2005年
Device design consideration for Vth-controllable 4-terminal DG-MOSFET
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
- 巻
- 44
- 号
- 4B
- 開始ページ
- 2351
- 終了ページ
- 2356
- DOI
- 10.1143/JJAP.44.2351
- リンク情報
- ID情報
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- DOI : 10.1143/JJAP.44.2351