MISC

2005年

Device design consideration for Vth-controllable 4-terminal DG-MOSFET

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

44
4B
開始ページ
2351
終了ページ
2356
DOI
10.1143/JJAP.44.2351

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https://doi.org/10.1143/JJAP.44.2351
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  • DOI : 10.1143/JJAP.44.2351

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