星野聰 (Satoshi Hoshino) - マイポータル

基本情報

所属: 独立行政法人産業技術総合研究所企画本部

J-GLOBAL ID: 200901011832545279
researchmap会員ID: 5000087321

外部リンク: http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=S08173893

MISC

Improving photo-switching property of organic photo-FET having photosensitive gate dielectric

H. Kawai, T. Kondo, T. Kawai, M. Yoshida, S. Uemura, S. Hoshino, T. Kodzasa, T. Kamata

ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS V 6336 63361E- 2006年
Importance of semiconductor/insulator interface for improving transistor properties of OFET

MOLECULAR CRYSTALS AND LIQUID CRYSTALS 455 321-326 2006年
The organic FET with poly(peptide) derivatives and poly(methyl-methacrylate) gate dielectric

S Uemura, A Komukai, R Sakaida, T Kawai, M Yoshida, S Hoshino, T Kodzasa, T Kamata

SYNTHETIC METALS 153(1-3) 405-408 2005年9月
Electrode effects of organic thin-film transistor with top and bottom contact configuration

M Yoshida, S Uemura, S Hoshino, N Takada, T Kodzasa, T Kamata

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 44(6A) 3715-3720 2005年6月
Effective dopant analysis for the high performance poly (3-hexylthiophene) field effect transistors

Mater. Res. Soc. Sympojium proceedings 871 I318- 2005年
立体規則性ポリアルキルチオフェン薄膜の電子状態と電界効果トランジスター特性

電気学会全国大会講演論文集 2 S(9)24-(S9)27 2005年
Influence of moisture on device characteristics of polythiophene-based field-effect transistors

S Hoshino, M Yoshida, S Uemura, T Kodzasa, N Takada, T Kamata, K Yase

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 95(9) 5088-5093 2004年5月
Materials for Printed Organic Thin Film Transistors

Proceedings of the 11th International Display Workshops 635-638 2004年
Sub-threshold behavior in nanoparticle-dispersed poly(3-hexylthiophene) FET

M Yoshida, S Uemura, S Hoshino, T Kodzasa, T Kamata

ORGANIC FIELD-EFFECT TRANSISTORS III 5522 89-96 2004年
Influence of the Atmosphere of a Polymeric Field Effect Transistor

UEMURA S, YOSHIDA M, HOSHINO S, KODZASA T, KAMATA T

MOLECULAR CRYSTALS AND LIQUID CRYSTALS 424 209-215 2004年
Device Characteristics of Polythiophene-based Field-effect transistors Fabiricated under Various Conditions

J. Photopoly. Sci. Tech. 17(2) 327-332 2004年
Investigation for surface modification of polymer as an insulator layer of organic FET

S Uemura, M Yoshida, S Hoshino, T Kodzasa, T Kamata

THIN SOLID FILMS 438 378-381 2003年8月
LiF/Al bilayer source and drain electrodes for n-channel organic field-effect transistors

S Hoshino, S Nagamatsu, M Chikamatsu, M Misaki, Y Yoshida, N Tanigaki, K Yase

SYNTHETIC METALS 137(1-3) 953-954 2003年4月
トップ & ボトムコンタクト構造を有するFETの特性改善と動作機構解析

電子材料研究会資料 2003年
Gate Bias Modulated Current Flow Analysis At Organic Semiconductor / Metal Interface for Developing High Performance Organic FET.

MATERIAL RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS 734 B9.32.1-B9.32.6 2003年
High Performance Organic Field Effect Transistor With A Novel Top-and Bottom Contact (TBC)

MATERIAL RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS 736 D.7.7.1-D.7.7.6 2003年
Effect of active layer thickness on device properties of organic thin-film transistors based on Cu(II) phthalocyanine

S Hoshino, T Kamata, K Yase

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 92(10) 6028-6032 2002年11月