竹内 大輔

J-GLOBALへ         更新日: 11/02/03 00:00
 
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研究者氏名
竹内 大輔
 
タケウチ ダイスケ
URL
http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=D15720666
所属
独立行政法人産業技術総合研究所
部署
エネルギー技術研究部門 電力エネルギー基盤グループ
職名
主任研究員

研究分野

 
 

Misc

 
Defects analysis of diamond films in cross section using cathodoluminescence and high-resolution transmission electron microscopy
SOLID STATE PHENOMENA   78-79 197-204   2001年
n-Type Electrical Conductivity of CVD Homoepitaxial Diamond by Sulfur Ion Implantation
NEW DIAMOND AND FRONTIER CARBON TECHNOLOGY   11 224-224   2001年
Defect Characteristics in Sulfur-Implanted CVD Homoepitaxial Diamond
SOLID STATE PHENOMENA   78-79 171-176   2001年
RI S‐G, YOSHIDA H, YAMANAKA S, WATANABE H, TAKEUCHI D, OKUSHI H
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   235(1/4) 300-306   2002年
TAKEUCHI D, WATANABE H, SAWADA H, YAMANAKA S, ICHINOSE H, SEKIGUCHI T, OKUSHI H
DIAMOND AND RELATED MATERIALS   10(3/7) 526-530   2001年

競争的資金等の研究課題

 
負性電子親和力を持つ表面からの電子放出現象を利用した物性評価技術の確立と、それを応用した電子放出デバイスの開発
経常研究
研究期間: 2006年   
負性電子親和力を持つダイヤモンド表面からの電子放出現象を利用したダイヤモンド薄膜物性評価技術の確立と、それを応用したダイヤモンドp-n接合電子放出デバイスの開発