2004年
Dopant profiling in vertical ultrathin channels for double-gate MOSFETs by using SNDM
APPLIED PHYSICS LETTERS
- 巻
- 85
- 号
- 18
- 開始ページ
- 4139
- 終了ページ
- 4141
- DOI
- 10.1063/1.1812571
- リンク情報
- ID情報
-
- DOI : 10.1063/1.1812571