水林亘 (Wataru Mizubayashi) - マイポータル - researchmap

基本情報

所属: 独立行政法人産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター極限構造トランジスタ研究チーム

J-GLOBAL ID: 200901052848915988
researchmap会員ID: 5000087482

外部リンク: http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=W52205062

MISC

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還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfO2膜の初期絶縁破壊

シリコンテクノロジー 82(2) 45-49 2006年
還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfO2膜の初期絶縁破壊

電子情報通信学会技術研究報告 106(108) 107-111 2006年
Carrier separation analysis for clarifying carrier conduction and degradation mechanisms in high-k stack gate dielectrics

W Mizubayashi, N Yasuda, K Okada, H Ota, H Hisamatsu, K Iwamoto, K Tominaga, K Yamamoto, T Horikawa, T Nabatame …

MICROELECTRONICS RELIABILITY 45(7-8) 1041-1050 2005年7月
Advantages of HfAlON gate dielectric film for advanced low power CMOS application

A Toriumi, K Iwamoto, H Ota, M Kadoshima, W Mizubayashi, T Nabatame, A Ogawa, K Tominaga, T Horikawa, H Satake

MICROELECTRONIC ENGINEERING 80 190-197 2005年6月
キャリア分離法を用いたhigh-k stackゲート絶縁膜のキャリア伝導及び絶縁性劣化機構の解析

電気学会研究会論文 19-24 2005年
Roles of Predominant and Subordinate Carriers in the Breakdown Mechanism Studied with HfAlOx/SiO2 Stacked Gate Dielectrics

ECS Transactions: Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface - 5 1(1) 179-189 2005年
Weak Temperature Dependence of Non-Coulomb Scattering Component of HfAlOx-Limited Inversion Layer Mobility in n+poly-Si/HfAlOx/SiO2 n-MOSFETs

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 44(11) 7750-7755 2005年
Degradation Mechanism of HfAlOx/SiO2 Stacked Gate Dielectrics Studied Through Transient and Steady State Leakage Current Analysis

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 97(4) 074505-1-074505-7 2005年
Effect of the interface layer SiO2 thickness on the dominant carrier type in the leakage currents for HfAlOX/SiO2 gate dielectric films

MIZUBAYASHI W, YASUDA N, HISAMATSU H, IWAMOTO K, TOMINAGA K, YAMAMOTO K, OTA H, HORIKAWA T, TORIUMI A

APPLIED PHYSICS LETTERS 85(25) 6227-6229 2004年