八尾勉 (Tsutomu Yatsuo) - マイポータル

基本情報

外部リンク: http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T49091986

700-V 1.0-m Omega center dot cm(2) buried gate SiC-SIT (SiC-BGSIT)

Yasunori Tanaka, Mitsuo Okamoto, Akio Takatsuka, Kazuo Arai, Tsutomu Yatsuo, Koji Yano, Masanobu Kasuga

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 27(11) 908-910 2006年11月
Estimation of Converters with SiC Devices for Distribution Networks

KONDOH Junji, YATSUO Tsutomu, ISHII Itaru, ARAI Kazuo

電気学会論文誌Ｄ産業応用部門誌 126(4) 480-488 2006年
4H-SiC Lateral RESURF MOSFETs on Carbon-face Substrates

MATERIALS SCIENCE FORUM 438-485 805-808 2005年
Analysis of Low On-Resistance in 4H-SiC Double-Epitaxial MOSFET

MATERIALS SCIENCE FORUM 483-485 813-816 2005年
8.5mΩcm2 600V Double-Epitaxial MOSFETs in 4H-SiC

IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 25(5) 292-294 2004年5月
Reverse characteristics of pn diodes on 4H-SiC(000-1) C and (11-20) face

Y Tanaka, K Fukuda, K Arai, K Kojima, T Suzuki, T Yatsuo

APPLIED PHYSICS LETTERS 84(10) 1774-1776 2004年3月
Fabrication of 4H-SiC Double-Epitaxial MOSFETs

Materials Science Forum 457-460 1421-1424 2004年
Fabrication of double implanted (0001) 4H-SiC MOSFETs by using pyrogenic re-oxidation annealing

Materials Science Forum 457-460,1397-1400 2004年
Fabrication of 1.4-kV mesa-type p(+)-n diodes with avalanche breakdown and without forward degradation on high-quality 6H-SiC substrate

Y Tanaka, S Nishizawa, K Fukuda, K Arai, T Ohno, N Oyanagi, T Suzuki, T Yatsuo

APPLIED PHYSICS LETTERS 83(2) 377-379 2003年7月