaro Takeuchi, Yasuhiro Hashimoto, Yoshiaki Nakamura, Keisuke Yamane, Narihito Okada, Yasuhiko Imai, Shigeru Kimura, Kazuyuki Tadatomo, Akira Sakai

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 252(5) 1149-1154 2015年5月査読有り
Thickness and growth condition dependence of crystallinity in semipolar (20-21) GaN films grown on (22-43) patterned sapphire substrates

Shotaro Takeuchi, Toshiro Uchiyama, Takuji Arauchi, Yasuhiro Hashimoto, Yoshiaki Nakamura, Keisuke Yamane, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo, Akira Sakai

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 252(5) 1142-1148 2015年5月査読有り
Controlling potential barrier height by changing V-shaped pit size and the effect on optical and electrical properties for InGaN/GaN based light-emitting diodes

Narihito Okada, Hiroyuki Kashihara, Kohei Sugimoto, Yoichi Yamada, Kazuyuki Tadatomo

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 117(2) 025708-1-025708-3 2015年1月査読有り

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書籍等出版物

III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Application

Tae-Yeon Seong, Jung Han, Hiroshi Amano, Hadis Morkoc, Kazuyuki Tadatomo (担当:共著, 範囲:Chapter 4)

Springer 2013年7月
ワイドギャップ半導体光・電子デバイス

高橋清, 監修, 長谷川文夫, 吉川昭彦 (担当:共著, 範囲:3.5 LEDの応用と将来展望 5.2.4 エピタキシャル成長（InGaN）)

森北出版株式会社 2006年3月31日 (ISBN: 4627773218)

講演・口頭発表等

288

Fabrication and evaluation of multiple-quantum wells on high-quality relaxed InGaN template fabricated by combination of ELO and CMP

Yuki Inomata, Hideyuki Itajura, Satoru Fujimoto, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo

2018年実行委員会
N極性AlNにおける表面平坦性のサファイア基板オフ角依存性

磯野竜弥, 江? 建彌, 伊藤忠寿, 坂本凌太, 姚永昭, 石川由加里, 岡田成仁, 只友一行

第66回応用物理学会春季学術講演会 2018年応用物理学会
半極性InGaN/GaN量子井戸の表面プラズモン共鳴による発光増強

亀谷純, 中村俊樹, 村尾文弥, 松山哲也, 和田健司, 岡田成仁, 只友一行, 岡本晃一

第66回応用物理学会春季学術講演会 2018年応用物理学会
中温GaN層上InGaN多重量子井戸構造におけるVピット近傍のポテンシャル障壁の顕微分光評価(2)

倉井聡, 大川康平, 槇尾凌我, 高俊吉, 林直矢, 岡田成仁, 只友一行, 山田陽一

第66回応用物理学会春季学術講演会 2018年応用物理学会
AlN構造体を形成した基板へのGaN結晶成長

中村昌幸, 小林貴之, 幸康一郎, 井本良, 岡田成仁, 立田利明, 只友一行, 本山愼一

第66回応用物理学会春季学術講演会 2018年応用物理学会
ハイドライド気相成長法による積層欠陥の少ない高品質半極性{20-21}面GaNテンプレート上GaNの成長

新宮章吾, 藤本怜, 岡田成仁, ジェソン, ジュンハン, 只友一行

第66回応用物理学会春季学術講演会 2018年応用物理学会
PVT法AlN単結晶バルク基板の転位観察

姚永昭, 菅原義弘, 石川由加里, 岡田成仁, 只友一行

第66回応用物理学会春季学術講演会 2018年応用物理学会
HVPE法におけるマルチストライプマスクを用いたGaNの高品質化

池内裕紀, 金子拓司, 井本良, 岡田成仁, 只友一行

第66回応用物理学会春季学術講演会 2018年応用物理学会
近接場光学顕微分光法によるInGaN量子井戸構造におけるVピット近傍の特異構造PLマッピング

倉井聡, 岡田成仁, 只友一行, 山田陽一

第66回応用物理学会春季学術講演会 2018年応用物理学会招待有り
N極性面AlNの成長とN極性面GaN/AlN電界効果トランジスタの提案

岡田成仁, 磯野竜弥, 江?建彌, 伊藤忠寿, 坂本凌太, 只友一行

日本学術振興会ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会第110回研究会・特別公開シンポジウム 2018年日本学術振興会
緑色InGaN系多重量子井戸構造における励起子レート方程式モデルによる効率曲線の解析

渋谷和憲, 室谷英彰, 米田歩, 橋口勇樹, 三好博之, 倉井聡, 岡田成仁, 只友一行, 矢野良樹, 田渕俊也, 松本功, 山田陽一

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年応用物理学会
N極性GaN/AlN電界効果トランジスタの提案

