加藤智久 (Tomohisa Katou) - マイポータル

基本情報

所属: 独立行政法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターウェハプロセスチーム

J-GLOBAL ID: 200901022016073344
researchmap会員ID: 5000086604

外部リンク: http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T08052323

MISC

Correlation between reliability of thermal oxides and dislocations in n-type 4H-SiC epitaxial wafers

Junji Senzaki, Kazutoshi Kojima, Tomohisa Kato, Atsushi Shimozato, Kenji Fukuda

APPLIED PHYSICS LETTERS 89(2) 022909- 2006年7月
In-situ observation of SiC bulk single crystal growth by XRD system

T Kato, S Nishizawa, H Yamaguchi, K Arai

JOURNAL OF RARE EARTHS 24(2) 49-53 2006年3月
Investigation of in-grown dislocations in 4H-SiC epitaxial layer

MATERIALS SCIENCE FORUM 527-529 147-152 2006年
Deep ultraviolet raman microspectroscopic characterization of polishing-induced surface damage in SiC crystals

S Nakashima, T Kato, S Nishizawa, T Mitani, H Okumura, T Yamamoto

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY 153(4) G319-G323 2006年
Defect Characterization of 4H-SiC Bulk Crystals Grown on Micropipe Filled Seed Crystal

MATERIALS SCIENCE FORUM 483-485 315-318 2005年
昇華法によるSiC単結晶成長 -数値解析の活用-

電子情報通信学会論文誌C編 J86(C4) 334-341 2003年
昇華法によるSiC単結晶成長とその場観察

西澤伸一, 山口博隆, 加藤智久, 小柳直樹, 木藤泰男, 荒井和雄

日本結晶成長学会誌 29(5) 431-438 2003年
Silicon carbide epitaxial layer growths on Acheson seed crystals from silicon melt

MN Khan, S Nishizawa, T Kato, R Kosugi, K Arai

MATERIALS LETTERS 57(2) 307-314 2002年12月
Crystallographic Growth Models of wurtzite-Type Thin Films on 6H-SiC

MATERIAL SCIENCE FORUM 389-393 1489-1492 2002年
Dislocation constraint by etch back process of seed crystal in the SiC bulk crystal growth

MATERIAL SCIENCE FORUM 389-393 111-114 2002年
Screw and edge dislocations-induced internal strain around micropipes of 6H-SiC single crystals

H Ohsato, T Kato, T Okuda

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING 4(6) 483-487 2001年12月