Bolotov Leonid (Leonid Bolotov) - マイポータル

基本情報

所属: 独立行政法人産業技術総合研究所

J-GLOBAL ID: 200901067903284302
researchmap会員ID: 5000087556

外部リンク: http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=L49359752

研究分野

経歴

2010年9月 - 2014年3月

University of Tsukuba, Faculty of Pure and Applied Science, associate professor

委員歴

2015年12月 - 現在

Material Research Society, Materials
1999年2月 - 現在

American Physical Society, Physics

論文

Impact of annealing on electric and elastic properties of 10-nm Hf<inf>0.5</inf>Zr<inf>0.5</inf>O<inf>2</inf> films prepared on Si by sputtering

Leonid Bolotov, Shinji Migita, Ryouta Fujio, Manabu Ishimaru, Shogo Hatayama, Noriyuki Uchida

Microelectronic Engineering 258 2022年4月
Heat transport properties of alumina gate insulator films on Ge substrates fabricated by atomic layer deposition

Noriyuki Uchida, Yuta Nakajima, Leonid Bolotov, Wen-Hsin Chang, Tatsuro Maeda, Yuji Ohishi

Materials Science in Semiconductor Processing 121 105396-105396 2021年1月
Elastic Response of 10-nm Insulator Films Measured by Dynamic Indentation for Nano-scale Electron Device Fabrication

Leonid Bolotov, Noriyuki Uchida, Wen Hsin Chang, Tatsuro Maeda, Shinji Migita

2019 SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW) 47-48 2019年
Re-amorphization of GeSbTe alloys not through a melt-quenching process

Junji Tominaga, Leonid Bolotov

Applied Physics Express 12(1) 015504 2019年1月査読有り
Local magnetization of GeTe/Sb2Te3 superlattice films using a scanning probe microscope

AIP Advances 2018年12月査読有り
Kelvin force and Raman microscopies of flat SiGe structures with different compositions grown on Si(111) at high temperatures

A. A. Shklyaev, L. Bolotov, V. Poborchii, T. Tada, K. N. Romanyuk

Materials Science in Semiconductor Processing 83 107-114 2018年8月15日査読有り
Variations in Electric Switching and Transverse Resistance of GeTe/Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf>Superlattices at Elevated Temperature Studied by Conductive Scanning Probe Microscopy

Leonid Bolotov, Yuta Saito, Tetsuya Tada, Junji Tominaga

MRS Advances 3(5) 241-246 2018年査読有り
Photonic metasurface made of array of lens-like SiGe Mie resonators formed on (100) Si substrate via dewetting

Vladimir Poborchii, Alexander Shklyaev, Leonid Bolotov, Noriyuki Uchida, Tetsuya Tada, Zhandos N. Utegulov

APPLIED PHYSICS EXPRESS 10(12) 2017年12月査読有り
Morphology and Electric Conductance Change Induced by Voltage Pulse Excitation in (GeTe)<inf>2</inf>/Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> Superlattices

Leonid Bolotov, Yuta Saito, Tetsuya Tada, Junji Tominaga

Scientific Reports 6(2016) 2016年9月13日査読有り
Changes in morphology and local conductance of GeTe-Sb2Te3 superlattice films on silicon observed by scanning probe microscopy in a lithography mode

Leonid Bolotov, Tetsuya Tada, Yuta Saito, Junji Tominaga

Japanese Journal of Applied Physics 55(4) 2016年4月査読有り
A two-step process for growth of highly oriented Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf> using sputtering

Yuta Saito, Paul Fons, Leonid Bolotov, Noriyuki Miyata, Alexander V. Kolobov, Junji Tominaga

AIP Advances 6(4) 045220 2016年4月査読有り
Changes in morphology and local conductance of GeTe–Sb

Bolotov Leonid, Tada Tetsuya, Saito Yuta, Tominaga Junji

Jpn. J. Appl. Phys. 55(4) 04EK02 2016年3月9日
Conductance switching behavior of GeTe/Sb<inf>2</inf>Te<inf>3</inf>superlattice upon hot-electron injection: A scanning probe microscopy study

Leonid Bolotov, Leonid Bolotov, Yuta Saito, Yuta Saito, Tetsuya Tada, Tetsuya Tada, Junji Tominaga, Junji Tominaga

MRS Advances 1(5) 375-380 2016年査読有り
Advanced Scanning Tunneling Microscopy for Nanoscale Analysis of Semiconductor Devices

Leonid Bolotov, Toshihiko Kanayama

Microscopy and Analysis 2016年査読有り
Distribution of free carriers near heavily-doped epitaxial surfaces of n-type Ge(100) upon HF and HCl treatments

S. J. Park, L. Bolotov, N. Uchida, T. Tada

AIP ADVANCES 5(10) 107219 2015年10月査読有り
Properties of three-dimensional structures prepared by Ge dewetting from Si(111) at high temperatures

Alexander Shklyaev, Leonid Bolotov, Vladimir Poborchii, Tetsuya Tada

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 117(20) 205303 2015年5月査読有り
Spatial variation of the work function in nano-crystalline TiN films measured by dual-mode scanning tunneling microscopy

Leonid Bolotov, Koichi Fukuda, Tetsuya Tada, Takashi Matsukawa, Meishoku Masahara

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(4) 2015年4月査読有り
Three-dimensional simulation of scanning tunneling microscopy for semiconductor carrier and impurity profiling

K. Fukuda, M. Nishizawa, T. Tada, L. Bolotov, K. Suzuki, S. Satoh, H. Arimoto, T. Kanayama

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 116(2) 2014年7月査読有り
Simulation of Light-Illuminated STM Measurements