岡田成仁, 磯野竜弥, 板倉秀之, 伊藤忠寿, 坂本凌太, 野村俊文, 姚永昭, 石川由加里, 只友一行

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年応用物理学会
Fe添加した半絶縁性GaN基板の絶縁破壊電界評価

青合充樹, 鈴木孝介, アスバルジョエル, 徳田博邦, 岡田成仁, 只友一行, 葛原正明

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年応用物理学会
放射光X線トポグラフィによるPVT法AlN単結晶基板の転位評価

姚永昭, 菅原義弘, 石川由加里, 岡田成仁, 井本良, 只友一行, 高橋由美子, 平野馨一

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年応用物理学会
AlNの選択横方向成長におけるストライプ方位依存性

金輝俊, 斉藤貴大, 藤川紗知恵, 前田哲利, 岡田成仁, 平山秀樹, 只友一行

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年応用物理学会
緩和した厚膜InGaNの成長とその評価３

猪股祐貴, 河村澪, 中島慎太郎, 板倉秀之, 藤本怜, 池内裕紀, 岡田成仁, 只友一行

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年応用物理学会
中温GaN層上InGaN多重量子井戸構造におけるVピット近傍のポテンシャル障壁の顕微分光評価

倉井聡, 大川康平, 槇尾凌我, 高俊吉, 野畑元喜, 岡田成仁, 只友一行, 山田陽一

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年応用物理学会
逆メサ構造テンプレート上 GaN系薄膜LEDの検討

野島康平, 金子拓司, 井本良, 岡田成仁, 只友一行

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年応用物理学会
HVPE法を用いたGa・N両極性GaNの単一極性化

江崎建弥, 重藤祐輔, 岡田成仁, 只友一行

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会 2018年応用物理学会
InGaN系青色LED構造における効率曲線の励起子レート方程式モデルによる解析

渋谷和憲, 米田歩, 橋口勇樹, 三好博之, 倉井聡, 室谷英彰, 岡田成仁, 只友一行, 山田陽一

第65回応用物理学会春季学術講演会 2018年応用物理学会

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担当経験のある科目(授業)

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所属学協会

Works(作品等)

非公開

その他

共同研究・競争的資金等の研究課題

高品質AlN結晶基板を用いた最短波長領域高出力深紫外LDの研究開発

NEDO 高輝度・高効率次世代レーザー技術開発 2016年6月 - 2021年3月

理化学研究所
様々な種結晶の検討による低コスト・オンデマンドGaN基板製造技術の構築

文部科学省省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発 2016年4月 - 2021年3月
先進ナノツールによるエネルギー・イノベーション・クラスター

科学技術振興機構 2013年12月 - 2019年3月
高品位GaN基板の開発

科学技術振興機構 JST 研究成果展開事業（スーパークラスタープログラム） 2013年12月 - 2018年3月

産業財産権

2016-164805 半導体基板の製造方法

只友一行, 岡田成仁, 井本良
2016-164800 下地基板

只友一行, 岡田成仁, 井本良
2015-149146 半導体基板の製造方法

岡田成仁, 只友一行
2015-056211 半導体基板及びその製造方法、並びにそれに用いる気相成長装置

岡田成仁, 只友一行, 山根啓輔
5557180 半導体発光素子の製造方法

只友一行, 岡田成仁
2014-033208 窒化ガリウム結晶自立基板の製造方法

橋本健宏, 古家大士, 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
5464446 半導体発光素子及びその製造方法

只友一行, 岡田成仁, 渡部嘉
5435646 半導体基板及びその製造方法（AlN の非極性面成長

只友一行, 岡田成仁
5392855 半導体基板およびその製造方法

只友一行, 岡田成仁
5376462 半導体発光素子およびその製造方法

只友一行, 岡田成仁
5306792 窒化ガリウム系化合物半導体製造用添加ガス、窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法および窒化ガリウム系化合物半導体製造装置

只友一行, 岡田成仁, 松本功, 有村忠信
2013-047176 加工基板及びそれを用いた半導体装置

岡田成仁, 只友一行
2013-047175 半導体装置の製造方法及び?-?族半導体の結晶成長方法

山根啓輔, 只友一行, 岡田成仁
2013-046913 窒化ガリウム結晶自立基板の製造方法

橋本健宏, 古家大士, 只友一行, 岡田成仁, 山根啓輔
5196403 サファイア基板の製造方法、および半導体装置

只友一行, 岡田成仁
2011-053393 多波長発光素子及びその製造方法

只友一行, 岡田成仁
2012-039485 自立基板の製造方法

岡田成仁, 山根啓輔, 只友一行
2012-039483 半導体装置の製造方法

岡田成仁, 只友一行
2012-038503 窒化ガリウム結晶積層基板およびその製造方法

岡田成仁, 只友一行
2012-040148 半導体装置の製造方法

岡田成仁, 山根啓輔, 只友一行

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