天野建 (Takeru Amano) - マイポータル

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所属: 独立行政法人産業技術総合研究所光技術研究部門光電子制御デバイスグループ

J-GLOBAL ID: 200901044475834076
researchmap会員ID: 5000086735

外部リンク: http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T39246698

研究キーワード

MEMS 量子ドット面発光レーザ

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

MISC

Characteristics of 1.3 mu m quantum-dot lasers with high-density and high-uniformity quantum dots

Takeru Amano, Takeyoshi Sugaya, Kazuhiro Komori

APPLIED PHYSICS LETTERS 89(17) 2006年10月
Realization of 1.3 μm InAs quantum dots with high density, uniformity, and quality

AMANO Takeru, SUGAYA Takeyoshi, YAMAUCHI Shohgo, KOMORI Kazuhiro

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 295(2) 162-165 2006年10月
Improved optical properties of InAs quantum dots grown with an As-2 source using molecular beam epitaxy

Takeyoshi Sugaya, Takeru Amano, Kazuhiro Komori

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 100(6) 063107-1-063107-4 2006年9月
Control of subband energy levels of quantum dots using InGaAs gradient composition strain-reducing layer

T Amano, S Yamauchi, T Sugaya, K Komori

APPLIED PHYSICS LETTERS 88(26) 261110-261112 2006年6月
1.3-mu m InAs quantum-dot laser with high dot density and high uniformity

T Amano, T Sugaya, K Komori

IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS 18(1-4) 619-621 2006年1月
高密度かつ高均一な量子ドットを用いた半導体レーザ

天野建

レーザ加工学会誌 13(2) 144-146 2006年
1.3 mu m InAs quantum dots grown with an As-2 source using molecular-beam epitaxy

T Sugaya, K Komori, S Yamauchi, T Amano

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 23(3) 1243-1246 2005年5月
Highest Density 1.3 μm InAs Quantum Dots Covered with a Gradient Composition InGaAs SRL Grown with an As[2] Source Using Molecular Beam Epitaxy

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 44(12-15) L432-L434 2005年

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