Koichi Fukuda, Masayasu Nishizawa, Tetsuya Tada, Leonid Bolotov, Kaina Suzuki, Shigeo Sato, Hiroshi Arimoto, Toshihiko Kanayama

2014 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICONDUCTOR PROCESSES AND DEVICES (SISPAD) 129-132 2014年査読有り
Quantitative evaluation of dopant concentration in shallow silicon p-n junctions by tunneling current mapping with multimode scanning probe microscopy

Leonid Bolotov, Koichi Fukuda, Hiroshi Arimoto, Tetsuya Tada, Toshihiko Kanayama

Japanese Journal of Applied Physics 52(4) 2013年4月査読有り

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MISC

招待講演 STMによるキャリア分布測定のデバイスシミュレーション (シリコン材料・デバイス)

福田浩一, 西澤正泰, 多田哲也, BOLOTOV Leonid, 鈴木腕, 佐藤成生, 有本宏, 金山敏彦

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 111(281) 21-26 2011年11月10日
走査型トンネル顕微鏡を用いた二次元不純物分布計測

金山敏彦, 西澤正泰, Bolotov Leonid

應用物理 77(9) 1103-1106 2008年9月10日
Dopant-atom distribution measurement at p-n junctions on wet-prepared Si(111):H surfaces by scanning tunneling microscopy

NISHIZAWA Masayasu, BOLOTOV Leonid, KANAYAMA Toshihiko

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2006 346-347 2006年9月13日
Scanning tunneling microscopy detection of individual dopant atoms on wet-prepared Si(111): H surfaces

M Nishizawa, L Bolotov, T Tada, T Kanayama

JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B 24(1) 365-369 2006年1月
Scanning resonant tunneling spectroscopy of fullerene molecules on Si surfaces for carrier density profiling across p-n junctions

L Bolotov, T Okui, T Kanayama

APPLIED PHYSICS LETTERS 87(13) 133107-133109 2005年9月
Scanning Tunneling Microscopy observation of individual boron dopant atoms beneath Si(001)-2 x 1 surfaces

M Nishizawa, L Bolotov, T Kanayama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS 44(46-49) L1436-L1438 2005年
Scanning tunneling spectroscopy of Si6H12 clusters deposited on Si(111)-(7x7) surfaces (vol 85, pg 462, 2000)

L Bolotov, N Uchida, T Kanayama

SURFACE SCIENCE 572(2-3) 521-521 2004年11月
21aYE-14 Scanning resonant tunneling spectroscopy of atomic clusters on oxidized Si(100) surfaces

Bolotov Leonid, Uchida Noriyuki, Kanayama Toshihiko

日本物理学会講演概要集 58(2) 807-807 2003年8月15日
Electron-stimulated fragmentation mechanism for fullerene films on Si(111)-(7x7) surfaces: Dependence on thickness and electron flux

L Bolotov, T Kanayama

PHYSICAL REVIEW B 68(3) 033404-033407 2003年7月
Stability of Ta-encapsulating Si clusters on Si(111)-(7x7) surfaces

N Uchida, L Bolotov, T Miyazaki, T Kanayama

JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 36(9) L43-L46 2003年5月
Observation of hydrogenated silicon clusters Si6Hx with controlled hydrogen content on Si(111)-(7 x 7) surfaces

N Uchida, L Bolotov, T Kanayama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 42(2B) L204-L207 2003年2月
A quadrupole ion trap as low-energy cluster ion beam source

N Uchida, L Bolotov, T Kanayama

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 42(2A) 707-712 2003年2月
6pPSB-12 Si(100)-(2x1)清浄表面上におけるドーパントのSTM観察(表面界面結晶成長,領域9)

西澤正泰, 井藤浩志, Bolotov L., 金山敏彦

日本物理学会講演概要集 57(2) 740-740 2002年8月13日
Low-energy electron irradiation of fullerene films formed on Si(111)-(7x7) surfaces

L Bolotov, T Kanayama

APPLIED PHYSICS LETTERS 81(9) 1684-1686 2002年8月
26pWD-4 金属内包シリコンクラスターイオンの成長とシリコン衷面への堆積(26pWD クラスター・表面ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

内田紀行, Bolotov L., 宮崎剛英, 金山敏彦

日本物理学会講演概要集 57(1) 852-852 2002年3月1日
26pXN-2 Irradiation Effect of Low Energy Electrons on C_60 Films Formed on Si(111)-(7x7) Surfaces

BOLOTOV Leonid, KANAYAMA Toshihiko

日本物理学会講演概要集 57(1) 796-796 2002年3月1日
28pXE-7 水素化Siクラスターの質量選別成長とSi単結晶表面への堆積

金山敏彦, 渡辺美代子, Bolotov L., 内田紀行

日本物理学会講演概要集 56(1) 808-808 2001年3月9日
28pXE-8 ヒ素をドープした水素化シリコンクラスターイオンの構造と電子状態

内田紀行, Bolotov Leonid, 金山敏彦

日本物理学会講演概要集 56(1) 809-809 2001年3月9日
23pTA-2 水素化シリコンクラスターイオンを堆積したSi(111)-(7×7)表面の昇温挙動

内田紀行, Bolotov Leonid, 金山敏彦

日本物理学会講演概要集 55(2) 761-761 2000年9月10日
23pTA-3 Lateral assembling of hydrogen-saturated silicon clusters of silicon surfaces

Bolotov Leonid, 内田紀行, 金山敏彦

日本物理学会講演概要集 55(2) 761-761 2000年9月10日

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担当経験のある科目(授業)

所属学協会

産業財産権

特許2003-320425 Surface potential profile measurement method

ボロトフレオニード, 金山敏彦

Bolotov Leonid

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